説明

Fターム[4M113CA16]の内容

超電導デバイスとその製造方法 (1,906) | 超電導材料 (429) | 金属 (154) | 材料 (153) | 化合物 (59)

Fターム[4M113CA16]の下位に属するFターム

Fターム[4M113CA16]に分類される特許

1 - 20 / 32


【課題】 超電導素子に電磁波を効率よく吸収させることができる超電導電磁波測定器を提供する。
【解決手段】 超電導電磁波測定器1は、電磁波31を内部に入射させることができる入射窓3を有する断熱容器2と、この断熱容器2内に設けられ、入射窓3と対向する面に凹形状部5dを形成する素子基板5と、この素子基板4の凹形状部5dの表面に形成される超電導素子6と、この超電導素子6の両端に電極を接続して超電導素子6の抵抗の変化を測定する抵抗測定装置8とを備える。 (もっと読む)


【課題】光検出効率が低いという従来技術における課題を解消し、偏波依存性が小さく、高い光検出効率を有する超伝導光検出素子を提供する。
【解決手段】超伝導光検出素子は、複数のメアンダ(蛇行、雷文、ジクザク)形状の超伝導細線を、結晶基板の表裏、あるいは絶縁膜や接着剤を介して互いに近接かつ細線の方向が互いに直角となるように設置する。この配置構成により、最初のメアンダ細線に直角な偏波を有するため検出されなかった光子は、次のメアンダ細線とは平行な偏波を有するために検出可能となる。すなわち、任意の光子は互いに直角な直線からなる偏波に分解することが可能なため、任意の偏波を有する光子について検出可能となる。また、この配置構成により、偏波による取りこぼしがなくなるため、偏波依存性は小さくなり、光検出効率は従来例に比べて2倍程度向上することができる。 (もっと読む)


【課題】電流を駆動するための構造を用いることなしに、原子の閉じ込めが行えるようにする。
【解決手段】超伝導材料から構成されて貫通孔101aを有する捕捉部101と、捕捉部101を超伝導転移温度以下に冷却する冷却部102と、捕捉部101に均一な第1磁場131を印加する磁場印加部103を備える。捕捉部101を超伝導転移温度以下に冷却し、捕捉対象の原子を捕捉部近傍101に配置した後、閉プール状の捕捉部101の貫通孔101aを貫く第1磁場131を印加し、上記原子を捕捉部101の近傍に捕捉する (もっと読む)


本発明は、低雑音冷却装置を提供する。この冷却装置は、外部容器及び内部容器を含み、外部容器と内部容器との間は、真空状態の断熱層を形成し、内部容器は、液体冷媒を含むデュア、内部容器の内部に配置され、液体冷媒に浸る事前磁化コイル、液体冷媒に浸るピックアップコイル、及びピックアップコイルに電気的に連結され、液体冷媒に浸るSQUIDを含む。事前磁化コイルは、超伝導体で形成される。
(もっと読む)


ELR材料からなる極めて低い抵抗(「ELR」)フィルムの動作特性は、ELRフィルムの適切な表面上に変性材料を堆積して、変性ELRフィルムを生成することによって改善することができる。本発明のいくつかの実施態様では、ELRフィルムは、「c−フィルム」の形をとることができる。そのような動作特性は、高温でのELR状態での動作、追加の電荷の保持、改善された磁気的性質による動作、改善された機械的性質による動作、またはその他の改善された動作特性を含むことができる。本発明のいくつかの実施態様では、ELR材料は、YBCOなどであるがこれに限定されない混合原子価酸化銅ペロブスカイトである。本発明のいくつかの実施態様では、変性材料は、クロムなどであるがこれに限定することのない、酸素に容易に結合する伝導性材料である。
(もっと読む)


【課題】ホウ化マグネシウム超伝導体の微細パターンの作製方法において、超伝導特性の劣化を抑制すること。
【解決手段】結晶基板101の上に、電子線レジストからなる微細パターン102を形成する(図1(a))。次に、微細パターン102の上に、室温においてアモルファス状炭素103及びアモルファス状珪素104を蒸着する(図1(b))。その後、電子線レジストの微細パターン102をリフトオフして、炭素および珪素からなる微細パターン106を形成する(図1(c))。次に、微細パターン106を設けた基板101の上にホウ化マグネシウム105を蒸着する(図1(e))。ここで、蒸着時の基板温度は280℃であることが好ましい。最後に、ホウ化マグネシウム105が形成された基板101の超音波洗浄を行うことにより微細パターン106をリフトオフして、ホウ化マグネシウム105の微細パターンを得る(図1(f))。 (もっと読む)


