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Fターム[4M113AC50]の内容

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Fターム[4M113AC50]に分類される特許

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【課題】非導電体を焼結又は形成することなく、超伝導体を製造する方法を提供するものである。
【解決手段】格子振動をする導体原子に対して、フェムト秒パルスレーザーを照射する第1パルスレーザーと、原子に対して180度反対方向からも上記第1パルスレーザーに対して、同位相のフェムト秒パルスレーザーを照射する第2パルスレーザーとからなる一対のフェムト秒パルスレーザーを導体原子に照射し格子振動を減衰させることによる、超電導体の形成方法である。 (もっと読む)


【課題】 より高い周波数と出力強度を発生させることができる積層ジョセフソン接合を用いたテラヘルツ発振器を提供する。
【解決手段】 超伝導層と絶縁層との固有ジョセフソン接合が直列に積層されている積層ジョセフソン接合を有する超伝導体単結晶の素子を用いたテラヘルツ発振器において、前記ジョセフソン接合が、幅が狭く、奥行きが長い接合であり、狭い素子幅に磁界を印加して四角形に並んだ磁束格子を形成し、前記狭い素子幅による定在波の共鳴を起こさせるように構成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


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