【課題】 極低温を安定に維持しつつシステムを小型化し、しかも高い光子検出精度を得ることができる超伝導単一光子検出システムおよび超伝導単一光子検出方法を提供する。
【解決手段】 超伝導単一光子検出器２１〜２４と超伝導単一磁束量子回路３０との間は交流信号伝送経路によって接続され、超伝導単一光子検出器２１〜２４にバイアス電流を供給するバイアス電流経路５１〜５４は、交流信号伝送経路に高インピーダンス素子６１〜６４を介して接続され、高インピーダンス素子６１〜６４は、高周波におけるインピーダンスが超伝導単一磁束量子回路３０の負荷抵抗素子Ｒｒのインピーダンスより高いよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】テラヘルツ検出器のテラヘルツ波の検出効率を高める。
【解決手段】テラヘルツ波を検出するテラヘルツ検出素子１０は、基板１１と、基板１１上に形成され、テラヘルツ帯における周波数を共振周波数として有する複数のボウタイアンテナ１３Ａ，１３Ｂで構成したアンテナ部１３と、基板１１上に形成され、アンテナ部１３の中心に配置されたＳＴＪ（超伝導トンネル接合）素子１５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸化物超電導層への水分の浸入を抑えることができる酸化物超電導線材、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の酸化物超電導線材１０の製造方法は、基材１と中間層２と酸化物超電導層３と銀層４と金属安定化層６とがこの順に積層されてなる超電導積層体Ｓ０を準備する第１工程と、超電導積層体Ｓ０の幅方向端部にレーザＬを照射して超電導積層体Ｓ０の端部を溶融・凝固させて、少なくとも酸化物超電導層３の側面を覆う溶融凝固層７を形成する第２工程と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】膜表面における不純物としてのフッ素化合物の発生を抑制しながら、簡易な方法で、希土類元素、フッ素、鉄、ヒ素、及び酸素からなる超伝導体を含む超伝導薄膜を形成することができる超伝導薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基体上に、分子線エピタキシー法により、少なくとも希土類元素の固体原料及び希土類三フッ化物の固体原料を用い、希土類元素、フッ素、鉄、ヒ素、及び酸素からなる超伝導体を含む超伝導薄膜を形成する工程を有する超伝導薄膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 金属有機化合物の熱分解による超電導膜の熱処理形成において、低コストで大きい膜厚と高い配向性及び高い臨界電流を得るための製造方法を提供する。
【解決手段】 ０．６〜数μｍ程度の膜厚の超電導膜材料の製造において、複数のＲＥ１２３に対応する組成の仮焼成膜の間に、少なくとも１つのＲＥ’１２３に対応する組成の仮焼成膜が介在した多層構造からなる仮焼成膜を経由することにより、大きい膜厚、高い配向性及び１ｃｍ幅あたり２００Ａを超える高い臨界電流をもつ、多数の積層欠陥を含む超電導膜が製造され、さらに、塗布熱分解法における仮焼成工程の一部を特定の波長と強度を持った紫外エキシマランプ光の照射処理で置き換えることにより、全工程を熱エネルギーで行った場合より大きい膜厚で高い配向性および高い臨界電流が得られる。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン元素を含む原料を供給するＭＢＥ法又はＭＯＣＶＤ法により、基板がエッチングされることなく、また、基板の種類に依存せず、薄膜を基板上に成長させることができる薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】ハロゲン元素を含む原料を供給するＭＢＥ法又はＭＯＣＶＤ法により、薄膜を基板上に成長させる薄膜製造方法であって、前記薄膜を成長させるとき、前記薄膜を構成する原料とともに、Ｇａ、Ｂ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩから成る群から選ばれる１種以上を供給することを特徴とする薄膜製造方法。 （もっと読む）

【課題】臨界電流密度の特性に優れ、かつ剥離を防止した超電導体厚膜を容易に製造することができる酸化物超電導体厚膜の製造方法、酸化物超電導体厚膜、これを用いた磁場遮蔽体及び超電導限流器を提供する。
【解決手段】基体１の表面を粗面化し、当該表面に、実質的に（Ｂｉ、Ｐｂ）_２＋ａＳｒ_２Ｃａ_２Ｃｕ_３Ｏ_ｚ（ただし、０＜ａ＜０．５）の組成を有する酸化物超電導体厚膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 磁束トランス及び同軸立体型グラジオメータに関し、渦電流の発生を抑制して、磁場の検出感度を向上する。
【解決手段】 非磁性金属基材と、前記非磁性金属基材上に形成された短軸方向の中心軸に対して面対称の形状の酸化物超電導体からなる超電導ループとを備えた磁束トランスの前記超電導ループ内に前記非磁性金属基材の裏面に達する切断部を設ける。 （もっと読む）