【課題】
本発明は、従来の概念では想起し得なかった構造を持つ超電導デバイスを提供するものである。
【解決手段】
本発明の超電導素子は、導電性材料からなる導電部材と、この表面を被覆する絶縁性材料からなる被覆層と、この被覆層中に埋め込まれている超導電性材料からなる多数のナノ細線からなり、前記ナノ細線の一端が前記導電部材に電気的に接続され、他端が前記被覆層中に埋没されてなることを特徴とする。
本発明は、前記の超電導素子において、前記ナノ細線が、幹より多数の枝が分岐されてなる樹木状であることを特徴とし、前記の超電導素子において、前記超導電性材料がMgBであり、絶縁性材料がMgOであることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】電流を駆動するための構造を用いることなしに、原子の閉じ込めが行えるようにする。
【解決手段】原子捕捉装置は、超伝導材料から構成されて平板上に形成された捕捉部101と、捕捉部101を超伝導転移温度以下に冷却する冷却部102と、捕捉部101に均一な磁場131を印加する磁場印加部103とを備える。冷却部102を動作させて捕捉部101の冷却し、捕捉部101を超伝導転移温度以下に冷却したら、磁場印加部103により捕捉部101に均一な磁場を印加する。この磁場の印加により、超伝導体である捕捉部101には、マイスナー効果により内部に磁場を浸入させないようにマイスナー電流が誘起される。これにより、捕捉部101においては、表面から法線方向および捕捉部101の中央部から周辺方向に向けて磁場の強さが増加する不均一な磁場が形成される。 (もっと読む)


【課題】電磁放射線用の検出装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】電磁放射線用の検出装置は、該放射線を吸収する少なくとも一つの吸収膜を備える。該吸収膜は、窒化タングステン(WN)で形成されて窒素に対するタングステンの化学量論比が2に等しい吸収層(4)により形成される。 (もっと読む)


【課題】温度を一定に保持したまま超伝導体から絶縁体へ遷移する超伝導体を用いた圧力検出装置を提供する。
【解決手段】圧力検出装置30は、超伝導体から絶縁体へ遷移する臨界圧力が相互に異なる複数の超伝導体薄膜11〜14のうち、絶縁体へ遷移した超伝導体薄膜12〜14を電流計242,252,262によって検出し、その検出した超伝導体薄膜12〜14の臨界圧力のうち、最大の臨界圧力を容器10内の圧力として検出する。 (もっと読む)


【課題】超高感度な超伝導量子干渉素子を提供する。
【解決手段】磁束を捕捉するための領域5を開けた二次元電子ガス3に超伝導体電極1,2を接続することにより、超伝導体−二次元電子ガス−超伝導体接合を超高感度な超伝導量子干渉素子として利用することができる。また、ゲート電極4を備える。これにより、超伝導量子干渉素子の臨界電流値ICや抵抗値RNを可変することができる。 (もっと読む)


【課題】Rashbaスピン軌道相互作用とキャリア経路の分岐により、キャリアスピン上向き下向きを制御することを可能とし、さらにスピン偏極度に依存して、ドレイン電流が流れる超伝導接合を用いることにより、ドレイン電流の大きさをゲート電極で制御するスピントランジスタを実現する。
【解決手段】強磁性体電極(ソース)101と、超伝導体電極(ドレイン)102と、第1ゲート電極103と、第2ゲート電極104と、ゲートコンタクト層105と、2次元電子ガスが形成されているチャネル層106と、スペーサ層107と、キャリア供給層108と、バッファ層109と、基板110とを備えて、Rashbaスピン軌道相互作用とキャリア経路の分岐により、キャリアスピン上向き下向きを制御することを可能とするゲート電極と、超伝導体により形成されたドレイン電極を用いることにより、スピン偏極度によりドレイン電流が制御可能である。 (もっと読む)


【課題】原子の閉じ込めをより効率的に行えるようにする。
【解決手段】凸部102を備える基板101と、凸部102を含めた基板101の表面に形成され超伝導体薄膜103と、凸部102の上に形成されることで超伝導体薄膜103に形成された段差部104と、超伝導体薄膜103の段差部104に形成された開口部105と、超伝導体薄膜103の開口部105が形成されている部分の凸部102が除去された除去領域106とを備えている。超伝導体薄膜103の段差部104に形成された開口部105においては、開口部105の縁の部分に、3次元的な構造のループ回路が形成された状態となっている。 (もっと読む)


本明細書で例示的に記述した超電導体は、超電導材料を含み、この超電導材料は、その内部に形成された磁性不純物と非磁性無秩序性とを含む。本明細書で記述した超電導体は、磁石用途及び送電に使用するのに適している。

(もっと読む)


