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Fターム[4M118BA07]の内容

固体撮像素子 (108,909) | 基本構造 (11,702) | 受光部(光電変換部)を複数持つもの (11,448) | 半導体結晶型 (10,136) | 薄膜受光部積層型 (476)

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CCD型 (68)

Fターム[4M118BA07]に分類される特許

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【課題】バリア性および耐熱性に優れた光電変換素子およびその製造方法、ならびに撮像素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成された下部電極と、下部電極上に形成され、光が照射されると電荷を発生する有機層と、有機層上に形成された、可視光に対して透明な上部電極と、上部電極上に形成された素子保護層とを有する光電変換素子の製造方法である。この素子保護層を形成する工程は、有機層に対し不活性なキャリアガスを供給し、プラズマを生成する工程と、キャリアガスが供給されてプラズマが生成された状態で、さらにSiHガス、支燃性ガスおよびアンモニアガスを含む反応性プロセスガスを供給して珪素含有保護膜を形成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】有機撮像素子において残像を低減する。
【解決手段】有機撮像素子1は、基板10上に複数の画素部100を有し、基板10の光入射側の表面に、層間絶縁層20を介して形成された複数の画素電極40と、複数の画素電極40上に連続膜状に配された光機能層50と、光機能層50の上に配された、複数の画素部100に共有される対向電極60と、層間絶縁膜20内に形成された少なくとも1層の金属配線層32と、画素電極間の間隙Gに充填された充填部211と、光機能層50内に突出して形成されてなる突出部212とからなる電界調整用絶縁層21を備えてなり、光機能層50は、有機材料を含む光電変換層52を含む。突出部212は、充填部211に接している2つの画素電極40の各端部40tと、該2つの端部間の中央部上方の1つの頂点Aとをそれぞれ結ぶ下に凸の曲線で囲まれてなる。 (もっと読む)


【課題】有機撮像素子において残像を低減する。
【解決手段】有機撮像素子1は、基板10上に複数の画素部100を有し、基板10の光入射側の表面に、層間絶縁層20を介して形成され、画素部100毎に分離して形成され信号読み出し回路101と電気的に接続された複数の画素電極40と、複数の画素電極40上に連続膜状に配された光機能層50と、光機能層50の上に配された、複数の画素部100に共有される対向電極60と、層間絶縁層20内に、複数の金属配線部分32からなる金属配線層を少なくとも一層含む。光機能層50は、有機材料を含む光電変換層を含み、画素電極40に最も近い金属配線層32Tは、複数の画素電極40下にはそれぞれ金属配線部分32を有し、金属配線部分同士の間隙32wが、画素電極同士の間隙G下に存在するように形成されてなる。 (もっと読む)


【課題】色再現性に優れる多層型撮像素子を提供する。
【解決手段】第1透明電極に積層される第1層間絶縁膜と、第1層間絶縁膜の上に配設される第2の信号読み出し部と、第2の信号読み出し部の上に配設され、光の3原色のうち第2の波長の光に感度を有する第2光電変換膜と、第2光電変換膜に積層される第2透明電極と、第2透明電極に積層される第2層間絶縁膜と、第2層間絶縁膜の上に配設される第3の信号読み出し部と、第3の信号読み出し部の上に配設され、光の3原色のうち第3の波長の光に感度を有する第3光電変換膜と、第3光電変換膜に積層される第3透明電極と、第1光電変換膜、第2光電変換膜、及び第3光電変換膜を画素毎に隔離する第1隔壁とを備え、前記第1の信号読み出し部、前記第2の信号読み出し部、及び前記第3の信号読み出し部は、それぞれ複数の画素が2次元方向に配置された画素アレイの各画素の信号読み出し部を形成している。 (もっと読む)


【課題】撮影状況や製造課題に対応した積層型の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】第1のリセットトランジスタを備えた第1の画素と、第2のリセットトランジスタを備えた第2の画素とが形成された半導体基板と、前記半導体基板の上に形成された配線層と、前記配線層の上に形成され、前記第1のリセットトランジスタのソースに電気的に接続された第1の下部電極と、前記配線層の上に形成され、前記第2のリセットトランジスタのソースに電気的に接続された第2の下部電極と、前記第1の下部電極および前記第2の下部電極の上に形成された光電変換膜と、前記光電変換膜の上に形成され、上部電極電位が印加される透明な上部電極とを備え、前記第1のリセットトランジスタのドレインにかける第1のリセット電位と前記第2のリセットトランジスタのドレインにかける第2のリセット電位とが異なることを特徴とする固体撮像装置。 (もっと読む)


