【課題】裏面照射型イメージセンサチップの金属遮蔽層およびその製造方法を提供する。
【解決手段】前面側および裏面側を有する半導体基板２６と、前記半導体基板２６の表面に配置され、前記半導体基板２６の裏面側より光信号６２を受けるように構成され、前記光信号６２を電子信号に変換する第１感光デバイス２４Ｂと、前記半導体基板２６の裏面側に配置され、窒素および金属の化合物を含む非晶質接着層５０、および前記半導体基板の裏面側上に配置され、前記非晶質接着層５０に接触する金属遮蔽層５２を含む。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比の異なる複数の開口下部に接続される配線に対して最適な処理を施すことができるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、第１の半導体基板と第２の半導体基板が接合された半導体基板の第１の開口の下部配線と、貫通接続孔と異なるアスペクト比の第２の開口の下部配線に対して、バリアメタル膜の成膜と、スパッタガスによる物理エッチングを同時に行うアンカー処理工程が含まれる。本技術は、例えば、固体撮像装置などの半導体装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】光学混色を低減させ、色再現性を向上させることができるようにする。
【解決手段】固体撮像素子の２次元配列された各画素は、光電変換素子の上側に形成された平坦化膜と、平坦化膜の上側に形成されたフィルタと、フィルタの上側に形成されたマイクロレンズとを少なくとも有する。複数の画素のうち、一部のフィルタは、所定の色成分の光を透過させるカラーフィルタであり、他の一部のフィルタは、可視光領域全体の光を透過させるホワイトフィルタである。ホワイトフィルタ、マイクロレンズ、および平坦化膜の各屈折率は、ホワイトフィルタ≧マイクロレンズ＞平坦化膜の関係にある。本発明は、例えば、固体撮像素子に適用できる。 （もっと読む）

【課題】小型化もしくは受光部の拡大が可能で、信頼性を確保でき、さらに、解像度特性を改善できる放射線検出器を提供する。
【解決手段】複数の光電変換素子13が配列された受光部14、および光電変換素子13と電気的に接続された素子用電極パッド15を有する固体撮像素子12を備える。外部接続用電極パッド18およびこの外部接続用電極パッド18と電気的に接続されている電極端子19を有する基台17に、固体撮像素子12を固定する。素子用電極パッド15と外部接続用電極パッド18とを配線20で電気的に接続する。素子用電極パッド15、外部接続用電極パッド18および配線20を一体に被覆する保護層21を気相成長法によって形成する。固体撮像素子12の受光部14上とともに、保護層21で被覆された素子用電極パッド15、外部接続用電極パッド18および配線20上にシンチレータ層22を形成する。配線20をシンチレータ層22内に埋没固定する。 （もっと読む）

【課題】電磁適合性（ＥＭＣ）の問題を改善することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】第１主面と第２主面とを有する半導体基板１０と、第１主面上に形成され、入射光を電気信号に変換するセンサ部３１と、第１主面上に形成されたロジック回路１２と、センサ部３１及びロジック回路１２上に形成され、電磁波を遮断するシールド層１４と、第２主面上に配置されたカラーフィルタ３７と、カラーフィルタ３７上に配置されたマイクロフィルタ３８とを有する。 （もっと読む）

【課題】距離検出画素の開口率を高めることができ、高いＳＮ比により距離検出精度を向上させることが可能となる固体撮像素子等を提供する。
【解決手段】半導体中に、第１の光電変換部と第２の光電変換部とによる少なくとも２つの光電変換部を有する画素を備えた固体撮像素子であって、
前記第１の光電変換部は、前記第２の光電変換部よりも高い不純物濃度を有し、前記第２の光電変換部で発生した電荷を前記第１の光電変換部に転送可能に構成され、
前記第１の光電変換部と前記第２の光電変換部の電荷量を、共通して検出する１つの信号検出手段を有する。 （もっと読む）

