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Fターム[4M118BA06]の内容

固体撮像素子 (108,909) | 基本構造 (11,702) | 受光部(光電変換部)を複数持つもの (11,448) | 半導体結晶型 (10,136)

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【課題】感度の低下を抑制しつつ、混色を低減させることが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】イメージセンサ3b、3gは、ダイクロイックプリズム2b、2g、2rにて分離された青色光Bおよび緑色光Gの光電変換を画素ごとに行い、イメージセンサ3rは、イメージセンサ3b、3gに対して光の吸収係数が異なる光電変換部が画素ごとに設けられ、ダイクロイックプリズム2b、2g、2rにて分離された赤色光Rの光電変換を画素ごとに行う。 (もっと読む)


【課題】固体撮像装置の感度の低下を抑制しつつ、混色を低減させる。
【解決手段】赤色用イメージセンサ3rの光電変換部12rは、青色用イメージセンサ3bの光電変換部12bおよび緑色用イメージセンサ3gの光電変換部12gに対して光入射面から深い位置に配置する。 (もっと読む)


【課題】中空パッケージからなる半導体装置において、中空パッケージのキャビティ形状を保持しつつ、信頼性の向上を図る。
【解決手段】樹脂組成物は、半導体装置100の樹脂部材10に用いられ、熱硬化性樹脂と、溶剤と、光硬化性樹脂と、を有し、前記溶剤を乾燥し、かつ365nmの波長を有する光により積算光量が厚さ50μmに対して700mJ/cmとなるように露光して光硬化した後において、150℃、1Hzの条件下で粘弾性測定した場合、貯蔵弾性率が100Pa以上10000Pa以下であり、tanδが0.1以上である。 (もっと読む)


【課題】複数位相の同時復調を行うことができ、かつ、素子構造が単純であって、比較的小さな撮像素子を構成する際にも高解像度を得ることができるほどの密度に実装することが可能であり、しかも安価に製造できる汎用の半導体製造プロセスでの製造する。
【解決手段】少なくとも4個以上のPN接合ダイオードのなかで少なくとも2個以上のPN接合ダイオードに電圧を印加して、エピタキシャル層内の静電ポテンシャルを変調する変調電位印加ダイオードとし、少なくとも4個以上のPN接合ダイオードのなかで変調電位印加ダイオードと重複しない少なくとも2個以上のPN接合ダイオードは、エピタキシャル層で生成された光電子を回収する光電子回収ダイオードとし、少なくとも2個以上の変調電位印加ダイオードへそれぞれ印加する電圧の位相を変化させて静電ポテンシャルの勾配を制御し、光電子の少なくとも2個以上の光電子回収ダイオードへの移動を制御する。 (もっと読む)


【課題】パッドの腐食を抑制することにより、金属材料とパッドとの接続性を向上させることができるようにする。
【解決手段】本開示の半導体素子は、内部回路の外部端子となる電極と、前記電極の表面に形成され、外部水分が接触しないように前記電極を保護する無機材料の薄膜である保護膜とを備える。本開示は、半導体素子、撮像素子、撮像モジュール、撮像装置、並びに、製造装置および方法に適用することができる。 (もっと読む)


【課題】 高い測定精度を有しつつ、測定時間の短縮が可能なマイクロレンズのモニタ用構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、画素領域に設けられたマイクロレンズと、画素領域の他の領域である周辺領域の上に設けられ、マイクロレンズの形状と相関があり、基板に垂直な面に含まれる断面の形状が同一のモニタ用構造体を有する。 (もっと読む)


【課題】高画質化を図ることができる固体撮像装置、固体撮像素子、固体撮像装置の製造方法及び固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る固体撮像装置は、上面に複数の画素が形成されたセンサ基板と、複数のマイクロレンズが形成されたマイクロレンズアレイ基板と、前記マイクロレンズアレイ基板における前記マイクロレンズ間の領域に一端が接合され、前記上面に他端が接合された接続ポストと、を備える。 (もっと読む)


