【課題】能動ピクセルセンサの色フィルタアレイを提供する。
【解決手段】それぞれが六角形の形状を有する複数個のフォトダイオードを備えたイメージセンサであって、前記イメージセンサは、さらに、前記複数個のフォトダイオードのうちの１つである第１フォトダイオードと、前記複数個のフォトダイオードのうちの２つである、前記第１フォトダイオードの側面に配置される第２及び第３フォトダイオードと、前記第１、第２及び第３フォトダイオード上に配置されるそれぞれの色フィルタと、を備え、前記第１、第２及び第３フォトダイオードの色フィルタは、相異なる色であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高感度化を図ることが可能な距離センサ及び距離画像センサを提供すること。
【解決手段】電荷発生領域は、矩形形状を呈し且つ第１の方向Ｄ１に伸びる第１の領域Ｒ１内に配置される。信号電荷収集領域は、第１の領域Ｒ１の辺Ｒ１ａ，Ｒ１ｂ側に設けられ且つ第１の方向Ｄ１での位置が互いにずれている複数の第２の領域Ｒ２内に配置される。第２の領域Ｒ２は、第１の領域Ｒ１と重複する部分の縁が第１の方向Ｒ１と交差する方向に伸びる２辺Ｒ２ａ，Ｒ２ｂを含む。信号電荷収集領域は、その縁が辺Ｒ２ａ，Ｒ２ｂに沿って伸びる辺ＦＤ１ａ，ＦＤ１ｂ，ＦＤ２ａ，ＦＤ２ｂを含む。転送電極は、信号電荷収集領域の辺ＦＤ１ａ，ＦＤ１ｂ，ＦＤ２ａ，ＦＤ２ｂに沿って伸びる部分を有する。電荷発生領域は、その縁が第２の領域Ｒ２の２辺Ｒ２ａ，Ｒ２ｂに沿って伸びる２辺を含む。 （もっと読む）

【課題】撮像画像の画像品質を向上する。
【解決手段】複数のフォトダイオード２１について、水平方向ｘで隣接するものが、垂直方向ｙにおいてシフトした位置になるように配置する。第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂとについて、水平方向ｘで隣接するものが、垂直方向ｙにおいてシフトした位置になるように配置する。そして、フォトダイオード２１（画素Ｐ）と第１転送電極３１Ａとについて、垂直方向ｙにおける中心部が水平方向ｘに沿って並ぶように設ける。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で、且つ焦点検出用の画素を撮像画素としても兼用可能な固体撮像素子、およびこれを用いた撮影装置を提供する。
【解決手段】撮影装置２のＣＣＤ１１は、素子構造が対称な第一画素３８ａ、第二画素３８ｂと、各画素３８ａ、３８ｂ同士を分離する素子分離層４８に独立した電圧印加を可能とするＬＣＳ端子３７とを有する。瞳分割位相差検出方式による焦点検出を行う場合は、各画素３８ａ、３８ｂの受光部３０が左右対称に変形するようＬＣＳ端子３７に所定電圧よりも正負いずれかの側にシフトした電圧（素子分離層４８がｐ型半導体の場合は所定電圧よりも負側にシフトした電圧、ｎ型半導体の場合は所定電圧よりも正側にシフトした電圧）が印加される。画像データを生成する場合は、各画素３８ａ、３８ｂの受光部３０に変形が生じず各画素３８ａ、３８ｂの受光特性が等しくなるようＬＣＳ端子３７に所定電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】単位画素列を構成する各列の画素で１つの読出部を共有した場合であっても、各列の画素に同一フレームの画素信号を出力させる。
【解決手段】画素列２１＿Ｂ，２１＿Ｇ，２１＿Ｒは、それぞれ、隣接する２列の画素ＧＥ毎に１個の単位画素列２２＿Ｂ，２２＿Ｇ，２２＿Ｒを構成している。読出部５３は、各単位画素列２２に対応して複数設けられ、奇数列の画素ＧＥ＿Ｏとそれに隣接する偶数列の画素ＧＥ＿Ｅとによって共有されている。偶数列の画素ＧＥ＿Ｅは、奇数列の画素ＧＥ＿Ｏに対して、垂直方向下向きにＯ＝（１／８）・Ｐ＝（１／６）・Ｗずらして配置されている。 （もっと読む）

