【課題】有毒な重金属を含まず、高いＴｃを有するＢａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ−Ｆ系酸化物超伝導体の薄膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｂａ_２Ｃａ_ｎ−１Ｃｕ_ｎＯ_２ｎ（Ｏ_１−ｘＦ_ｘ）２（ただし、ｎは２≦ｎ≦５の整数、ｘは０＜ｘ＜１の数）からなる酸化物超伝導薄膜１０であって、ＳｒＴｉＯ_３又はＭｇＯの単結晶基板１７の（１００）面３１、（０１０）面又は（００１）面のうちのいずれかの面上に形成された酸化物超電導薄膜。ＳｒＴｉＯ_３又はＭｇＯの単結晶基板の（１００）面、（０１０）面又は（００１）面のうちのいずれかの面上にＢａ_２Ｃａ_ｎ−１Ｃｕ_ｎＯ_２ｎ（Ｏ_１−ｘＦ_ｘ）２（ただし、ｎは２≦ｎ≦５の整数、ｘは０＜ｘ＜１の数）からなる酸化物超伝導薄膜を、パルスレーザーデポジション法により成膜する酸化物超伝導薄膜の製造方法であって、前記単結晶基板の基板温度が７００℃〜７７０℃で成膜する成膜工程を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸化物超電導層の成膜時には制御し難い人工ピンを酸化物超電導層の形成後に導入することができる技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、テープ状の基材の上方に中間層と酸化物超電導層を備えた酸化物超電導導体において前記酸化物超電導層に人工ピンを導入する方法であって、成膜後の酸化物超電導層に加熱急冷処理を施した後、該酸化物超電導層上に人工ピン材料の薄膜を形成し、次いで加熱処理することにより前記薄膜中の人工ピン材料を前記酸化物超電導層に拡散させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物超電導薄膜線材の製造において、結晶配向性の低下やバラツキの発生が抑制された高い結晶配向性を有する酸化物超電導層を形成して、高い超電導特性を有する酸化物超電導薄膜線材を安定して提供する。
【解決手段】配向金属基材上に酸化物超電導薄膜層を設ける際に、配向金属基材と酸化物超電導薄膜層の中間に形成される酸化物超電導薄膜層形成用の中間層であって、表層の結晶ドメインサイズが２５ｎｍ以下である酸化物超電導薄膜層形成用の中間層。前記酸化物超電導薄膜層形成用の中間層の上に形成されている酸化物超電導薄膜層。配向金属基材上に、前記酸化物超電導薄膜層形成用の中間層が形成され、さらに、前記中間層の上に、酸化物超電導薄膜層が形成されている酸化物超電導薄膜線材。前記酸化物超電導薄膜層が塗布熱分解法を用いて作製されている酸化物超電導薄膜線材。 （もっと読む）

【課題】本発明は、優れた超電導特性を発揮する酸化物超電導導体用基材並びにその基材を用いた酸化物超電導導体として有用な技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、基材と、その上に、イオンビームアシスト法により成膜されて結晶配向性が整えられ、４回対称性が付与されたＮｉＯからなる中間層と、該中間層上に形成されたキャップ層とを具備してなり、該キャップ層はその上に酸化物超電導層が設けられるものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】イオンビームアシスト法（ＩＢＡＤ法）により形成される中間層の結晶配向性を高め、かつ、中間層の成膜条件が広範囲となるよう促す特性を有するベッド層を備えた酸化物超電導体用基材及びそれを用いた酸化物超電導導体の提供。
【解決手段】本発明の酸化物超電導導体用基材は、金属基材２１上に、Ｘ_２Ｏ_３酸化物（Ｘは、Ｙｂ、Ｇｄ、Ｈｏ、ＬａまたはＳｍを示す。）、又は、前記Ｘ_２Ｏ_３酸化物とＹ_２Ｏ_３から選択される２種以上が混合された混合酸化物よりなるベッド層２２と、ベッド層２２上にイオンビームアシスト法により成膜された中間層２３とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

ＥＬＲ材料からなる極めて低い抵抗（「ＥＬＲ」）フィルムの動作特性は、ＥＬＲフィルムの適切な表面上に変性材料を堆積して、変性ＥＬＲフィルムを生成することによって改善することができる。本発明のいくつかの実施態様では、ＥＬＲフィルムは、「ｃ−フィルム」の形をとることができる。そのような動作特性は、高温でのＥＬＲ状態での動作、追加の電荷の保持、改善された磁気的性質による動作、改善された機械的性質による動作、またはその他の改善された動作特性を含むことができる。本発明のいくつかの実施態様では、ＥＬＲ材料は、ＹＢＣＯなどであるがこれに限定されない混合原子価酸化銅ペロブスカイトである。本発明のいくつかの実施態様では、変性材料は、クロムなどであるがこれに限定することのない、酸素に容易に結合する伝導性材料である。
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【課題】 多層カーボンナノチューブをより高温で再現性良く超伝導状態にすることができる超伝導素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 多孔質膜２中の細孔２１内に多層カーボンナノチューブが形成されており、当該多層カーボンナノチューブは、その直径が５〜３０ｎｍ、その層数が２〜２０である超伝導素子であって、前記多層カーボンナノチューブが、多層カーボンナノチューブを構成する炭素原子の一部がホウ素原子で置換されたホウ素置換型多層カーボンナノチューブ３である。 （もっと読む）