【課題】 画面周辺部で発生するシェーディングを補正すること。
【解決手段】 光を電荷に変換する受光素子と、受光素子上に形成された色フィルタと、受光素子上に形成された少なくともひとつ以上のマイクロレンズとから構成される画素が複数配置された画素領域を備えた撮像素子において、前記色フィルタの膜厚を、前記画素領域の中心部から周辺部に向かって徐々に変化させ、さらに、前記マイクロレンズを、色フィルタの厚みに応じたずらし量で配置し、シェーディングを補正することを特徴とする撮像素子。 （もっと読む）

【課題】クラックや剥がれ、空隙などの欠陥が少ない光導波路を有した固体撮像素子や、その製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１０中に形成され光電変換により電荷を生じる受光部２と、基板１０上の受光部２に隣接する位置に形成されて受光部２が生じた電荷の転送を行う転送電極１２と、転送電極１２上に形成される上部構造１４〜１６と、をそれぞれ形成する。さらに、少なくとも受光部２の直上かつ上部構造１４〜１６に挟まれた空間に、光導波路１８を形成する。このとき、光導波路１８を成す材料を、少なくとも第１ステップ及び第２ステップにより成膜するが、第１ステップは、第２ステップよりも前に行い、第１ステップにおける成膜速度を、第２ステップにおける成膜速度よりも遅くする。 （もっと読む）

【課題】センサ部での光の利用効率の低下を防止することができる電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】互いに交差して配設された複数の走査配線及び複数の信号配線の各交差部と、２次元状に配列された複数のセンサ部であって、各々が、検出対象とする画像を示す電磁波が照射されることにより電荷が発生する半導体層、半導体層の電磁波が照射される照射面側に電磁波に対して透過性を有する導電性部材により形成され、半導体層に対してバイアス電圧を印加する第１電極、及び半導体層の電磁波に対する非照射面側に形成され、半導体層に発生した電荷を収集する第２電極を備えた複数のセンサ部と、センサ部よりも電磁波の下流側に形成され、各々コンタクトホールを介して第１電極に接続されてバイアス電圧を供給する共通電極配線と、走査配線と、信号配線及び共通電極配線との間に形成されている第１の絶縁膜と、を備え、信号配線及び共通電極配線は同層に形成。 （もっと読む）

【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】酸化物半導体膜、ゲート絶縁膜、及び側面に側壁絶縁層が設けられたゲート電極層が順に積層されたトランジスタを有する半導体装置において、ソース電極層及びドレイン電極層は、酸化物半導体膜及び側壁絶縁層に接して設けられる。該半導体装置の作製工程において、酸化物半導体膜、側壁絶縁層、及びゲート電極層上を覆うように導電膜及び層間絶縁膜を積層し、化学的機械研磨法によりゲート電極層上の層間絶縁膜及び導電膜を除去してソース電極層及びドレイン電極層を形成する。 （もっと読む）

【課題】画素部の金属汚染や受光部の光電変換素子表面へのＲＩＥによるダメージの発生を抑制することができる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、固体撮像素子は、所定の波長の光を透過させるカラーフィルタ５１Ｌ，５１Ｍ，５１Ｓと、カラーフィルタ５１Ｌ，５１Ｍ，５１Ｓを透過する光を検出するフォトダイオードＰＤと、を含む画素Ｐ_L，Ｐ_M，Ｐ_Sを、異なる波長の光を検出するように複数有する絵素が、所定の周期で２次元的に基板１１上に配置される。絵素中の最も長い波長の光を検出する画素Ｐ_Lは、基板１１の光の入射面と対向する面側のフォトダイオードＰＤ上に設けられる保護膜１２と、保護膜１２上に設けられ、厚さ方向に貫通する円柱状の孔が２次元的に配置される回折格子部２０Ｌと、を備える。回折格子部２０Ｌは、画素Ｐ_Lに設けられるカラーフィルタ５１Ｌを透過する光を反射させるように孔の径と配置される周期が選択される。 （もっと読む）