【課題】積層構造の受光素子のサイズに適合して高効率光結合を実現できる超伝導単一光子検出器を提供する。
【解決手段】超伝導単一光子検出器２００は、酸化マグネシウムからなる基板１０と、基板１０の表面に形成された窒化ニオブ配線１３と、窒化ニオブ配線１３上に形成されたキャビティ層１２と、キャビティ層１２上に形成された反射層１１と、基板１０の裏面に形成された反射防止層１４と、を有する超伝導単一光子検出素子１００と、
光ファイバ７２と、光ファイバ７２の先端に調芯融着されたレンズ７５と、を有する光伝送手段２３と、を備える。そして、レンズ７５からの出射光が、窒化ニオブ配線１３において所定のビームウェスト直径２ω_ｏとなるよう、レンズ７５の先端から窒化ニオブ配線１３までの距離が調整されている。 （もっと読む）

【課題】光検出効率が低いという従来技術における課題を解消し、偏波依存性が小さく、高い光検出効率を有する超伝導光検出素子を提供する。
【解決手段】超伝導光検出素子は、複数のメアンダ（蛇行、雷文、ジクザク）形状の超伝導細線を、結晶基板の表裏、あるいは絶縁膜や接着剤を介して互いに近接かつ細線の方向が互いに直角となるように設置する。この配置構成により、最初のメアンダ細線に直角な偏波を有するため検出されなかった光子は、次のメアンダ細線とは平行な偏波を有するために検出可能となる。すなわち、任意の光子は互いに直角な直線からなる偏波に分解することが可能なため、任意の偏波を有する光子について検出可能となる。また、この配置構成により、偏波による取りこぼしがなくなるため、偏波依存性は小さくなり、光検出効率は従来例に比べて２倍程度向上することができる。 （もっと読む）

本発明は、スペイン特許第２２５９９１９号にこれまで説明されている解決手段を出発点として利用して、１０％の最大のフッ素含有量を有している有機金属の前駆物質の溶液を得ることに言及する。この変更は、超伝導の分解層の熱処理（熱分解）、および結晶の成長を一段階において実施可能にする。さらに、低いフッ素含有量は毒性および腐食のリスクを低下させる。 （もっと読む）

【課題】光子との光カップリング性および光吸収性の両方に優れた超伝導単一光子検出素子を提供する。
【解決手段】超伝導単一光子検出素子１００は、酸化マグネシウムからなる基板１０と、基板１０の表面に形成された窒化ニオブ配線１３と、窒化ニオブ配線１３上に形成されたキャビティ層１２と、キャビティ層１２上に形成された反射層１１と、基板１０の裏面に形成された反射防止層１４と、を備える。窒化ニオブ配線１３は、所定のバイアス電流が流れるよう、伝送線路１５を介してバイアス源に接続されて、超伝導状態において使用される。基板１０の裏面側から窒化ニオブ配線１３に光子Ｐが入射した際の窒化ニオブ配線１３の抵抗変化に基づいて、光子Ｐが１個ずつ検出される。光カップリング効率Ｐｃが飽和する基板１０の厚み範囲Ｌ１opt内に、基板１０の厚みＬ１が設定されている。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、従来の概念では想起し得なかった構造を持つ超電導デバイスを提供するものである。
【解決手段】
本発明の超電導素子は、導電性材料からなる導電部材と、この表面を被覆する絶縁性材料からなる被覆層と、この被覆層中に埋め込まれている超導電性材料からなる多数のナノ細線からなり、前記ナノ細線の一端が前記導電部材に電気的に接続され、他端が前記被覆層中に埋没されてなることを特徴とする。
本発明は、前記の超電導素子において、前記ナノ細線が、幹より多数の枝が分岐されてなる樹木状であることを特徴とし、前記の超電導素子において、前記超導電性材料がＭｇＢ_２であり、絶縁性材料がＭｇＯであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れた酸化物超伝導薄膜を形成可能とするとともに、当該酸化物超伝導薄膜を含んで高い超伝導転移温度を有する超伝導薄膜積層体を形成可能で、製造工程中に有毒元素を含まない酸化物超伝導薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶基板上にＹＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_ｘで構成されるバッファー薄膜を形成する第１の工程と、バッファー薄膜上に連続してＢａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超伝導薄膜を形成する第２の工程とを備え、第１の工程は、前記バッファー薄膜をパルスレーザーデポジション法によりエピタキシャル成長させるバッファー薄膜成長工程を含み、第２の工程は、バッファー薄膜上に酸化物超伝導薄膜をパルスレーザーデポジション法によりエピタキシャル成長させる超伝導薄膜成長工程と、超伝導薄膜成長工程に連続し、基板温度を徐冷させる徐冷工程と、徐冷工程に連続し、基板温度を急冷させる急冷工程とを含む。 （もっと読む）

