説明

Fターム[4M118AA05]の内容

固体撮像素子 (108,909) | 目的、効果 (8,919) | 偽信号抑制 (2,039)

Fターム[4M118AA05]に分類される特許

1 - 20 / 2,039








【課題】同一レイヤに成膜された後、複数回のエッチングにより形成された導電性被加工物を、下地層に段差を作ることなく、異なる電位に固定する。
【解決手段】同一レイヤに成膜された後、複数回のエッチングにより線状に形成された導電性被加工物を備え、導電性被加工物は、自身を電気的に分断する2以上の分断部分を有し、分断部分における導電性被加工物は、その一部が平行になるように形成されており、平行に形成された部分の少なくとも一方は分断されている。複数回のエッチングに用いられるレジストパターンのうちの、所定回数目のエッチングに用いられる第1のレジストパターンと、他の回数目のエッチングに用いられる第2のレジストパターンとが重なる領域の、平行に形成された部分に対応する箇所の幅は、エッチングによる導電性被加工物の後退量より小さい。本技術は、半導体装置に適用することができる。 (もっと読む)


【課題】裏面照射型イメージセンサチップの金属遮蔽層およびその製造方法を提供する。
【解決手段】前面側および裏面側を有する半導体基板26と、前記半導体基板26の表面に配置され、前記半導体基板26の裏面側より光信号62を受けるように構成され、前記光信号62を電子信号に変換する第1感光デバイス24Bと、前記半導体基板26の裏面側に配置され、窒素および金属の化合物を含む非晶質接着層50、および前記半導体基板の裏面側上に配置され、前記非晶質接着層50に接触する金属遮蔽層52を含む。 (もっと読む)


【課題】チップサイズパッケージ製造工程中のCMOSイメージセンサ用ウエハとガラスウエハを貼りあわせにおいて、パターン形成された接着剤が流れ出し、イメージセンサ面への接着剤の付着を防止し、イメージセンサ面ギリギリまで接着剤にて埋め、合わせて遮光性を付加した方法を提供する。
【解決手段】CMOSイメージセンサが多面付け形成されたウエハと貼り合せる、
封止用ガラスウエハ面のダイシングライン上に、
格子パターン状に溝加工を行い、
格子パターン及び格子パターンの交点部分の、格子交点から同一距離の点を結ぶ直線内又は同一距離の曲線内を含んだパターン状に、
接着剤ペーストをスクリーン印刷、あるいはディスペンサーによりパターン状に塗布し、前記CMOSイメージセンサが多面付けされたウエハと前記ガラスウエハとを貼り合せる。 (もっと読む)


【課題】1つの実施形態は、例えば、画素から読み出された信号に含まれる熱雑音の割合を低減できる固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】1つの実施形態によれば、画素と負荷電流源とを有する固体撮像装置が提供される。負荷電流源は、信号線を介して画素に接続されている。負荷電流源は、信号線に電流を供給する。画素は、光電変換部と電荷電圧変換部と出力部とを有する。電荷電圧変換部は、光電変換部の電荷を電圧に変換する。出力部は、電荷電圧変換部の電圧に応じた信号を信号線に出力する。負荷電流源は、電流生成部と変更部とを有する。電流生成部は、複数のトランジスタを含む。変更部は、電流生成部の等価的なトランジスタのディメンジョンを変更する。 (もっと読む)


【課題】良好な感度特性およびスミア特性を両立する撮像機能を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】画素21は、全ての画素21において同時に光電変換部31で発生した電荷をメモリ部33に転送し、メタルゲート61、62を有する転送部32、34と、転送部32、34の周囲の層間絶縁膜67を掘り込むことにより形成された溝部にメタル66を埋め込むことにより形成される遮光部とを有する。また、遮光部は、その先端部が、転送部の周囲において、層間絶縁膜67と半導体基板51との間に形成されるライナー膜65の膜厚よりも半導体基板側に突出するように形成される。 (もっと読む)


【課題】ダーク成分やシェーディングの影響の抑制し、読み取り速度の高速化を図る。
【解決手段】リニアセンサ10は、1次元方向に配列された複数の第1光電変換部11aを有する第1センサ列12aと、1次元方向に配列された複数の第2光電変換部11bを有する第2センサ列12bと、各第1光電変換部から信号電荷を読み出して列方向に転送する第1水平転送部14aと、各第2光電変換部から信号電荷を読み出して列方向に転送する第2水平転送部14bと、第1水平転送部により転送された信号電荷を検出して出力し、第2水平転送部により転送された信号電荷を検出して出力する出力部18とを備える。第1光電変換部11aは光が入射する開口を有する受光センサであり、第2光電変換部は光が入射する開口が塞がれた遮光センサであり、各遮光センサは各々対応する受光センサに隣接して設けられ、第1センサ列と第2センサ列とが並列に設けられて構成される。 (もっと読む)


【課題】CMOS型イメージセンサを用いた撮像装置において、高輝度光が入射したときの横筋状又は横帯状のノイズの発生を抑制する。
【解決手段】複数の画素が二次元に配列され、光を受光する開口画素領域と、基準となる遮光されたオプティカルブラック領域とを含むCMOS型の撮像素子と、撮像素子の開口画素領域の特定の領域が高輝度被写体からの光を受光している場合の撮像素子の出力から得られる情報を予め記憶する記憶部と、開口画素領域の特定の領域が高輝度被写体からの光を受光しているか否かを判定する判定部と、判定部により特定の領域が高輝度被写体からの光を受光していると判定された場合に、記憶部に記憶された情報に基づいて、撮像素子からの出力を補正する補正部とを備える。 (もっと読む)