【課題】赤外線の受光感度および解像度を向上させることができる固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】実施形態に係る固体撮像装置10は、半導体基板13、反射体17、および半田ボール20、を具備する。半導体基板13は、表面にフォトダイオードを含む感光領域を有し、その裏面は鏡面仕上げされている。反射体17は、半導体基板13の裏面上に形成されており、感光領域に入射された赤外線を反射する。半田ボール20は、感光領域に電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】より簡単な構成で、熱雑音の増大や信頼性の低下を抑制する。
【解決手段】固体撮像装置は、複数の画素が配置されてなる画素アレイが形成される画素形成領域と、画素アレイから出力される電気信号に対する信号処理を行うロジック回路が形成されるロジック回路形成領域と、少なくとも一部がSi表面を同位体濃縮して形成されている基板とを備え、基板は、ロジック回路形成領域において発生した熱を、外装としてのパッケージに伝達するように設けられる。本技術は、CMOSイメージセンサに適用することができる。 (もっと読む)


【課題】光電変換部での飽和の可能性を低減して光電変換部の小型化を可能にし、全体としてのサイズの小型化を可能にする。
【解決手段】分離電極14aと蓄積電極14bとが障壁制御電極14cを挟んで配置される。分離電極14aと蓄積電極14bと障壁制御電極14cとに正極性の電圧が印加されてウェル12にポテンシャル井戸が形成された状態で光照射による電子が集積される。その後、障壁制御電極14cに印加された電圧に応じて形成されるポテンシャル障壁の高さが調節されることにより、規定した一定量の不要電荷が電荷分離部で分離される。電子の集積と不要電荷の分離とが複数回繰り返された後、蓄電電極14bに対応して形成された電荷蓄積部に流れ込んだ有効電荷が受光出力として取り出される。 (もっと読む)


【課題】平坦化処理における着色パターンの表面荒れを抑制することができるカラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ、及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】第1の着色層を第1の着色組成物により形成する工程、第1の着色層に複数の第1の貫通孔が形成されるようにドライエッチングによりパターニングする工程、第1の着色層上に第2の着色組成物による第2の着色層を積層する工程、第1の貫通孔とは別の複数の第2の貫通孔をドライエッチングによりパターニングして、複数の第1の着色画素を形成する工程、第1着色層上に、第3の着色組成物による第3の着色層を含む1層以上の着色層を積層する工程、及び第1の着色層上に積層された1層以上の着色層を第1の着色層が少なくとも露出するまで平坦化処理する工程を有するカラーフィルタの製造方法。 (もっと読む)


【課題】歩留まりの向上、およびコスト削減を図る。
【解決手段】半導体装置は、デバイス基板600と、前記デバイス基板上に接合された支持基板200と、を具備する。前記デバイス基板は、前記支持基板との接合面側の外周部に溝50を有する。 (もっと読む)


【課題】外部回路や載置部材などのコストや準備期間を容易に削減することが可能な固体撮像素子及び固体撮像素子の実装構造を提供すること。
【解決手段】固体撮像素子IS1は、光感応領域3を有する半導体基板1と、半導体基板1の主面1a上に配列された複数の第一電極パッド10と、半導体基板1の主面1a上に、複数の第一電極パッド10が配列された方向に沿う方向に配列された複数の第二電極パッド12と、複数の第一電極パッド10と複数の第二電極パッド12とを1対1に接続する複数の配線14と、を備えている。複数の配線14は、複数の第一及び第二電極パッド10,12の配列方向に直交する中心線lに対して線対称となる位置関係にある第一電極パッド10と第二電極パッド12とを接続している。 (もっと読む)


【課題】 緑色画素形成用の緑色層を色分離が非常に優れた状態で形成できるとともに、緑色層にドライエッチングを適用して緑色画素を形成した場合に、緑色層における分光特性と、緑色画素における分光特性との差が小さく、緑色層が発現する優れた色分離特性を、緑色画素に確実に引き継ぐことができる、緑色フィルタ形成用着色組成物、並びに、これを用いたカラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】 着色顔料を含有する、緑色フィルタ形成用着色組成物であって、前記着色組成物の全固形分に対する前記着色顔料の含有量が60質量%以上であり、かつ、前記着色組成物から得られる膜厚0.6μmを有する膜の波長550nmにおける光透過率が80%以上であり、前記膜の波長450nmにおける光透過率が50%以下である、緑色フィルタ形成用着色組成物、並びに、これを用いたカラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ、及び、固体撮像素子。 (もっと読む)