【課題】色分離が良好であり、かつ、高い感度を有する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】表面側が回路形成面とされた半導体層11と、半導体層11内に積層されて形成された2層以上の光電変換部PD1,PD2と、ゲート電極21が半導体層11の表面15から内部に埋め込まれて形成された、縦型トランジスタTr1とを含み、2層以上のうちの1層の光電変換部PD1は、縦型トランジスタTr1のゲート電極21の半導体層11に埋め込まれた部分21Aにまでわたって形成され、縦型トランジスタTr1によって形成されるチャネルに接続されている固体撮像装置を構成する。 (もっと読む)


【課題】耐熱性の高い固体撮像素子を提供する。
【解決手段】本発明は、信号読出し回路を有する基板に、画素電極となる下部電極と、下部電極上に形成され、受光した光に応じて電荷を生成する有機光電変換膜と、上部透明電極とが形成された固体撮像素子である。有機光電変換膜において、下部電極が形成された画素電極領域に対応する有機光電変換膜の領域に対して、膜厚および膜質の少なくとも一方が遷移している遷移領域は、有機光電変換膜の外端から200μm以下の領域である。 (もっと読む)


【課題】
読み出し回路を備えた第一基板と受光素子を備えた第二基板をバンプ接続した量子型赤外線熱感知デバイスにおいて、HgCdTe等で構成された第二基板に影響を与えることなくシリコン基板等で構成された第一基板と、第二基板の熱膨張係数の違いに起因する隣接バンプ間の接触を防止する。
【解決手段】
量子型撮像素子は、読み出し回路を備えた第一基板と、前記第一基板とフリップチップボンディング(FCB)によって電気的に接続された、受光素子を備えた第二基板と、前記第一基板と前記第二基板をFCBによって電気的に接続する導体バンプ群と、各バンプの周囲を囲むように存在し、前記第一基板側にのみ固定され、前記第二基板との間に空隙を設けた絶縁壁とを有する。 (もっと読む)


【課題】画素セルが3つのトランジスタで構成される場合でも、横引きノイズの発生を抑えることが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】駆動回路は、所定の画素セル11に対して、リセットトランジスタ117をON状態とすることで、増幅トランジスタ113のゲートの電位をリセットする電子シャッター動作を行い、電子シャッター動作が行われた所定の画素セル11に対して、選択トランジスタ115及びリセットトランジスタ117を同時にON状態とすることで、リセットされた増幅トランジスタ113のゲートの電位に応じた電圧をリセット信号として画素セル11から列信号線141に出力させるリセット信号の信号読み出し動作を行い、電子シャッター動作において、リセットトランジスタ117がON状態とされている時に選択トランジスタ115がON状態とされる。 (もっと読む)


【課題】歩留まりを向上させることができる固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板に画素電極と、入射光に応じた電荷を生成する有機膜を有する光電変換部と、透明な対向電極と、封止層とが形成された固体撮像素子の製造方法である。基板の画素電極が設けられた側表面にメタルマスクを磁力で密着させる工程と、基板の画素電極が設けられた側表面に、有機物を蒸着し、有機膜を形成する工程と、有機膜形成後、メタルマスクを取り外す工程と、有機膜上に対向電極を形成する工程と、対向電極を覆う封止層を形成する工程とを有する。メタルマスクは、ハーフエッチングが施されており、このハーフエッチングが施された側を画素電極に向けて密着されている。 (もっと読む)


【課題】犠牲膜をエッチングして形成された空隙を備えるセンサーにおいて、犠牲膜のみをエッチングして空隙を形成する方法を提供する。
【解決手段】基板2上に絶縁膜14を形成する絶縁膜形成工程と、絶縁膜14に凹部15を形成する凹部形成工程と、凹部15に酸化シリコンからなる犠牲膜を形成する犠牲膜形成工程と、犠牲膜上に支持部23を形成する支持部形成工程と、支持部23上に赤外線検出部4を形成する検出部形成工程と、エッチング液を用いて犠牲膜をエッチングして空隙16を形成するエッチング工程と、を有し、絶縁膜はエッチング液に対して耐食性を有する。 (もっと読む)


