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Fターム[4M113AD36]の内容

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【課題】原料の種類が増えるのを抑制しつつ臨界電流特性を良好にする。
【解決手段】基材と、前記基材上に形成され、希土類元素とCuO鎖とCuO面とを含んで構成されたRE系超電導体ユニットを複数含有する超電導層と、複数ある前記CuO鎖のうち、前記超電導層と前記超電導層の前記基材側に隣接する層との界面周囲の前記RE系超電導体ユニット中に存在し、前記RE系超電導体ユニットの格子定数により定まるCuO鎖の長さよりも1.2倍以上2倍以下積層方向に長いCuO鎖と、前記長いCuO鎖に対して積層方向に隣接して存在する刃状転位と、を備える酸化物超電導薄膜。 (もっと読む)


【課題】テラヘルツ検出器のテラヘルツ波の検出効率を高める。
【解決手段】テラヘルツ波を検出するテラヘルツ検出素子10は、基板11と、基板11上に形成され、テラヘルツ帯における周波数を共振周波数として有する複数のボウタイアンテナ13A,13Bで構成したアンテナ部13と、基板11上に形成され、アンテナ部13の中心に配置されたSTJ(超伝導トンネル接合)素子15と、を備える。 (もっと読む)


【課題】厚膜の酸化物超電導薄膜であっても、Jcが低下せず、膜厚に応じた高いIcの酸化物超電導薄膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】有機金属化合物溶液の塗布、仮焼熱処理、本焼熱処理を行い、所定厚みの酸化物超電導層を作製する酸化物超電導層作製工程と、ナノ微粒子の溶液を用いて酸化物超電導層の上にナノ微粒子を付着させるナノ微粒子付着工程とを、交互に行い、ナノ微粒子が所定間隔で層状に設けられた酸化物超電導薄膜を製造する酸化物超電導薄膜の製造方法。有機金属化合物溶液の塗布、仮焼熱処理を行い、所定厚みの仮焼膜を作製する仮焼膜作製工程と、ナノ微粒子の溶液を用いて仮焼膜の上にナノ微粒子を付着させるナノ微粒子付着工程とを、交互に行い、その後、本焼熱処理を施し、ナノ微粒子が所定間隔で層状に設けられた酸化物超電導薄膜を製造する酸化物超電導薄膜の製造方法。 (もっと読む)


【課題】MOD法を用いて、異相であるRE211の形成がない酸化物超電導薄膜を得て、所望する高い超電導特性を有する酸化物超電導薄膜線材を提供する。
【解決手段】塗布熱分解法を用いて、配向金属基材上に形成された中間層の上に、酸化物超電導薄膜層を形成するに際して使用される酸化物超電導薄膜層形成用の原料溶液であって、RE(希土類元素)およびBa(バリウム)、Cu(銅)の各有機金属化合物が、RE:Ba:Cu=X:2:3(0.8≦X<1.0)の比率で、溶媒に溶解されている酸化物超電導薄膜層形成用の原料溶液。塗布熱分解法を用いて、配向金属基材上に形成された中間層の上に形成された酸化物超電導薄膜層であって、膜内にREBaCu相が形成されていない酸化物超電導薄膜層。配向金属基材上に形成された中間層の上に、前記酸化物超電導薄膜層が形成されている酸化物超電導薄膜線材。 (もっと読む)


【課題】本発明は、酸化物超電導層への水分の浸入を抑えることができる酸化物超電導線材、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の酸化物超電導線材10の製造方法は、基材1と中間層2と酸化物超電導層3と銀層4と金属安定化層6とがこの順に積層されてなる超電導積層体S0を準備する第1工程と、超電導積層体S0の幅方向端部にレーザLを照射して超電導積層体S0の端部を溶融・凝固させて、少なくとも酸化物超電導層3の側面を覆う溶融凝固層7を形成する第2工程と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】膜表面における不純物としてのフッ素化合物の発生を抑制しながら、簡易な方法で、希土類元素、フッ素、鉄、ヒ素、及び酸素からなる超伝導体を含む超伝導薄膜を形成することができる超伝導薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基体上に、分子線エピタキシー法により、少なくとも希土類元素の固体原料及び希土類三フッ化物の固体原料を用い、希土類元素、フッ素、鉄、ヒ素、及び酸素からなる超伝導体を含む超伝導薄膜を形成する工程を有する超伝導薄膜の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】 金属有機化合物の熱分解による超電導膜の熱処理形成において、低コストで大きい膜厚と高い配向性及び高い臨界電流を得るための製造方法を提供する。
【解決手段】 0.6〜数μm程度の膜厚の超電導膜材料の製造において、複数のRE123に対応する組成の仮焼成膜の間に、少なくとも1つのRE’123に対応する組成の仮焼成膜が介在した多層構造からなる仮焼成膜を経由することにより、大きい膜厚、高い配向性及び1cm幅あたり200Aを超える高い臨界電流をもつ、多数の積層欠陥を含む超電導膜が製造され、さらに、塗布熱分解法における仮焼成工程の一部を特定の波長と強度を持った紫外エキシマランプ光の照射処理で置き換えることにより、全工程を熱エネルギーで行った場合より大きい膜厚で高い配向性および高い臨界電流が得られる。 (もっと読む)


