ＥＬＲ材料からなる極めて低い抵抗（「ＥＬＲ」）フィルムの動作特性は、ＥＬＲフィルムの適切な表面上に変性材料を堆積して、変性ＥＬＲフィルムを生成することによって改善することができる。本発明のいくつかの実施態様では、ＥＬＲフィルムは、「ｃ−フィルム」の形をとることができる。そのような動作特性は、高温でのＥＬＲ状態での動作、追加の電荷の保持、改善された磁気的性質による動作、改善された機械的性質による動作、またはその他の改善された動作特性を含むことができる。本発明のいくつかの実施態様では、ＥＬＲ材料は、ＹＢＣＯなどであるがこれに限定されない混合原子価酸化銅ペロブスカイトである。本発明のいくつかの実施態様では、変性材料は、クロムなどであるがこれに限定することのない、酸素に容易に結合する伝導性材料である。
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【課題】配向基板上に高速、安価で容易にエピタキシャル薄膜を成長させる。
【解決手段】配向基板上に、燃焼化学蒸着法（ＣＣＶＤ）などを用いてペロブスカイト系誘電層を形成する。ＣＣＶＤ装置１００の供給端１０２に供給される前駆物質は、別の供給口１０６から供給される酸素と反応し、生成物を基板Ｓに堆積させる。コンデンサにおける誘電体としては、ＭｇＯ単結晶基板を用い、有機金属化合物を前駆物質としてＳｒＴｉＯ_３を形成するほか、ＢａＳｒＴｉＯ_３形成技術などを得る。 （もっと読む）

【課題】ホウ化マグネシウム超伝導体の微細パターンの作製方法において、超伝導特性の劣化を抑制すること。
【解決手段】結晶基板１０１の上に、電子線レジストからなる微細パターン１０２を形成する（図１（ａ））。次に、微細パターン１０２の上に、室温においてアモルファス状炭素１０３及びアモルファス状珪素１０４を蒸着する（図１（ｂ））。その後、電子線レジストの微細パターン１０２をリフトオフして、炭素および珪素からなる微細パターン１０６を形成する（図１（ｃ））。次に、微細パターン１０６を設けた基板１０１の上にホウ化マグネシウム１０５を蒸着する（図１（ｅ））。ここで、蒸着時の基板温度は２８０℃であることが好ましい。最後に、ホウ化マグネシウム１０５が形成された基板１０１の超音波洗浄を行うことにより微細パターン１０６をリフトオフして、ホウ化マグネシウム１０５の微細パターンを得る（図１（ｆ））。 （もっと読む）

【課題】 超伝導配線表面における欠陥準位を多数含む表面酸化膜の形成を抑制することで、高周波損失が少なく、電荷雑音および磁気雑音の少ない超伝導配線を提供する。
【解決手段】 超伝導配線層を表面が酸化されない金属からなる常伝導金属層で被覆する。超伝導層と常伝導金属層の界面には酸化膜等電子の伝導を妨げるものがない清浄界面とし、常伝導金属層は超伝導近接効果により超伝導体中のクーパー対が常伝導金属中へ滲みだす特徴的な長さスケールであるコヒーレント長よりも十分薄くする。 （もっと読む）

【課題】高い臨界面電流を実現できる超伝導酸化物薄膜、および大きな耐電力性を持った超伝導部材の提供。
【解決手段】サファイアＲ面基板上に形成された、酸化物からなるバッファ層と、さらにその上に形成された超電導超伝導層とを具備してなる超電導超伝導部材であって、前記酸化物の酸素原子同士の最近接酸素間の距離と、酸化物の粒塊の粒径が特定された超電導超伝導部材とその製造方法。この超伝導部材は超伝導フィルターの部材として用いることができる。 （もっと読む）