【課題】超電導機器に電力を供給することができる低熱伝導性でコンパクトな単一の電流リードを提供する。
【解決手段】基板上に中間層を介して積層された超電導層及び安定化層を備えたテープ状のＲｅＢａ_ｘＣｕ_３Ｏ_ｙ系酸化物超電導線材Ａ及びＢを電気的絶縁テープを介して、その基板面を外側にして電流リード支持体１０の外周に同方向に無誘導巻きされるように巻回し、超電導線材Ａの両端末を電流端子１１ａ及び１１ｂの半円板状の部分に半田接続し、同様に超電導線材Ｂの両端末を電流端子１１ｃ及び１１ｄの半円板状の部分に半田接続して酸化物超電導電流リード２０を形成することにより、単一の電流リードで電力を供給することができ、熱伝導量を低減させることができる上、コンパクトで、自己磁界による超電導特性の低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】レーザ蒸着装置に用いる酸化物ターゲットにおいて、その使用限界時間を改善し、安定した成膜を長時間行うことができるレーザー蒸着用酸化物ターゲットの提供。
【解決手段】ターゲットにレーザー光を照射してターゲット表面から酸化物の微粒子を発生させ、該微粒子を基材表面に堆積させ、基材表面に酸化物膜を成膜するレーザ蒸着装置に用いる酸化物ターゲットにおいて、ターゲットの固定プレート上に、Ａｇろう層が接合され、該Ａｇろう層上に酸化物・Ａｇ混合層が接合され、該酸化物・Ａｇ混合層上に酸化物層が接合されてなることを特徴とするレーザー蒸着用酸化物ターゲット。 （もっと読む）

【課題】安定した状態でより高密度に記憶保持が行える超伝導デジタル回路用のメモリ装置を実現する。
【解決手段】ジョセフソン接合ＪＪ₁，ＪＪ₂，ＪＪ₃，ＪＪ₄，ＪＪ₅、コイルＬ₁₂，Ｌ₂₃，Ｌ₃₄，Ｌ₄₅、抵抗Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃（＝Ｒ_M），Ｒ₄，Ｒ₅、電圧端子Ｔ₁，Ｔ₂，Ｔ₃，Ｔ₄，Ｔ₅を備え、所定の電圧が印可される電圧端子Ｔ₃とコイルＬ₂₃及びコイルＬ₃₄の間の接続ノード（第２接続ノード）との間に抵抗Ｒ_M（第２抵抗）が接続し、この接続ノードにジョセフソン接合ＪＪ₃（第３ジョセフソン接合）が接続している。ジョセフソン接合ＪＪ₃は、接続ノードと接地との間に接続されている。 （もっと読む）

【課題】成膜条件の変化に依存せずに、配向性に優れるYBCO系高温超電導体膜を成膜することができる、配向再現性に優れたYBCO系高温超電導体成膜用複合基材を提供するとともに、優れた配向性を有するYBCO系高温超電導体膜の作製方法を提供する。
【解決手段】結晶方位の揃った基材表面にZrまたはZr酸化物が部分的に存在することを特徴とする配向再現性に優れたYBCO系高温超電導体成膜用複合基材、および、該YBＣO系高温超電導体成膜用複合基材を用いて超電導体膜を作製することを特徴とする配向性に優れたYBCO系高温超電導体膜の作製方法。 （もっと読む）

【課題】基盤上の表面平滑性に優れた第１中間層の上に第２中間層及び特性の優れたＹＢＣＯ超電導層を形成する。
【解決手段】２軸配向させたＮｉ―Ｗ合金テープ状基板１の表面に、ＭＯＤ法により複数回の塗布および仮焼を繰り返して成膜した5ｎｍ以下の表面平滑性を有するＡ_２Ｚｒ_２Ｏ_７からなる第１中間層２、パルス蒸着法により成膜したＣｅＯ_２膜からなる第２中間層３、ＭＯＤ法により形成されたＹＢＣＯ超電導層４およびこのＹＢＣＯ超電導層の上にＡｇ安定化層５を成膜して１ＭＡ／ｃｍ^２以上の臨界電流密度（Ｊｃ）を有するＹＢＣＯ超電導体１０を製造する。 （もっと読む）