【課題】フラッシュ発光量の算出までのタイムラグを短くでき、外光（他者のフラッシュ光等）の影響も小さくする。
【解決手段】ＣＭＯＳ型固体撮像素子の複数の画素のうち奇数行又は偶数行の一方の画素行でなるＡ群画素と他方の画素行でなるＢ群画素とに対し別々にグローバルリセット信号を時間差を持って印加し、該時間差内でフラッシュ発光源をプリ発光させ、該プリ発光が行われたときＡ群画素による撮像画像データとＢ群画素による撮像画像データとを交互に読み出し、両撮像画像データの差分から、本撮影時のフラッシュ発光量を調光する。 （もっと読む）

【課題】光電変換部表面で発生する電荷による偽信号を低減する固体撮像素子を提供する。
【解決手段】電荷転送部は半導体基板内に形成された電荷転送路３と、該電荷転送路３を覆うように設けられた電荷転送電極１２とを含み、光電変換部は、電荷蓄積層となる第一導電型の下方不純物領域２ａと、第二導電型の表面不純物領域２ｂとを含み、電荷転送路と光電変換部との間に形成された電荷読み出し領域４と、電荷転送路３と光電変換部との間の領域のうち、電荷読出し領域４を除く領域に形成された素子分離領域５と、を備え、電荷転送電極１２は、素子分離領域５が形成された領域の少なくとも一部において、電荷転送電極１２の一部が半導体基板内部まで延在し、電荷転送電極１２が半導体基板内部まで延在した領域における素子分離領域５と、表面不純物領域２ｂとの間に、光電変換部の表面で発生した電荷が前記素子分離領域への移動を抑制するバリア領域７を形成する。 （もっと読む）

デジタル画像の解像度を増大することは、斜めに配置されたカラー部分画素アレイを用いて画素をサンプリングしかつサンプリングされた画素データから欠落した画素を生成することにより開示される。第１の方法は、デジタルカラー撮像画素をそれぞれ他の直交の表示画素へマッピングすることである。欠落した表示画素は、隣接するカラー撮像画素からデータを補間しかつ隣の表示画素からカラー情報を平均化することにより計算される。この平均化することは、均等に周辺画素に重み付けをし、又は強度情報に基づき周辺画素に重みを与えることにより行われ得る。第２の方法は、補間の代わりに計算したカラー撮像部分画素データを利用することである。直交表示のための欠落したカラー画素は、画素のロウカラー画素間において形成された部分画素アレイから直接的に得ることができる。
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【課題】寄生容量を低減し、高性能化を図った固体撮像装置等の半導体装置とその製造方法、前記固体撮像装置を備えたカメラ等の電子機器を提供するものである。
【解決手段】本発明の半導体装置は、２つ以上の半導体チプ部２２，２６が貼り合わされた積層半導体チップ２７を有する。積層半導体チップ２７では、少なくとも第１の半導体チップ部２２に画素アレイ２３と多層配線層４１が形成され、第２の半導体チップ部２６にロジック回路２５と多層配線層５５が形成される。第１の半導体チップ部２２には、一部の半導体部分が全て除去された半導体除去領域５２が形成され、半導体除去領域５２内に第１の半導体チップ部２２と第２の半導体チップ部２６との間を接続する複数の接続配線６７が形成される。この半導体装置は、裏面照射型の固体撮像装置として構成される。 （もっと読む）

