【課題】 良好な性能を有する光電変換装置を提供する
【解決手段】 光電変換部１１０を覆うとともに、転送ゲート１２０の転送ゲート電極１２１の光電変換部１１０側の側面に沿って延在して転送ゲート電極１２１の上面１２１０を覆う第１保護膜２２０を備え、第１保護膜２２０と光電変換部１１０との間に、第１保護膜２２０の屈折率及び光電変換部１１０の屈折率よりも低い屈折率を有し、第１保護膜２２０と界面を成す第１領域１１が設けられ、第１保護膜２２０と転送ゲート電極１２１の上面１２１０との間に、転送ゲート電極１２１の屈折率及び第１保護膜２２０の屈折率よりも低い屈折率を有し、第１保護膜２２０と界面を成す第２領域２２が設けられており、第１領域１１の光学膜厚をＴ_１、第２領域２２の光学膜厚をＴ_２、光電変換部１１０へ入射する光の波長をλとして、Ｔ_１＜Ｔ_２＜λ／２−Ｔ_１を満たす。 （もっと読む）

【課題】 暗電流の抑制や受光部の入射光量の増大により、得られる画像データ画質を改善した固体撮像素子を提供する。
【解決手段】 固体撮像素子１は、半導体から成る基板１０と、基板１０中に形成され光電変換によって生じた電荷を蓄積する基板とは逆の導電型の半導体から成る受光部１１と、基板１０上に設けられる絶縁層１２と、絶縁層１２上に設けられ受光部１１が蓄積する電荷と同じ極性の固定電荷を有する固定電荷層１３と、固定電荷層１３上に設けられる反射防止層１４と、基板１０中の受光部１１と隣接する位置に設けられ受光部１１から読み出された電荷が一時的に蓄積される電荷転送部１５と、少なくとも電荷転送部１５の直上に設けられる転送電極１６と、を備える。反射防止層１４は、受光部１１の直上の領域内に設けられる。 （もっと読む）

【課題】 本発明によれば、高い精度で半導体装置を製造することができる。特に画質の高い固体撮像装置を製造することが可能となる。
【解決手段】 半導体基板１０１の撮像領域１０３及び周辺領域１０４に第１導波路部材１１８を形成する。第１導波路部材１１８の周辺領域１０４に配された部分を除去する。その後、第１導波路部材１１８の半導体基板１０１とは反対側の面を平坦化する平坦化工程を行う。 （もっと読む）

【課題】焦電体が還元ガスにより還元されて焦電効果を失することを防止することができる焦電型検出器、焦電型検出装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】基体１００より突出するスペーサー部材１０４に支持される支持部材２１０に支持される焦電型検出素子を有し、焦電型検出素子は第１電極２３４と第２電極２３６と第１，第２電極間に配置された焦電体２３２とを含むキャパシター２３０を有し、熱型検出素子はキャパシターの表面を覆う絶縁層２５０と絶縁層が第２電極と対面する位置に形成された第２開口部２５２と開口部に埋め込まれたプラグ２２６と絶縁層上に形成され第２電極にプラグを介して接続される第２電極配線層２２４と絶縁層とキャパシターとの間に形成された第１開口部を有する第１還元ガスバリア層２４０と少なくともプラグを覆って層間絶縁層及び第２電極配線層上に形成された第２還元ガスバリア層２６０を含む。 （もっと読む）

【課題】白傷欠陥の発生を抑制することができ、数画素に亘る感度低下を抑えることができる撮像素子を提供する。
【解決手段】基板上方で二次元状に配列された複数の下部電極１０４と、各下部電極１０４と対向して配置された上部電極１０８と、複数の下部電極１０４と上部電極１０８との間に配された光電変換層と、上部電極１０８の上方に配置され、該上部電極を覆う封止膜１１０と、上部電極１０８と封止膜１１０との間に配置された封止補助層１０９と、を備える撮像素子であって、封止膜１１０が複数の層で構成され、該封止膜全体の膜応力を緩和する応力緩和層を含み、封止補助層１０９は、真空蒸着法又はＣＶＤで形成された膜であり、厚さが５ｎｍ以上で、内部応力が１００ＭＰａ以下である。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜上に屈折率の高い高屈折率膜を備えた固体撮像装置において、色むらや感度ムラの原因となるリップルを低減すること。
【解決手段】それぞれが画素を形成する複数の受光素子１２が表面部に形成された半導体基板１１と、前記半導体基板１１上に、複数の層間絶縁膜２０、２１，２２を介して積層された複数の配線１４，１６，１８と、前記複数の層間絶縁膜２０，２１，２２のうちの最上層に位置する層間絶縁膜２２上に形成された、前記層間絶縁膜よりも屈折率の高い高屈折率膜２３と、前記高屈折率膜２３上に平坦化膜２４を介して配置された、前記受光素子１２で受光する波長を選択するためのカラーフィルタ２５とを有し、前記カラーフィルタ２５の透過光の波長に対応して前記高屈折率膜２３の膜厚が異なることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】混色の発生などを抑制し、撮像画像の画像品質等を向上する。
【解決手段】半導体層１０１の裏面において受光面ＪＳおよび遮光膜６０が設けられた部分を被覆するように、第１の反射防止膜５０１を設ける。これと共に、裏面において受光面ＪＳが設けられた部分を被覆するように第１の反射防止膜５０１の上に、第２の反射防止膜５０２を形成する。遮光膜６０については、第２の反射防止膜５０２の上に設けずに、第１の反射防止膜５０１の上に設ける。 （もっと読む）