【課題】ＭｇＯ基板を効率よく均一に加熱し、ＭｇＯ基板の上に酸化物超伝導体薄膜を均一に形成することができる酸化物超伝導体薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】ＭｇＯ基板１０１の裏面に、膜厚３００ｎｍ程度のカーボン層１０２を形成した後、分子線エピタキシー装置に搬入し、カーボン層を輻射加熱することでＭｇＯ基板を均一に加熱し、ＭｇＯ基板の主表面にＮｄ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-d（０≦ｄ≦０．３）からなる酸化物超伝導体薄膜１０４を形成する。次に、カーボン層を除去してＭｇＯ基板の裏面を露出させる。このＭｇＯ基板を、分子線エピタキシー装置の処理室内に搬入し、ＭｇＯ基板に形成されている酸化物超伝導体薄膜を輻射加熱することでＭｇＯ基板を加熱し、ＭｇＯ基板の裏面に、Ｓｍ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-d（０≦ｄ≦０．３）からなる酸化物超伝導体薄膜を、膜厚６００ｎｍ程度に形成する。こうして、ＭｇＯ基板の両面に酸化物超伝導体薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】表面に（１１１）結晶面が存在すると共にＢが高濃度でドープされ、優れた超伝導特性を有する超伝導ダイヤモンド積層膜、デバイス及び製造方法を提供する。
【解決手段】下層ダイヤモンド膜２は、表面がダイヤモンド（１１１）結晶面により構成され、前記表面にダイヤモンドの４角錐状の突起が形成されたものであり、気相合成により形成されている。また、超伝導ダイヤモンド膜４は、下層ダイヤモンド膜２上に積層され、ホウ素が高濃度に、例えば、ホウ素（Ｂ）と炭素（Ｃ）との原子数比（Ｂ／Ｃ）が、５．０％以上にドーピングされている。前記ダイヤモンド粒子は一定方向に配列されている。 （もっと読む）

【課題】ＭｇＯ基板の上に、バリウムと銅とを含む酸化物からなる高品質な高温超伝導薄膜が、再現性よく形成できるようにする。
【解決手段】Ｃａの含有量が１４７ｐｐｍ程度のＭｇＯ基板１０１を用意し、これを酸素雰囲気１０２の中に配置された状態とし、加えて、ＭｇＯ基板１０１に１０００℃・１２時間の加熱処理が行われた状態とする。このことにより、ＭｇＯ基板１０１の表面に形成されている劣化層が除去された状態とする。次に、ＭｇＯ基板１０１を、分子線エピタキシー装置の処理室内に搬入し、基板温度を７００℃とした状態とし、Ｎｄ，Ｂａ，及びＣｕを蒸発源とする分子線エピタキシー法により、ＭｇＯ基板１０１の上にＮｄ₁Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-d（０≦ｄ≦０．３）からなる高温超伝導薄膜１０３が膜厚２５０ｎｍ程度に形成された状態とする。 （もっと読む）

【課題】超伝導ストリップにおけるバッファ層等として使用される薄膜層の形成に関し、双軸の結晶方向を持つ薄膜層の製造方法を提供する。
【解決手段】所望の薄膜層に対応する組成の原子１１をストリップの形状を持つ基板２上に複数回交互に繰り返し積層させ、この措置とは時間的及び空間的に分離した形で、この積層させた原子に、基板に対して所定の角度範囲内の角度（α）に方向を調整した高エネルギービーム１２を照射する。 （もっと読む）

クラックの発生を防止し、かつ面内配向度と方位性等の結晶性並びに表面平滑性に優れた中間層の上に高い臨界電流密度（Ｊｃ）を有するＲＥ系超電導層を形成する。配向性Ｎｉ基板の上に、希土類元素の１種または２種以上を金属含有量で２０〜６０ｍｏｌ％を添加したセリウム系酸化物からなる中間層をＭＯＤ法により形成し、この酸化物層上にＭＯＤ法により高いＪｃを有するＲＥ系超電導層を形成する。上記の中間層は、Ｃｅの有機金属化合物溶液に、Ｇｄ、Ｙ及び／またはＹｂの各有機金属化合物溶液を混合した混合溶液を配向Ｎｉ基板上に塗布して塗膜を形成した後、仮焼熱処理を施し、Ａｒ−Ｈ２の雰囲気中で９５０〜１１５０℃の温度で、５０〜５００Ｐａの圧力下で焼成を行うことにより形成する。この中間層の上にＴＦＡ−ＭＯＤ法によりＹＢＣＯ超電導層を形成する。
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【課題】ＲＥＳｃＯ₃（ＲＥは、Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｙの少なくとも１つ）からなる単結晶基板の、最適な表面処理方法を提供する。
【解決手段】ＤｙＳｃＯ₃の単結晶基板を用意し、用意した単結晶基板を空気中もしくは酸素ガスを流している雰囲気で８００〜１３００℃に加熱する。加熱処理の時間は、１〜１００時間であればよい。次に、加熱処理したＤｙＳｃＯ₃単結晶基板をメタノールを溶媒とした硝酸溶液に浸漬してエッチング処理がされた状態とする。 （もっと読む）