【課題】コンパクトで、周波数特性の調整が容易で、高い耐電力特性を有する超電導フィルタを提供する。
【解決手段】給電部を有する誘電体材料からなる誘電体基板2と、誘電体基板2内に配置されたバルク状の超電導体1と、誘電体材料からなる誘電体ロッド4と、超電導体1と誘電体ロッド4との間の相対的位置を変化させるロッド上下用トリマー5とを有する超電導フィルタである。 (もっと読む)


【課題】室温超伝導体を開発するための有力な方策は、これまでとは異なる視点から材料
を見つめ、新たな超伝導化合物を見出し、超伝導化合物の系を拡げていくことである。
【解決手段】化学式[Ca24Al2864]4+・2[xO2−+2yA+2{1−(x+2y)
}e] (Aはケージに包接された、OH、O又はOのいずれか1種以上、0≦
x+2y≦0.5)で示されるマイエナイト型結晶構造を有する化合物であることを特徴
とする化合物超伝導体。化学式が[Ca24Al2864]4+・2[xO2−+2yA] (Aは
ケージに包接された、OH、O又はOのいずれか1種以上、0≦x≦1、y=1
−x) で示されるマイエナイト型結晶構造を有する化合物を磁性イオンが含有されない方
法で調製し、該化合物のケージに包接されたO2−及びAの合計(x+2y)の50原子
%以上を電子で置換することにより作成できる。 (もっと読む)


【課題】配線が配置された基板表面近傍においても、原子の強い閉じ込めを安定した状態でできるようにする。
【解決手段】まず、冷却部171により、原子捕捉素子を上記Tc以下まで冷却し、次に、レーザ照射部162からのレーザ照射により、加熱領域152を加熱して上記Tc以上にまで昇温し、当該部分を常伝導状態とする。次に、原子を捕捉しているQMT173を、原子捕捉素子の捕捉領域151の上に移動させ、この状態で、端子131及び端子132の間に電流を流して超伝導開回路103に電流が流れた状態とし、加えて、外部磁場発生部160より磁場161を発生させて捕捉領域151に外部からバイアス磁場が印加された状態とする。次に、レーザ照射部162からのレーザ照射を停止し、加熱領域152の加熱状態を停止し、超伝導閉回路102の全体が超伝導(超伝導閉回路)にされた状態とする。 (もっと読む)


【課題】時間分解能が高い中性子検出装置を提供する。
【解決手段】基板と、この基板の表面に設けられた超伝導材料で構成されるストリップラインと、このストリップラインの両端にそれぞれ設けられた電極部とを有する中性子検出素子2と、中性子検出素子2のストリップラインの抵抗値の変化を表す信号を出力する検出回路3と、所定の目標バイアス電流を中性子検出素子2に供給する電源4と、中性子検出素子2の目標バイアス電流での抵抗−温度特性における、温度変化に対する抵抗変化が最も大きい温度領域内の温度を目標温度として、中性子検出素子2の温度制御を行う温度制御装置5と、を有する。 (もっと読む)


【課題】超伝導物質である二硼化マグネシウムを用い、電流電圧特性としてRSJ特性を有する積層型の積層型超伝導接合を提供する。
【解決手段】積層型超伝導接合は、サファイアからなる基板1上に形成された二硼化マグネシウム(MgB)層からなる下部電極2と、下部電極2上に形成された窒化アルミニウム(AlN)層からなる絶縁層3と、絶縁層3上に形成されたアルミニウム(Al)層からなる導体層4と、導体層4上に形成された二硼化マグネシウム(MgB)層からなる上部電極5とを備える。積層型超伝導接合は、その電流電圧特性としてRSJ特性を備える。絶縁層3の膜厚が0.64nmであり、導体層4の膜厚が50nmである。 (もっと読む)


【課題】二ホウ化マグネシウム(=MgB)を含有する超伝導素子を提供すること。
【解決手段】この超電導素子は、金属マトリックス(2)に密閉されかつ少なくとも1つの高導電性オーム素子(4)も有する5〜500ミクロンの大きさの少なくとも1つの超伝導フィラメント(1)を備え、超伝導フィラメントは、マトリックス(2)及び導電性オーム素子(4)から保護金属層(3)によって分離され、超伝導フィラメントは、ホウ素(B)粉末及びマグネシウム(Mg)粉末と第1の添加剤としての炭化ホウ素(=BC)粉末との間の反応によって形成され、1つ又は複数の追加の炭素含有粉末添加剤が、Mg、B及びBCを含む粉末混合物の反応で存在することを特徴とする。MgBに対する粉末混合物の反応は、500〜760℃の温度で行われ、760℃以下の温度で臨界電流密度Jが最大になる。 (もっと読む)


1 - 20 / 32