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Fターム[4M113CA11]の内容

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【課題】本発明の技術的課題は、異種結晶(超伝導特性を示さない結晶)の析出量が少なく、短時間の処理でBi系超伝導結晶を析出させ得る超伝導材料の製造方法を創案することである。
【解決手段】本発明の超伝導材料の製造方法は、組成として、モル%表記で、Bi 10〜40%、CaO 10〜40%、CuO 25〜65%を含有する非晶質材料を、Sr含有化合物を含む融液に接触させる工程を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】下部電極を大きくすることなく、より多くのフォノンを下部電極に到達させてフォトンの検出効率を向上できる超伝導トンネル接合検出器を提供する。
【解決手段】超伝導トンネル接合検出器において、基板11の上面には、下部電極31、トンネルバリア33及び上部電極35が順に積層されてなる超伝導トンネル接合素子13が設けられ、基板11内で発生したフォノンに基づいてフォトンを検出する。基板11の上面には下部電極31を囲むように金属膜12が埋め込まれている。これにより、基板11内で発生して基板11内を伝播するフォノンの拡散が低減され、より多くのフォノンが下部電極31に到達してフォトンの検出効率が向上する。 (もっと読む)


【課題】超伝導電極層としてMgB2、接合部にInGaAsチャネル層を用い、第三電極を用いて超伝導電流を制御する半導体結合超伝導三端子素子において、超伝導電極層の成長時のMgのInGaAsチャネル層への拡散を抑制し、接合特性を改善した半導体結合超伝導三端子素子を提供することにある。
【解決手段】超伝導電流のチャネル層となるInGaAs層とソース電極となる第1のMgB2超伝導電極層及びドレイン電極となる第2のMgB2超伝導電極層とその二つの超伝導電極間のInGaAs層中に流れる超伝導電流を制御する第三電極とを有する半導体結合超伝導三端子素子において、MgB2超伝導電極層1,2とInGaAsチャネル層6との層間にAu層6が挿入された。 (もっと読む)


【課題】配向性の良好な超伝導結晶を連続的に形成できるBi系ガラス材料及び及び超伝導材料の製造方法を提案する。
【解決手段】Bi系ガラスのガラス組成として、下記酸化物基準のモル%で、Bi10〜50%、SrO30〜60%、CaO5〜30%、CuO0〜10%を含有することを特徴とする。また、超伝導材料の製造方法は、銅又は銅合金の表面に、上記のBi系ガラスを接触させた状態で熱処理し、超伝導結晶を析出させることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】2バンド超伝導体を代表とする多バンド超伝導体において、ドメイン構造をとることが困難であり、ドメイン壁を薄くするために、ドメイン壁の生成エネルギーを大きくするとドメイン壁が作りづらいという問題があった。ドメイン壁を超伝導体内に発生せしめて、磁束のピン止めの向上と、ドメイン壁を使った情報処理技術を提供することを目的とする。
【解決手段】バンド間位相差の2πの周期で変動するポテンシャルと、π以下で変動するポテンシャルを拮抗せしめ、それによって、多バンド超伝導体の中に、時間対称性の破れを生じさせ、ドメイン壁の薄いドメイン構造を有する多バンド超伝導体を実現する。 (もっと読む)


【課題】磁束揺らぎに対して敏感な超伝導回路に使用される超伝導配線では、磁束雑音を抑制することが必要であり、超伝導磁気センサの測定雑音限界の改善や超伝導量子ビット回路における磁束雑音を抑制し、超伝導量子ビット回路の量子コヒーレンス向上に寄与する超伝導配線、磁束雑音の抑制方法、磁束センサ及び超伝導量子ビット回路を提供する。
【解決手段】超伝導配線の超伝導体層101の上下表面及び端面を磁気秩序層として機能する反強磁性絶縁体層102または強磁性絶縁体層で被覆した。 (もっと読む)


【課題】 多層カーボンナノチューブをより高温で再現性良く超伝導状態にすることができる超伝導素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 多孔質膜2中の細孔21内に多層カーボンナノチューブが形成されており、当該多層カーボンナノチューブは、その直径が5〜30nm、その層数が2〜20である超伝導素子であって、前記多層カーボンナノチューブが、多層カーボンナノチューブを構成する炭素原子の一部がホウ素原子で置換されたホウ素置換型多層カーボンナノチューブ3である。 (もっと読む)


【課題】 多層カーボンナノチューブと少なくとも同程度の高温で超伝導状態となることができる超伝導膜構造及びその作製方法の提供。
【解決手段】超伝導膜構造は、基板上に複数の単層カーボンナノチューブからなるカーボンナノチューブ膜が形成されてなる超伝導膜構造であって、前記単層カーボンナノチューブが、前記単層カーボンナノチューブを構成する炭素原子の一部がホウ素原子で置換されたホウ素置換型単層カーボンナノチューブである。 (もっと読む)


【課題】従来のHTS-SQUID2次元アレー作製方法では素子を構成するジョセフソン接合に
おける特性の不均一性に問題があった。
【構成】(1)Bi系高温超伝導単結晶を劈開し、清浄面を出す工程、(2)還元処理によ
り、該単結晶全体を絶縁体、常伝導体もしくは弱超伝導体にする工程、(3)酸化処理に
より、該絶縁体、常伝導体もしくは弱超伝導体の表面のみ超伝導を復活させ超伝導体層に
する工程、(4)フォトリソグラフィー加工で、(3)で作製した超伝導層のab面におけ
る全面積の40〜60%を、c軸方向に超伝導層が2〜40nm残るように直角に削り取り露出面を
形成する工程、(5)等方的な還元処理により、(4)で作製した超伝導層の露出面のみ
を絶縁体にし、絶縁体層を形成する工程、(6)方向性のある酸化処理により、(5)で
作製した絶縁体層のみを超伝導体層にする工程、からなることを特徴とする面内型ジョセ
フソン接合の形成法。 (もっと読む)


【課題】バルクレベルで超伝導状態となる新規な材料系を提供する。
【解決手段】超伝導薄膜101は、アモルファス状態の炭素よりなる基質111と、基質111の中に局所的に形成されたsp2混成軌道による結合(sp2結合)の部分からなる微細な複数のナノグラファイト(超伝導領域)112と、基質111の中に局所的に形成されたsp3混成軌道による結合(sp3結合)の部分からなる微細な複数のナノダイアモンド113とを備える。隣り合うナノグラファイト112は、超伝導近接効果を示す距離離間して形成されている。 (もっと読む)


【課題】カーボンナノチューブを用いた超伝導三端子素子がより容易に製造できるようにする。
【解決手段】シリコンからなる基板101の上に所定の間隔をあけて設けられたコバルト珪化物から構成された超伝導ソース電極102a及び超伝導ドレイン電極102bと、これらの間に架橋するように形成されたカーボンナノチューブ103と、この上に配置されたゲート電極105とにより、超伝導三端子素子を構成する。 (もっと読む)


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