【課題】光電変換効率の向上を図る裏面照射型のCMOSセンサを提供する。
【解決手段】撮像素子11は、半導体基板31に対して光が入射する側に積層される有機光電変換層33を備えており、有機光電変換層33に有機光電変換膜43が配置され、半導体基板31に2つのPD41、42が配置されている。そして、有機光電変換層33では、有機光電変換膜43を挟み込むように1対の透明電極54−1,54−2が設けられており、半導体基板31側の透明電極54−1が、光が入射する側に突出する曲面を有して形成され、有機光電変換膜43が、この透明電極54−1が有する曲面に倣って曲面形状を有するように形成される。 (もっと読む)


【課題】有機材料を含む受光層を有する光電変換素子において、受光層の材料の選択幅を狭めることなく、光電変換素子の耐熱性を向上させること。
【解決手段】基板101上に酸化膜で構成された絶縁膜102が形成され、当該絶縁膜102上に並べて形成された複数の画素電極104と、複数の画素電極104の上にこれらを覆って形成された有機材料を含む受光層107と、受光層107上に形成された対向電極108とを有する固体撮像素子であって、画素電極104が、酸化窒化チタンで構成され、受光層107を形成する直前における画素電極104の組成が、(1)画素電極104全体に含まれる酸素量がチタン量の75atm%以上、又は、(2)画素電極104の基板101側から10nmまでの範囲或いは画素電極104の基板101側から画素電極104厚みの2/3までの範囲において、酸素量がチタン量の40atm%以上の条件を満たしている。 (もっと読む)


【課題】有機材料を含む受光層を有する光電変換素子において、受光層の材料の選択幅を狭めることなく、光電変換素子の耐熱性を向上させること。
【解決手段】絶縁層102上に複数の画素電極104を形成する第一の工程と、複数の画素電極104の上に有機材料を含む受光層107を形成する第二の工程と、受光層107上に対向電極108を形成する第三の工程とを備え、第一の工程は、絶縁層102上に画素電極材料を成膜する工程と、成膜した前記画素電極材料の膜をパターニングする工程と、前記パターニング後の前記基板を270℃以上で加熱する工程とで構成される。 (もっと読む)


【課題】外的ノイズなどに対して安定した動作を実現可能な光電変換装置およびこれを備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】光電変換装置40Aは、基板41上において、透光性電極52と、透光性電極52と基板41との間に配置された光反射性電極54と、透光性電極52と光反射性電極54とに挟持された光電変換層53とを有する光電変換素子としてのフォトダイオード51と、フォトダイオード51に電気的に接続された3つのトランジスター61,62,63を具備する画素回路と、フォトダイオード51と3つのトランジスター61,62,63とは、基板上において異なる層に配置されており、光反射性電極54と同層に配置され、3つトランジスター61,62,63の半導体層61a,62a,63a上に平面的に重なると共に固定電位に接続された遮光膜65Aと、を備えた。 (もっと読む)


【課題】高輝度被写体の撮像時に、リセットトランジスタ及び増幅トランジスタが損傷せず、かつ、黒焼付き現象が発生しない固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板と、複数存在し、各々が単位画素を構成する第1電極と複数の第1電極上に形成された光電変換膜と光電変換膜上に形成された第2電極とを有する光電変換部と、複数の第1電極と電気的に接続され、半導体基板上に設けられた電荷蓄積領域と、電荷蓄積領域をドレイン領域とする、若しくは、電荷蓄積領域をドレイン領域と電気的に接続したリセットトランジスタとを備え、リセットトランジスタのソース領域606及びドレイン領域607の少なくともいずれかは、リセットトランジスタのゲート酸化膜605の下方に伸長しかつゲート酸化膜605に接しないパンチスルーパス608a、608bを有している。 (もっと読む)


【課題】PDからのオーバーフローを安定的に行う固体撮像素子および電子機器を提供する。
【解決手段】撮像素子は、シリコン基板に複数の画素21がアレイ状に配置された画素アレイ部と、画素を駆動する駆動部とを備え、画素は、PD24、オーバーフロードレイン33、および電位障壁部32を有する。PD24は、シリコン基板31に配線層が積層される表面に対して反対側となる裏面の近傍に形成され、入射光に応じた電荷を発生する。オーバーフロードレイン33は、裏面に接して形成され、所定の電圧で固定される。電位障壁部32は、光電変換部24とオーバーフロードレイン33とに接続して形成され、光電変換部24からオーバーフロードレイン33へ流れ出る電荷に対する障壁となる。 (もっと読む)


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