【課題】固体撮像装置の感度の低下を抑制しつつ、混色を低減させる。
【解決手段】赤色用イメージセンサ３ｒの光電変換部１２ｒは、青色用イメージセンサ３ｂの光電変換部１２ｂおよび緑色用イメージセンサ３ｇの光電変換部１２ｇに対して光入射面から深い位置に配置する。 （もっと読む）

【課題】アノードになる電極とカソードになる電極を確定できる光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子１の半導体層１０に凸層１１を形成する。導電層４０を凸層１１の一側面に接触するようにして半導体層１０の表面に積層する。第１電極２１を凸層１１の反対側の面に接触するようにして半導体層１０の表面に設ける。第２電極２２を導電層４０に設ける。更に、凸層１１又は導電層４０に多数の周期構造３３を含む金属ナノ構造３０を積層する。各周期構造３３は複数の第１凸部３１からなり、第１凸部３１の配置間隔が周期構造３３に応じて異なる。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比の異なる複数の開口下部に接続される配線に対して最適な処理を施すことができるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、第１の半導体基板と第２の半導体基板が接合された半導体基板の第１の開口の下部配線と、貫通接続孔と異なるアスペクト比の第２の開口の下部配線に対して、バリアメタル膜の成膜と、スパッタガスによる物理エッチングを同時に行うアンカー処理工程が含まれる。本技術は、例えば、固体撮像装置などの半導体装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】感度の低下を抑制しつつ、混色を低減させることが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】イメージセンサ３ｂ、３ｇは、ダイクロイックプリズム２ｂ、２ｇ、２ｒにて分離された青色光Ｂおよび緑色光Ｇの光電変換を画素ごとに行い、イメージセンサ３ｒは、イメージセンサ３ｂ、３ｇに対して光の吸収係数が異なる光電変換部が画素ごとに設けられ、ダイクロイックプリズム２ｂ、２ｇ、２ｒにて分離された赤色光Ｒの光電変換を画素ごとに行う。 （もっと読む）

【課題】加工精度を維持しつつ、固体撮像装置の特性劣化を抑制する。
【解決手段】固体撮像装置に設けられるカラーフィルタは、格子状に形成される、複数の画素のうちの所定の画素に対応した所定の色成分のフィルタと、所定の色成分のフィルタが形成される領域以外の領域に形成される、他の画素に対応した他の色成分のフィルタと、所定の色成分のフィルタと他の色成分のフィルタとの境界に、光透過率を減衰させる光減衰膜とを備え、所定の色成分のフィルタが形成される領域は、少なくとも一部で互いに結合し、他の色成分のフィルタおよび光減衰膜の底面は、所定の色成分のフィルタの底面より低い。本技術は、例えばCMOSイメージセンサに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】良好な感度特性およびスミア特性を両立する撮像機能を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】画素２１は、全ての画素２１において同時に光電変換部３１で発生した電荷をメモリ部３３に転送し、メタルゲート６１、６２を有する転送部３２、３４と、転送部３２、３４の周囲の層間絶縁膜６７を掘り込むことにより形成された溝部にメタル６６を埋め込むことにより形成される遮光部とを有する。また、遮光部は、その先端部が、転送部の周囲において、層間絶縁膜６７と半導体基板５１との間に形成されるライナー膜６５の膜厚よりも半導体基板側に突出するように形成される。 （もっと読む）

【課題】電磁適合性（ＥＭＣ）の問題を改善することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】第１主面と第２主面とを有する半導体基板１０と、第１主面上に形成され、入射光を電気信号に変換するセンサ部３１と、第１主面上に形成されたロジック回路１２と、センサ部３１及びロジック回路１２上に形成され、電磁波を遮断するシールド層１４と、第２主面上に配置されたカラーフィルタ３７と、カラーフィルタ３７上に配置されたマイクロフィルタ３８とを有する。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードに蓄積された電荷をより正確に読み出す。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板１１と、半導体基板１１内に設けられ、第１導電型の半導体層を有するフォトダイオード１６と、フォトダイオード１６上に設けられ、上部又は全体が第２導電型の半導体層からなるシールド層２７と、半導体基板１１に設けられ、フォトダイオード１６に蓄積された電荷を浮遊拡散層に転送する転送トランジスタ２０とを含む。シールド層２７の上面は、半導体基板１１の上面より高い。 （もっと読む）

【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を、酸化物半導体層上のゲート絶縁層及び絶縁層の開口を埋め込むように設ける。ソース電極層を設けるための開口とドレイン電極層を設けるための開口は、それぞれ別のマスクを用いた別のエッチング処理によって形成される。これにより、ソース電極層（またはドレイン電極層）と酸化物半導体層が接する領域と、ゲート電極層との距離を十分に縮小することができる。また、ソース電極層またはドレイン電極層は、開口を埋め込むように絶縁層上に導電膜を形成し、絶縁層上の導電膜を化学的機械研磨処理によって除去することで形成される。 （もっと読む）