【課題】色ずれの抑制を図ることができる固体撮像素子を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る固体撮像素子は、複数の光電変換部が設けられた基板と、前記複数の光電変換部毎に設けられ、特定の波長帯域の光を選択的に透過させるカラーフィルタと、を備えている。そして、前記カラーフィルタは、屈折率の異なる層が積層された積層構造部と、複数の要素が前記特定の波長帯域および光の入射角度に応じて異なる周期で設けられた周期構造部と、を有する。 (もっと読む)


【課題】体格の増大が抑制された光センサを提供する。
【解決手段】複数の受光部(60)を有する光センサであって、受光部(60)は、半導体基板(10)に形成された受光素子(20)と透光用の開口部(50)を有し、受光素子(20)の形成面(10a)上に透光膜(30)を介して遮光膜(40)が形成され、該遮光膜(40)に開口部(50)が形成されており、受光部(60)として、形成面(10a)に直交する光によって形成面(10a)に投影した開口部(51,52)の投影部位と受光素子(21,22)との距離が互いに等しく、投影部位から受光素子(21,22)に向かう向きが互いに逆向きの関係にある、対を成す受光部(61,62)を有し、対を成す受光部(61,62)は、形成面(10a)に沿い、投影部位と受光素子(21,22)とを結ぶ方向に直交する方向にて、並んでいる。 (もっと読む)


【課題】小型化可能な光学センサー及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】光学センサーは、半導体基板10に位置するフォトダイオード用の不純物領域31、32と、フォトダイオードの受光領域に対する入射光の波長を制限するための光バンドパスフィルター61、62と、フォトダイオードの受光領域に対する入射光の入射角度を制限するための角度制限フィルター41、42と、を含む。光バンドパスフィルター61、62は、フォトダイオード用の不純物領域31、32と角度制限フィルター41、42の間に位置し、角度制限フィルター41、42は、半導体プロセスによって形成された遮光物質(光吸収物質または光反射物質)によって形成される。 (もっと読む)


【課題】 固体撮像素子を製造するために適用した場合、製造後の固体撮像素子に終点検出部が残存せず、半導体素子部への拡散等の問題もなく、高精度の薄膜化を実現することが可能な固体撮像素子用半導体基板を提供する。
【解決手段】 素子部形成領域となる表面側の表層部を残す裏面側からのバック加工が適用される固体撮像素子用半導体基板であって、
前記素子部形成領域となる表面側の表層部と、この表層部より裏面側方向内部に形成され、BMD密度が1×1010/cm3以上1×1012/cm3以下の前記バック加工が適用される第1のバルク層と、この第1のバルク層より裏面側方向内部に形成され、前記第1のバルク層よりBMD密度が低く、その密度が1×109/cm3以上1×1010/cm3以下の前記バック加工が適用される第2のバルク層とを備えることを特徴とする固体撮像素子用半導体基板。 (もっと読む)


【課題】測定する波長帯域を広く設定できる熱型光検出器を提供する。
【解決手段】シリコン基板10と、シリコン基板10上に形成され凹部30を有するスペーサー部材20と、スペーサー部材20の凹部30に向き合いスペーサー部材20に支持される支持部材40と、支持部材40上に形成され熱を検出する焦電型の赤外線検出素子60と、を含み、凹部30は、底面にスペーサー部材20の厚み方向に対して交差する方向に形成された第1平面31と、底面と支持部材40との間に、スペーサー部材20の厚み方向に対して交差する方向に形成された第2平面32と、を備え、第1平面31および第2平面32に光を反射する反射膜36が形成されている。 (もっと読む)


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