希土類金属Ba2Cu3O7膜を生成する組成物及び方法が記載される。組成物は、バリウム(Ba)金属有機化合物、１又はそれより多い希土類金属有機化合物を含み、組成物は、ハロゲンも含む。例えば、組成物は、ハロゲン化された有機溶媒を含む。組成物はまたほぼ２３０℃よりも大きい沸点を有する溶媒を含む。前駆体溶液は、また、水を生成するために、ハロゲン化された溶媒と反応しない低粘度溶媒を含む。高粘度化合物は、より厚い膜の形成を可能とするために含まれることもある。得られた前駆体溶液は、基板上に堆積され、５０℃／分よりも大きい加熱速度で熱分解され、滑らかな、剪断膜を生成するために結晶化される。１００ｎｍよりも大きい厚さの膜は、４×１０^６A／ｃｍ^２の輸送J_c値を用いて、７７°Kでさまざまな基板上で生成される。 （もっと読む）

【課題】中心周波数と帯域幅を独立して制御可能な超伝導フィルタ装置を提供する。
【解決手段】高周波電気信号に対するフィルタ特性を有する超伝導フィルタ装置（１０）は、第１の主面と第２の主面を有する誘電体基板（１１）と、前記誘電体基板の前記第１の主面に形成され、超伝導体材料を含む共振器パターン（１２）と、前記誘電体基板の前記第２の主面に形成され、開口（１４ａ）を有するグランド層（１４）と、前記第１の主面側で、前記共振器パターンから離間して配置され、前記フィルタ特性を調整する第１の調整部材（２０，２３）と、前記第２の主面側で、前記グランド層の開口位置に設けられ、前記フィルタ特性を調整する第２の調整部材（２５，２６）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】フィルタの使用中に、中心周波数と帯域幅を独立して制御可能なチューナブルフィルタ装置を提供する。
【解決手段】チューナブルフィルタ装置（１）は、誘電体基板（１１）上に共振器パターン（１２）が形成されたフィルタ（１０）と、前記共振器パターンの上方に位置し、前記共振器パターンの伝送特性を調整する調整ロッド（２５）と、前記フィルタ及び前記調整ロッドを収容するとともに、貫通穴（３２Ａ）が設けられた容器（３２）と、前記調整ロッドを前記共振器パターンに対して垂直方向に移動させる位置調整手段（２０）と、を備え、前記調整ロッドと前記位置調整手段の間がワイヤ（２３）で接続され、前記ワイヤが前記貫通穴を通過する。 （もっと読む）

【課題】絶縁バリア層の形成を不要とする新たな超伝導量子干渉素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】超伝導量子干渉素子１０は、リング部１２Ａを有する超伝導体層１２と、この超伝導体層１２のリング部１２Ａの一部を跨いで配設された強磁性層１３，１３と、を有する。２つの強磁性層１３、１３がリング部１２Ａに跨いで被覆している。超伝導体層１２のリング部１２Ａのうち強磁性層１３，１３で被覆した領域１２Ｂ，１２Ｂが、強磁性層１３により超伝導体（Ｓ）から絶縁体（Ｉ）へ転移し、障壁となる。この構造により所謂ＳＩＳ型のジョセフソン接合が２箇所で形成されるため、所謂ＤＣ−ＳＱＵＩＤを構成する。 （もっと読む）

【課題】超伝導フィルタデバイスにおいて、伝送特性を劣化させることなく、超伝導フィルタデバイスの電極と金属パッケージの同軸コネクタの中心導体とを良好にはんだ接合できるようにする。
【解決手段】超伝導フィルタデバイス１を、基板３上に形成された超伝導配線４と、超伝導配線４の入出力線４Ａの端部に形成された電極６Ａと、超伝導配線４の入出力線４Ａの端部近傍の表面及び側面が覆われるように形成された保護膜９とを備えるものとし、超伝導配線４を、インピーダンス整合を取るために保護膜９に覆われた部分に幅が異なる部分４Ｘを有するものとする。 （もっと読む）

【課題】光子との光カップリング性および光吸収性に優れ、これにより、量子効率の大幅な改善が可能な超伝導単一光子検出素子および超伝導単一光子検出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の超伝導単一光子検出素子１００は、基板１０上に配された反射層１１と、伝送線路１５を介してバイアス源に接続され、所定のバイアス電流を流すようにして、超伝導状態で使用されている窒化ニオブ配線１３と、窒化ニオブ配線１３と反射層１１との間に介在しているキャビティ層１２と、窒化ニオブ配線１３上に配された反射防止層１４と、を備え、反射防止層１４を通過した光子Ｐが窒化ニオブ配線１３に入射した際の窒化ニオブ配線１３の抵抗変化に基づいて、光子Ｐを１個ずつ検出するように構成されている。 （もっと読む）