【課題】二次元フォトニック結晶の面内方向の外側に漏れる光のロスと、発光に寄与せず吸収層として働いてしまうことによる活性層での吸収ロスとを抑制し、光の利用効率を向上させることが可能となる二次元フォトニック結晶面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上に、特定の光を吸収するシリコンを含む光吸収層によって形成された光電変換層が、前記基板面に対して垂直な方向に積層された積層構造による受光素子であって、
前記光電変換層が、前記特定の光の波長に対応した光共振器を形成する前記積層構造中に配された一対の多層膜反射鏡によって狭持された構造を備え、
前記一対の多層膜反射鏡による光共振を可能とした構成とする。 （もっと読む）

【課題】 光電変換装置において、保護絶縁膜の構造を変えることなく、入射光の波長に対しての出力の波（リップル）を低減する。
【解決手段】 本発明は上記課題に鑑み、複数の光電変換領域と、前記複数の光電変換領域上に配された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に接して配された、該層間絶縁膜とは異なる屈折率を有する保護絶縁膜と、を有する光電変換装置において、各光電変換領域の受光面に配された凹部と、該凹部を埋め込む埋込領域とを有し、前記凹部の深さｄは各第一半導体領域への入射光の波長をλとし、前記埋込領域の屈折率をｎとしたとき、ｄ≧λ／４ｎであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】受光領域を覆う絶縁膜の透過率を向上させる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】複数の受光領域を備える固体撮像装置が提供される。複数の受光領域のそれぞれの上に、赤色、青色、及び緑色の何れかの光を透過するカラーフィルタが形成されており、赤色又は青色の光を透過するのカラーフィルタが形成されている受光領域の上には、当該受光領域と当該カラーフィルタとの間に、第１の光透過膜、第１の反射防止膜、第２の光透過膜、第２の反射防止膜、及び第３の光透過膜が順に形成されており、緑色の光を透過するカラーフィルタが形成されている受光領域の上には、当該受光領域と当該カラーフィルタとの間に、第１の光透過膜、第１の反射防止膜、第２の光透過膜、及び第３の光透過膜が順に形成されており、第１及び第２の反射防止膜の屈折率は、第１乃至第３の光透過膜の何れの屈折率よりも高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】受光部の受光面に、画素間のばらつきなく均一にホール蓄積層を形成して、界面準位に起因した暗電流を抑制することが可能な裏面照射型の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板２０１の第１面２０１ａ側に形成された配線層２０３と、第１面２０１ａ側とは反対側の第２面２０１ｂ側から入射される光を光電変換する受光部２０２とを有する裏面照射型の固体撮像装置であって、受光部２０２の受光面上に、自発分極を有する材料からなる自発分極膜２０４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】
複雑な製造工程を必要とする多層膜干渉フィルタを使用したイメージセンサでは製造工程が複雑となり、歩留まりの低下という製造技術上の課題や、適用範囲を狭めるといった応用面での課題があった。
【解決手段】
イメージセンサの画素領域に、第一の透明層と第二の透明層から成る２層構造を設け、それぞれの透明層の屈折率と厚さを選択することにより、画素毎に異なった光透過波長特性を持たせる。 （もっと読む）