【課題】センサ部での光の利用効率の低下を防止することができる電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】互いに交差して配設された複数の走査配線及び複数の信号配線の各交差部と、２次元状に配列された複数のセンサ部であって、各々が、検出対象とする画像を示す電磁波が照射されることにより電荷が発生する半導体層、半導体層の電磁波が照射される照射面側に電磁波に対して透過性を有する導電性部材により形成され、半導体層に対してバイアス電圧を印加する第１電極、及び半導体層の電磁波に対する非照射面側に形成され、半導体層に発生した電荷を収集する第２電極を備えた複数のセンサ部と、センサ部よりも電磁波の下流側に形成され、各々コンタクトホールを介して第１電極に接続されてバイアス電圧を供給する共通電極配線と、走査配線と、信号配線及び共通電極配線との間に形成されている第１の絶縁膜と、を備え、信号配線及び共通電極配線は同層に形成。 （もっと読む）

【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】酸化物半導体膜、ゲート絶縁膜、及び側面に側壁絶縁層が設けられたゲート電極層が順に積層されたトランジスタを有する半導体装置において、ソース電極層及びドレイン電極層は、酸化物半導体膜及び側壁絶縁層に接して設けられる。該半導体装置の作製工程において、酸化物半導体膜、側壁絶縁層、及びゲート電極層上を覆うように導電膜及び層間絶縁膜を積層し、化学的機械研磨法によりゲート電極層上の層間絶縁膜及び導電膜を除去してソース電極層及びドレイン電極層を形成する。 （もっと読む）

【課題】分子検出および識別に応用する多接合フォトダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】多接合フォトダイオードは、第１導電型ドーパントを有する基板と、第１導電型ドーパントを有するエピタキシー層と、第２導電型ドーパントを有する深ウェル領域と、第１導電型ドーパントを有する第１ウェル領域と、第２導電型ドーパントを有する第２ウェル領域と、第１導電型ドーパントを有する第３ウェル領域と、第２導電型ドーパントを有する第１ドープ領域とを含む半導体装置を提供する。エピタキシー層は、基板の上に配置され、深ウェル領域は、エピタキシー層の中に配置される。第１ウェル領域は、エピタキシー層に接続された３つの側辺を有し、深ウェル領域の中に配置される。第２ウェル領域は、第１ウェル領域の中に配置される。第３ウェル領域は、エピタキシー層に接続された３つの側辺を有し、第２ウェル領域の中に配置される。第１ドープ領域は、第３ウェル領域の中に配置される。 （もっと読む）

【課題】グローバルシャッタ機能を有し、白点及び暗電流の抑制が可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】
半導体基体３１と、半導体基体３１に形成されているフォトダイオード３２と、フォトダイオード３２に蓄積された信号電荷が転送される浮遊拡散領域３５とを備える。さらに、半導体基体３１内において浮遊拡散領域３５を覆う半導体基体面と平行な水平遮光部３２Ａと、半導体基体３１面と垂直な垂直遮光部３２Ｂとからなる遮光層３２とを備える固体撮像素子３０を構成する。 （もっと読む）

【課題】焦電型光検出器の検出出力を高めること。
【解決手段】焦電型光検出器は、基板１０と、基板上に支持される支持部材２１５と、支持部材に接して形成されている焦電型光検出素子２５１と、を有する。焦電型光検出素子２５１は、支持部材側に設けられる第１電極２３４と、第１電極と対向して設けられ、平面視における面積が、第１電極より小さい第２電極２３６と、第１電極２３４と第２電極２３６との間に設けられる焦電体２３２と、を含むキャパシター２３０を有する。焦電型光検出素子２５１はさらに、キャパシター上に形成されている光吸収層２７０を含む。平面視における光吸収層の面積を受光部面積Ａａとし、平面視における第２電極の面積をキャパシター面積Ａｃとし、Ａａ／Ａｃは、２．０＜Ａａ／Ａｃ＜４９．０を満足する。 （もっと読む）

【課題】画素部の金属汚染や受光部の光電変換素子表面へのＲＩＥによるダメージの発生を抑制することができる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、固体撮像素子は、所定の波長の光を透過させるカラーフィルタ５１Ｌ，５１Ｍ，５１Ｓと、カラーフィルタ５１Ｌ，５１Ｍ，５１Ｓを透過する光を検出するフォトダイオードＰＤと、を含む画素Ｐ_L，Ｐ_M，Ｐ_Sを、異なる波長の光を検出するように複数有する絵素が、所定の周期で２次元的に基板１１上に配置される。絵素中の最も長い波長の光を検出する画素Ｐ_Lは、基板１１の光の入射面と対向する面側のフォトダイオードＰＤ上に設けられる保護膜１２と、保護膜１２上に設けられ、厚さ方向に貫通する円柱状の孔が２次元的に配置される回折格子部２０Ｌと、を備える。回折格子部２０Ｌは、画素Ｐ_Lに設けられるカラーフィルタ５１Ｌを透過する光を反射させるように孔の径と配置される周期が選択される。 （もっと読む）