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Fターム[4M113CA45]の内容

超電導デバイスとその製造方法 (1,906) | 超電導材料 (429) | 臨界温度 (78) | 水の融点以上と記載されているもの (2)

Fターム[4M113CA45]に分類される特許

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【課題】非導電体を焼結又は形成することなく、超伝導体を製造する方法を提供するものである。
【解決手段】格子振動をする導体原子に対して、フェムト秒パルスレーザーを照射する第1パルスレーザーと、原子に対して180度反対方向からも上記第1パルスレーザーに対して、同位相のフェムト秒パルスレーザーを照射する第2パルスレーザーとからなる一対のフェムト秒パルスレーザーを導体原子に照射し格子振動を減衰させることによる、超電導体の形成方法である。 (もっと読む)


【課題】2つのトンネル接合の間に配設されたアイランドの静電電位を変化させることにより動作するトランジスタ。
【解決手段】本トランジスタは、バンド・ギャップを有するアイランド26、ソース・コンタクト28及びドレイン・コンタクト30が設けられ、アイランド26とドレイン30間に第1のトンネル接合障壁36を有する。アイランドは、トランジスタの他の部分及び基板からオーム的に分離される。ゲート電圧によりアイランドの電位が変化するように、ゲート電極24がアイランド26に容量結合される。本トランジスタはn型及びp型実施形態を有する。動作時、正のゲート電圧を印加するとアイランドの伝導帯が降下し、負のゲート電圧印加で価電子帯が上昇する。伝導帯又は価電子帯がソース及びドレインのフェルミ準位と整合している時、トンネル効果電流がソース、アイランド及びドレインの間を通ることができる。 (もっと読む)


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