【課題】製造工程の削減および製造コストダウンを実現でき、かつ感度不良、スミア不良および白傷不良の虞のない固体撮像素子およびその製造方法を提供することにある。
【解決手段】センサ１０が形成されたＳｉ基板２と、Ｓｉ基板２表面に形成されたＳｉＯ_２膜１４と、センサ１０から読み出された信号電荷を転送する、ＳｉＯ_２膜上に形成されたゲート電極部１６と、ＳｉＯ_２膜１４およびゲート電極部１６上に、プラズマＣＶＤ法によって形成されたＳｉＮ膜１８および１８’と、ＳｉＮ膜１８および１８’と屈折率の異なる、ＳｉＮ膜１８および１８’上に形成されたＳｉＯ_２膜２０と、センサ１０に対応する開口を有する、ＳｉＯ_２膜２０に形成された遮光膜２２と、を備えている固体撮像素子１。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、スミアを抑制する。
【解決手段】固体撮像装置５０において、半導体基板１０の上部に設けられ、光電変換により電荷を生成する光電変換領域１１と、光電変換領域１１の側方で且つ半導体基板１０上に設けられた転送電極４と、転送電極４上を覆うと共に光電変換領域１１上に開口部を有する遮光膜６とを備える画素が複数配列されている。少なくとも一つの画素において、光電変換領域１１上に、遮光膜６と重なることを避けて開口部内に形成された反射防止膜１６ａを備える。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型の画素構造を採用する場合であっても、遮光膜の形成部分に対して選択的なアニール処理を可能にして、サーマルバジェットによる制限を超えることなく当該遮光膜の下方部分における暗電流発生を改善する。
【解決手段】半導体基板３０に光電変換を行う受光部３１を形成する工程と、前記半導体基板３０の受光面側を覆う絶縁膜３２ａ，３２ｂを形成する工程と、前記絶縁膜３２ａ，３２ｂ上を前記受光部３１に対応しつつ部分的に覆う金属遮光膜３３を形成する工程と、前記金属遮光膜３３にマイクロ波を照射して当該金属遮光膜３３を加熱し、前記絶縁膜３２ａ，３２ｂにおける当該金属遮光膜３３との積層部分に対して選択的なアニール処理を行う工程と、を含んで固体撮像装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】新規な光吸収能の高い薄膜からなる有機半導体を提供し、高光電変換効率、低暗電流性、応答信号強度が印加電圧に対して一定の値を示す有機半導体を含む光電変換素子、該光電変換素子を含む固体撮像素子を提供する。
【解決手段】下記の一般式（Ｉ）で示される化合物である有機半導体、該有機半導体を含む、光電変換素子、及び固体撮像素子。
一般式（Ｉ）


式中、Ｒ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_１３、Ｒ_１４、Ｒ_１５はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ_１１とＲ_１２およびＲ_１２とＲ_１３はそれぞれ連結して環を形成してもよい。Ｂ_１は少なくとも一つの窒素原子を含む環構造を表す。ｎ１は０〜２の整数を表す。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードのリーク電流を抑制することができる光電変換装置、及びその製造方法を提供すること
【解決手段】本発明にかかる光電変換装置は、基板１上に形成された薄膜トランジスタ１０１と、薄膜トランジスタ１０１のドレイン電極７と接続し、上部電極１２と下部電極１０との間に光電変換層１１が設けられたフォトダイオード１００と、少なくとも上部電極１２を覆う第２パッシベーション膜１３と、第２パッシベーション膜１３の上層に設けられ、薄膜トランジスタ１０１及びフォトダイオード１００を被覆する第３パッシベーション膜１４と、第２パッシベーション膜１３及び第３パッシベーション膜１４に設けられたコンタクトホールＣＨ３を介して、上部電極１２に接続するバイアス配線１６と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】水分遮断を確保しつつ、画素部周辺の周辺回路部における微細トランジスタの閾値経時変動に関する信頼性を損なうことなく、画素部表面の暗電圧を良好に低減する。
【解決手段】水素供給源となるパッシベーション膜８が、画素部１１Ａ上と周辺回路部１１Ｂ上とで異なる残留水素量に設定（膜厚および／または膜質、膜質は成膜してからエッチング除去するので画素部１１Ａ上と周辺回路部１１Ｂ上とで一定）されている。これによって、熱をかけるシンター処理で画素部１１Ａと周辺回路部１１Ｂでパッシベーション膜８から半導体表面部への水素供給量を別々に制御できる。 （もっと読む）

【課題】受光素子における感度低下が防止され、かつマイクロレンズ下方にパッシベーション膜を有する信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】受光素子１０１を有する半導体基板１００と、前記半導体基板上に形成されたシリコン酸化膜１０２と、前記シリコン酸化膜上に形成され、銅が埋め込まれて形成された配線層１０３を含む複数の配線層間膜１０２と、最上層の前記配線層間膜１０２ａ上に形成され、Ｓｉ−Ｈ結合の濃度がＮ−Ｈ結合の濃度より小さいシリコン窒化膜１０６、１１０と、を備える。 （もっと読む）