【課題】読み出し特性や感度劣化がなく、熱酸化処理による電荷転送電極間のギャップ部の拡大を回避することができ、これにより、微細で高速転送可能な固体撮像素子を実現する。
【解決手段】固体撮像素子１００において、垂直ＣＣＤ部１１０は、シリコン基板１内に形成され、信号電荷を転送する転送チャネル３と、シリコン基板１上にゲート絶縁膜７を介して転送チャネル３に沿って配列された複数の電荷転送電極８と、隣接する電荷転送電極８の間に絶縁材料を堆積して形成され、該隣接する電荷転送電極を電気的に分離する電極分離絶縁膜とを有する構造とし、受光部１０１は、シリコン基板１内に形成され、入射光の光電変換により信号電荷を生成する光電変換領域５と、該光電変換領域の表面部分の熱酸化により形成された熱酸化膜１１とを有する構造とした。 （もっと読む）

【課題】バリア性および耐熱性に優れた光電変換素子およびその製造方法、ならびに撮像素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成された下部電極と、下部電極上に形成され、光が照射されると電荷を発生する有機層と、有機層上に形成された、可視光に対して透明な上部電極と、上部電極上に形成された素子保護層とを有する光電変換素子の製造方法である。この素子保護層を形成する工程は、有機層に対し不活性なキャリアガスを供給し、プラズマを生成する工程と、キャリアガスが供給されてプラズマが生成された状態で、さらにＳｉＨ_４ガス、支燃性ガスおよびアンモニアガスを含む反応性プロセスガスを供給して珪素含有保護膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】開口率を著しく向上することが可能な光検出装置を提供すること。
【解決手段】光検出装置１は、半導体基板１Ｎを有する半導体光検出素子１０Ａと、半導体光検出素子１０に対向配置される搭載基板２０とを備える。半導体光検出素子１０Ａは、ガイガーモードで動作すると共に半導体基板１Ｎ内に形成された複数のアバランシェフォトダイオードＡＰＤと、それぞれのアバランシェフォトダイオードＡＰＤに対して電気的に接続されると共に半導体基板１Ｎの主面１Ｎｂ側に配置された電極Ｅ７とを含む。搭載基板２０は、電極Ｅ７毎に対応して主面２０ａ側に配置された複数の電極Ｅ９と、それぞれの電極Ｅ９に対して電気的に接続されると共に主面２０ａ側に配置されたクエンチング抵抗Ｒ１とを含む。電極Ｅ７と電極Ｅ９とが、バンプ電極ＢＥを介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型の固体撮像素子を備えたチップ領域が複数配列された固体撮像素子ウエハにおいて、個片化されるチップ領域のサイズを縮小し、これにより固体撮像素子の小型化を図る。
【解決手段】複数のチップ領域２００と、チップ領域２００を囲んで配置された分割領域３００と、各チップ領域２００に設けられた光電変換部２０と、各チップ領域２００において光電変換部２０に対する受光面Ａとは逆の表面側に設けられた駆動回路と、駆動回路に接続され各チップ領域２００において表面側に引き出されたデバイス用端子３３と、駆動回路に接続され分割領域３００において受光面Ａ側に露出された検査用端子４００とを備えた固体撮像素子ウエハ１００−１である。 （もっと読む）

【課題】高精度に生体分子を検出することが可能なケミカルセンサ、ケミカルセンサモジュール、生体分子検出装置及び生体分子検出方法を提供すること
【解決手段】本技術のケミカルセンサは、基板と、オンチップレンズと、平坦化層とを具備する。基板は、平面状に配列する複数のフォトダイオードが形成されている。オンチップレンズは、上記基板上に設けられた、入射光を上記フォトダイオードに集光する。平坦化層は、オンチップレンズを被覆して平坦化し、プローブ材料を保持するためのプローブ保持面を形成する。 （もっと読む）