【課題】光子との光カップリング性および光吸収性に優れ、これにより、量子効率の大幅な改善が可能な超伝導単一光子検出素子および超伝導単一光子検出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の超伝導単一光子検出素子１００は、基板１０上に配された反射層１１と、伝送線路１５を介してバイアス源に接続され、所定のバイアス電流を流すようにして、超伝導状態で使用されている窒化ニオブ配線１３と、窒化ニオブ配線１３と反射層１１との間に介在しているキャビティ層１２と、窒化ニオブ配線１３上に配された反射防止層１４と、を備え、反射防止層１４を通過した光子Ｐが窒化ニオブ配線１３に入射した際の窒化ニオブ配線１３の抵抗変化に基づいて、光子Ｐを１個ずつ検出するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】高温超伝導体層又はフィルムの製造において、実用のための充分に高い電流容量を達成すること。
【解決手段】本発明は、基板、高温超伝導体層及び少なくとも１つのバッファー層を含む被覆された伝導体であって、前記バッファー層の少なくとも１つが高温超伝導体層を二軸配向するためのテンプレートであり、このテンプレートは公称化学式Ａ_2-xＢ_2+xＯ₇（ここで、ＢはＺｒ、Ｈｆ、Ｓｎ、Ｐｂ及びＴｉから選択される少なくとも１種であり；ＡはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選択される少なくとも１種であり；ｘは０以外である）を有する不定比材料から成る多結晶質フィルムから構成され、前記基板が組織化されている、前記の被覆された伝導体に関する。 （もっと読む）

【課題】高いＪ_Ｃおよび高いＩ_Ｃ等の優れた特性と、低コスト化の実現とを両立することが可能な超電導薄膜材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】超電導薄膜材料１は、金属配向基板１０と、金属配向基板１０上に形成された酸化物超電導膜３０とを備え、酸化物超電導膜３０は、物理蒸着法により形成された物理蒸着ＨｏＢＣＯ層３１と、物理蒸着ＨｏＢＣＯ層３１上に有機金属堆積法により形成された有機金属堆積ＨｏＢＣＯ層３２とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】臨界電流値を向上することのできる超電導薄膜材料の製造方法、超電導機器、および超電導薄膜材料を提供する。
【解決手段】超電導薄膜材料の製造方法は、気相法により超電導層３を形成する気相工程と、超電導層３に接するように、液相法により超電導層４を形成する液相工程とを備えている。超電導層３と金属基板１との間に中間層２を形成する工程がさらに備えられていることが好ましい。金属基板１は金属よりなっており、かつ中間層２は岩石型、ペロブスカイト型、またはパイロクロア型のいずれかの結晶構造を有する酸化物よりなっており、かつ超電導層３および超電導層４はいずれもＲＥ１２３系の組成を有していることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】機械的強度に優れ、サブミリ波帯受信に有用な超伝導素子などの薄層デバイスの作成方法を提供する。
【解決手段】ＭｇＯ仮基板上にＮｂＮ／ＭｇＯ／ＮｂＮ−ＳＩＳ接合からなる多層構造体を形成し、該多層構造体上に基板としてＳｉＯ₂を形成し、ついでエッチングにより前記ＭｇＯ仮基板を除去することで薄層デバイスを作成する。本発明の方法により作成した超伝導素子（薄層デバイス）は、性能に優れ、かつ機械的強度が高いため、サブミリ波用導波管への導入も容易である。 （もっと読む）