【課題】MOD法を用いて酸化物超電導薄膜線材を製造するに際して、安定して優れた超電導特性を有する酸化物超電導薄膜線材を得ることができる技術を提供する。
【解決手段】塗布熱分解法を用いて、基板上に酸化物超電導薄膜が形成されている酸化物超電導薄膜線材であって、酸化物超電導薄膜の空隙率が10%以下である酸化物超電導薄膜線材。酸化物超電導薄膜が、フッ素を含まない金属有機化合物を用いた塗布熱分解法により形成されている酸化物超電導薄膜線材。基板上に金属有機化合物の溶液を塗布して塗布膜を作製する塗布膜作製工程と、塗布膜の金属有機化合物に含有される有機成分を熱分解、除去して、仮焼膜を作製する仮焼熱処理工程と、仮焼膜を結晶化させて、酸化物超電導薄膜を作製する本焼熱処理工程とを備えており、仮焼熱処理工程における昇温速度が、2℃/分以下である酸化物超電導薄膜線材の製造方法。 (もっと読む)


【課題】下部電極を大きくすることなく、より多くのフォノンを下部電極に到達させてフォトンの検出効率を向上できる超伝導トンネル接合検出器を提供する。
【解決手段】超伝導トンネル接合検出器において、基板11の上面には、下部電極31、トンネルバリア33及び上部電極35が順に積層されてなる超伝導トンネル接合素子13が設けられ、基板11内で発生したフォノンに基づいてフォトンを検出する。基板11の上面には下部電極31を囲むように金属膜12が埋め込まれている。これにより、基板11内で発生して基板11内を伝播するフォノンの拡散が低減され、より多くのフォノンが下部電極31に到達してフォトンの検出効率が向上する。 (もっと読む)


【課題】超伝導トンネル接合素子(STJ素子)が吸収するフォノンの量を多くでき、高い感度でフォトンを検出できる超伝導トンネル接合検出器を提供する。
【解決手段】基板11のSTJ素子10を搭載しない側の端面からテラヘルツ波を照射する。基板11内では、テラヘルツ波の吸収によって格子振動(フォノン)が発生し、このフォノン群は基板11内を伝播し、フォノンがSTJ素子10の下部超伝導電極12に到達することで、電極内のクーパー対を解離して準粒子を生成し、この準粒子の増加に伴うトンネル電流の増加分を信号として検出する。基板11のテラヘルツ波を照射する側には、単体のSTJ素子10と基板11を挟んで対向するように、集光用レンズ21を配置してある。これにより、テラヘルツ波は、集光用レンズ21によって単体のSTJ素子10に向けて集光されることになり、フォトンの集光効率が向上する。 (もっと読む)


【課題】高い配向率の中間層を形成することができ、優れた超電導特性を有するテープ状の酸化物超電導薄膜線材を製造することができる技術を提供する。
【解決手段】テープ状の配向金属基板に、600℃以上の温度雰囲気下で、前記配向金属基板の最表層と中間層材料との格子不整合が3%以下になる所定の張力を掛けた状態で、前記配向金属基板上に、配向率80%以上の中間層を形成することを特徴とするテープ状の酸化物超電導薄膜線材の中間層形成方法。前記テープ状の酸化物超電導薄膜線材の中間層形成方法を用いて、配向金属基板上に形成された中間層の上に、酸化物超電導薄膜を形成して、テープ状の酸化物超電導薄膜線材を製造することを特徴とするテープ状の酸化物超電導薄膜線材の製造方法。 (もっと読む)


【課題】Y−Ba−Cu−O系薄膜の結晶配向性を制御でき、優れたデバイスとなる超伝導体薄膜の提供を目的とする。
【解決手段】基板材料の表面に形成したLaNiO薄膜層と、当該LaNiO薄膜層の上に形成されたY−Ba−Cu−O系薄膜層を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ハロゲン元素を含む原料を供給するMBE法又はMOCVD法により、基板がエッチングされることなく、また、基板の種類に依存せず、薄膜を基板上に成長させることができる薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】ハロゲン元素を含む原料を供給するMBE法又はMOCVD法により、薄膜を基板上に成長させる薄膜製造方法であって、前記薄膜を成長させるとき、前記薄膜を構成する原料とともに、Ga、B、Al、In、Tl、F、Cl、Br、及びIから成る群から選ばれる1種以上を供給することを特徴とする薄膜製造方法。 (もっと読む)