【課題】複数のフォトダイオードアレイの画素同士を分離するイメージセンサを提供する。
【解決手段】複数のフォトダイオード画素のうちの少なくとも1つのフォトダイオード画素は、光が、隣接するフォトダイオード画素の上に伝播することを回避する反射素子を含む。反射素子は、イメージセンサの配線に近接するフローティングコンタクトであってよい。反射素子は、反射素子の反射面を最大化するアスペクト比を有していてよい。 (もっと読む)


【課題】グローバルシャッタ機能を有し、白点及び暗電流の抑制が可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】
半導体基体31と、半導体基体31に形成されているフォトダイオード32と、フォトダイオード32に蓄積された信号電荷が転送される浮遊拡散領域35とを備える。さらに、半導体基体31内において浮遊拡散領域35を覆う半導体基体面と平行な水平遮光部32Aと、半導体基体31面と垂直な垂直遮光部32Bとからなる遮光層32とを備える固体撮像素子30を構成する。 (もっと読む)


【課題】基板密着性が良好で、感度が高く、微細なパターンを成形できる黒色硬化性組成物を提供し、それを用いて赤外領域の遮光性が高い遮光性カラーフィルタおよびその製造方法を提供し、ノイズ発生が防止され、画質が向上した固体撮像素子を提供することを目的とする。
【解決手段】(A)チタンブラック、(B)重量平均分子量が2万以上3万1千以下の範囲であり、酸価が80〜100mgKOH/gの範囲であるアルカリ可溶性樹脂、(C)溶剤、(D)光重合開始剤、及び、(E)エチレン性不飽和二重結合を含有する化合物、を含む黒色硬化性組成物。 (もっと読む)


【課題】撮像画像の高画質化を実現することが可能な撮像装置、およびそのような撮像装置を備えた撮像表示システムを提供する。
【解決手段】撮像装置は、各々が光電変換素子を含む複数の画素を有する撮像部と、画素内に蓄積された信号電荷の読み出し駆動を行うと共に、画素内に蓄積された信号電荷のリセット駆動を行う駆動部(システム制御部,列走査部,行走査部)と、撮像部から出力される画像において残像が低減されるように、リセット駆動を行うタイミングを補正する補正部(リセットタイミング補正部)とを備える。撮像部の各画素において入射光に基づく光電変換がなされ、信号電荷の読み出し動作およびリセット動作がなされ、入射光に基づく撮像画像が得られる。補正部によりリセットタイミングが補正され、この補正されたリセットタイミングを用いてリセット駆動が行われることにより、残留電荷に起因する残像の発生が抑制される。 (もっと読む)


【課題】隣接ビアを伝送される信号間の干渉を低減でき、ひいてはビア数の増大を抑止でき、センサを搭載したチップの面積、実装工程を低減でき、結果的にコスト削減を図ることができる半導体装置、固体撮像装置、およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】第1チップ110と、第2チップ120と、を有し、第1チップ110と第2チップ120は貼り合わされた積層構造を有し、第1チップと第2チップ間の配線は、ビア114を通して接続され、第1チップ110は、各センサ111で発生したアナログ信号を時間離散化した信号が、対応するビアを介して第2チップに伝送され、第2チップ120は、ビアを介した第1チップから伝送された信号を第1チップでサンプリングしたタイミングとは異なるタイミングでサンプリングする機能と、量子化してデジタル信号を得る機能と、を含む。 (もっと読む)


【課題】大光量時に発生する余剰電荷を確実に排出することができるようにする。
【解決手段】複数の受光部は、水平垂直方向に2次元的に配列され、入射光を電荷に変換する。垂直転送レジスタは、垂直列の受光部に対応して配置され、垂直方向に電荷を転送する。水平転送レジスタは、垂直転送レジスタから転送された電荷を水平方向に転送する。余剰電荷除去部は、垂直転送レジスタと水平転送レジスタの間に、所定の電極に印加する電圧を変化させることにより形成される、ドレイン領域に接続された経路として配置される。本技術は、例えば、固体撮像装置に適用できる。 (もっと読む)


【課題】撮像画像の高画質化を実現することが可能な撮像装置、およびそのような撮像装置を備えた撮像表示システムを提供する。
【解決手段】撮像装置は、各々が光電変換素子と電界効果型のトランジスタとを含む複数の画素を有する撮像部と、トランジスタのオン動作およびオフ動作を切り替えて画素内に蓄積された信号電荷の読み出し駆動およびリセット駆動を行う駆動部とを備える。トランジスタは半導体層を間にして第1および第2のゲート電極を有し、駆動部は、トランジスタの第1のゲート電極に第1の電圧、第2のゲート電極に第2の電圧をそれぞれ印加し、かつリセット駆動の際には、第1および第2の電圧のそれぞれにおいて、オン電圧およびオフ電圧間の切り替え時期およびオン電圧値のうちの一方または両方が互いに異なるようにする。リセット駆動時に生じるチャージインジェクションを低減することができる。 (もっと読む)


1 - 20 / 2,039