【課題】ＭｇＯ基板を効率よく均一に加熱し、ＭｇＯ基板の上に酸化物超伝導体薄膜を均一に形成することができる酸化物超伝導体薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】ＭｇＯ基板１０１の裏面に、膜厚３００ｎｍ程度のカーボン層１０２を形成した後、分子線エピタキシー装置に搬入し、カーボン層を輻射加熱することでＭｇＯ基板を均一に加熱し、ＭｇＯ基板の主表面にＮｄ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-d（０≦ｄ≦０．３）からなる酸化物超伝導体薄膜１０４を形成する。次に、カーボン層を除去してＭｇＯ基板の裏面を露出させる。このＭｇＯ基板を、分子線エピタキシー装置の処理室内に搬入し、ＭｇＯ基板に形成されている酸化物超伝導体薄膜を輻射加熱することでＭｇＯ基板を加熱し、ＭｇＯ基板の裏面に、Ｓｍ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-d（０≦ｄ≦０．３）からなる酸化物超伝導体薄膜を、膜厚６００ｎｍ程度に形成する。こうして、ＭｇＯ基板の両面に酸化物超伝導体薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】ＭｇＯ基板の上に、バリウムと銅とを含む酸化物からなる高品質な高温超伝導薄膜が、再現性よく形成できるようにする。
【解決手段】Ｃａの含有量が１４７ｐｐｍ程度のＭｇＯ基板１０１を用意し、これを酸素雰囲気１０２の中に配置された状態とし、加えて、ＭｇＯ基板１０１に１０００℃・１２時間の加熱処理が行われた状態とする。このことにより、ＭｇＯ基板１０１の表面に形成されている劣化層が除去された状態とする。次に、ＭｇＯ基板１０１を、分子線エピタキシー装置の処理室内に搬入し、基板温度を７００℃とした状態とし、Ｎｄ，Ｂａ，及びＣｕを蒸発源とする分子線エピタキシー法により、ＭｇＯ基板１０１の上にＮｄ₁Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-d（０≦ｄ≦０．３）からなる高温超伝導薄膜１０３が膜厚２５０ｎｍ程度に形成された状態とする。 （もっと読む）

【課題】表面に（１１１）結晶面が存在すると共にＢが高濃度でドープされ、優れた超伝導特性を有する超伝導ダイヤモンド積層膜、デバイス及び製造方法を提供する。
【解決手段】下層ダイヤモンド膜２は、表面がダイヤモンド（１１１）結晶面により構成され、前記表面にダイヤモンドの４角錐状の突起が形成されたものであり、気相合成により形成されている。また、超伝導ダイヤモンド膜４は、下層ダイヤモンド膜２上に積層され、ホウ素が高濃度に、例えば、ホウ素（Ｂ）と炭素（Ｃ）との原子数比（Ｂ／Ｃ）が、５．０％以上にドーピングされている。前記ダイヤモンド粒子は一定方向に配列されている。 （もっと読む）

【課題】製品が77 K、ゼロ磁場で約10⁵ A/cm²より大きい、もしくはこれに等しい輸送臨界電流密度（J_c）を有する、基板上に沈着された0.8ミクロンより大きい厚さを有する酸化物超伝導体被膜を有する酸化物超伝導体製品を提供する。
【解決手段】酸化物超伝導体製品は、金属オキシフッ化物被膜が実質的に化学量論的比率で酸化物超伝導体の構成金属元素を含む、金属オキシフッ化物被膜を提供すること；および製品が77 K、ゼロ磁場で約10⁵ A/cm²より大きい、もしくはこれに等しい輸送臨界電流密度を有する酸化物超伝導体被膜が得られるように、温度、P_H2O、P_O2、及びその組み合わせからなる群より選択される反応パラメータを調節することによって選択される変換速度で、金属オキシフッ化物を酸化物超伝導体に変換すること、によって調製される。 （もっと読む）

【課題】 本願発明は、Bi酸化物超電導体を用いて高性能な積層型ジョセフソン接合を得るために、結晶性の良いa軸（又はb軸）配向したBi系酸化物超電導薄膜を作製することを目的とする。
【解決手段】 結晶性の良いa軸配向したBi系酸化物超電導薄膜の作製方法は、初めに(110)面のLaSrAlO4の単結晶基板等を使い、基板上に低い成膜温度T1でa軸配向したBi-2223薄膜あるいはBi-2201薄膜をヘテロエピタキシャル成長させ、次にその成長した膜の上に高い成膜温度T2でホモエピタキシャル成長させる（二温度成長法）。通常、直接基板上に高い温度T2で成膜をするとc軸配向したBi-2223薄膜あるいはBi-2201薄膜が成長してしまうが、このように、あらかじめベースにa軸配向したBi-2223薄膜あるいはBi-2201薄膜を成長させておくことにより、基板温度を上げて成膜してもc軸配向膜ができることがなく、結晶性が良いa軸配向したBi-2223薄膜あるいはBi-2201薄膜が作製できる。 （もっと読む）