【課題】正確に膜厚を制御した最小構成元素数の銅酸化物高温超伝導体RE2CuO4(REは希土類元素)の単結晶薄膜をより大きな面積に形成できるようにする。
【解決手段】形成対象の化合物RE2CuO4と、面内および面間の少なくとも1つの格子定数が±1%の範囲で一致する単結晶から構成された単結晶基板101の上に、希土類元素REと銅と酸素とを含んで構成された前駆体薄膜102を、蒸着法により形成する。蒸着における希土類元素REおよび銅の供給量を制御することなどにより、形成される前駆体薄膜102における希土類元素REおよび銅の組成比を、化学式RE2CuO4の化学量論組成にする。この後、高温、低酸素分圧雰囲気下での固相エピタキシーと低温還元により酸素の組成も化学量論組成に合わせて超伝導化した単結晶薄膜を作製する。 (もっと読む)


【課題】臨界電流密度の特性に優れ、かつ剥離を防止した超電導体厚膜を容易に製造することができる酸化物超電導体厚膜の製造方法、酸化物超電導体厚膜、これを用いた磁場遮蔽体及び超電導限流器を提供する。
【解決手段】基体1の表面を粗面化し、当該表面に、実質的に(Bi、Pb)2+aSrCaCu(ただし、0<a<0.5)の組成を有する酸化物超電導体厚膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】超伝導磁束量子ビット回路における超伝導磁束量子ビットのトンネルエネルギーを高速かつ安定に制御できるようにする。
【解決手段】第1磁束制御線107および第2磁束制御線108は、第1ループ101および第2ループ102を挟んで配置される。また、第1磁束制御線107は、第1ループ101の側に配置され、第2磁束制御線108は、第2ループ102の側に配置される。また、第2弱結合第2弱結合104は、上記共有部と第1磁束制御線107との間の第1ループ101に配置される。加えて、第1ループ101に比較して第2ループ102は、大きな面積に形成されている。 (もっと読む)


【課題】FF−MOD法を用いた酸化物超電導薄膜の製造において、Icが高い酸化物超電導薄膜を安定して得ることが可能となる技術を提供する。
【解決手段】塗布熱分解法により酸化物超電導薄膜を製造する際に使用される酸化物超電導薄膜製造用の原料溶液であって、フッ素を含まない金属有機化合物を溶質とする溶液に、塩素が含有されている酸化物超電導薄膜製造用の原料溶液。純金属イオン濃度に対する前記塩素の含有率が、0.05%〜5%である酸化物超電導薄膜製造用の原料溶液。金属有機化合物が、希土類元素、バリウムおよび銅のそれぞれのアセチルアセトン金属錯体である酸化物超電導薄膜製造用の原料溶液。酸化物超電導薄膜が、REBaCu7−Xの薄膜である酸化物超電導薄膜製造用の原料溶液。 (もっと読む)


【課題】高Icの厚膜化ができ、再現良く高Ic値を得ることができる酸化物超電導薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】フッ素を含まない金属有機化合物を用いて塗布熱分解法により超電導線材用の酸化物超電導薄膜を製造する酸化物超電導薄膜の製造方法であって、金属有機化合物の有機成分を熱分解するための仮焼成を水蒸気を含む雰囲気中で行い、さらに、結晶化熱処理のための本焼成熱処理の前に、前記本焼成熱処理を施す薄膜に含まれる炭酸塩を熱分解するための中間熱処理を行う。前記の中間熱処理は、650〜720℃の温度範囲で、10〜180分行う熱処理であり、酸化物超電導薄膜の厚さは0.3〜5μmである。 (もっと読む)


【課題】本発明は、優れた超電導特性を発揮する酸化物超電導導体用基材並びにその基材を用いた酸化物超電導導体として有用な技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、基材と、その上に、イオンビームアシスト法により成膜されて結晶配向性が整えられ、4回対称性が付与されたNiOからなる中間層と、該中間層上に形成されたキャップ層とを具備してなり、該キャップ層はその上に酸化物超電導層が設けられるものであることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】鉄ヒ素系超伝導体における固有ジョセフソン接合効果の発現を可能とする固有ジョセフソン接合素子を提供する。
【解決手段】超伝導層2及び絶縁層3がc軸方向に積層された結晶構造を有する鉄ヒ素系超伝導体の単結晶からなり、c軸方向に直交するab面に沿った任意の方向に離間して配置される第一電極部10及び第二電極部20と、これら第一電極部10と第二電極部20とを接続するブリッジ部30とから固有ジョセフソン接合素子1を構成する。ブリッジ部30には、第一スリット31と第二スリット32とによってc軸方向に直交するab面に沿った方向両側から挟まれたジョセフソン電流流通部33を形成する。 (もっと読む)


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