ピクセル型画像検出器において共有電荷を提供するシステム及び方法が提供される。一つの方法は、ピクセル型固体フォトン検出器に、電荷分布が少なくとも２個のピクセルによって検出されるような構成として複数のピクセルを設けるステップと、少なくとも２個のピクセルから電荷情報を得るステップとを含んでいる。この方法はさらに、得られた電荷情報に基づいて電荷分布の複数のピクセルとの相互作用の位置を決定するステップを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】画素サイズの微細化に伴う飽和信号量のばらつきを抑制できる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】画素共有単位がアレイ状に配列された画素部と、画素共有単位の各転送トランジスタの転送ゲート電極に接続されて、上面から見て水平方向に延長しかつ垂直方向に並行して配列された転送配線３５〜３８を有する。さらに、上面から見て画素共有単位内の所要の転送配線に隣接して、転送配線と並行して配列された並行配線５７〜６０を有する。そして、並行配線に、転送ゲート電極の電位変動を抑制する電圧が供給される。 （もっと読む）

【課題】記録画像の撮像と位相差の検出を同時に行うことができ、記録画像の全体に対してＡＦを行うことができ、記録画像の劣化を防止できる撮像素子及び撮像装置を提供する。
【解決手段】２次元状に配置された複数の画素を有し、各画素が入射光を光電変換して信号電荷を生成する撮像素子であって、画素が、入射光を集光するマイクロレンズと、マイクロレンズと該マイクロレンズの焦点との間に設けられた第１の光電変換部と、マイクロレンズの焦点と重なる位置に設けられ、かつ、マイクロレンズの光軸に対して偏った方向に光電変換領域を有する第２の光電変換部と、信号電荷を読み出す信号読出部と、を有し、複数の画素は、第２の光電変換部の光電変換領域が光軸に対して所定の方向に偏る第１画素群と、第２の光電変換部の光電変換領域が光軸に対して第１画素群の反対側に偏る第２画素群とを含む。 （もっと読む）

【課題】転送効率を低下させることなく、暗電流の発生をも抑制し、白点等の欠陥が抑制された固体撮像装置を提供する。
【解決手段】受光部ＰＤに面する側の側面がテーパ形状とされた転送ゲート電極１８を有する構成とする。受光部ＰＤは、基板１２の最表面に形成される第１導電型の高濃度不純物領域からなる暗電流抑制領域２５と、暗電流抑制領域２５の下部に形成される第２導電型の不純物領域からなる電荷蓄積領域２４、とから構成され、受光量に応じた信号電荷を生成する。また、転送ゲート電極１８は、基板１２上部の受光部ＰＤに隣接する領域にゲート絶縁膜１３を介して形成され、側面にサイドウォールＳＷを有する。転送ゲート電極１８の側面をテーパ形状とすることにより、その側面に形成されるサイドウォールＳＷの厚みが制御される。このサイドウォールＳＷ越しにイオン注入することにより、形成領域が制御された暗電流抑制領域２５が形成される。 （もっと読む）

【課題】入射電磁波によって励起される表面プラズモン・ポラリトンに基づき発生した近接場光を応用し、色情報を確実に再現し得る２次元固体撮像装置を提供する。
【解決手段】２次元固体撮像装置は、２次元マトリクス状に配置された画素領域を有し、各画素領域は、複数の副画素領域から構成されており、入射電磁波の波長よりも小さい開口径を有する開口部が設けられた金属層３０及び光電変換素子２１が絶縁膜３１を挟んで配置されており、開口部に対して少なくとも１つの光電変換素子２１が配置されており、開口部３１の射影像は光電変換素子２１の受光領域内に含まれており、開口部３１は入射電磁波によって励起される表面プラズモン・ポラリトンに基づき共鳴状態を発生させるように配列されており、共鳴状態により開口部近傍において発生する近接場光を光電変換素子２１にて電気信号に変換する。 （もっと読む）

【課題】
画像の画質劣化を抑えつつ、通信の感度低下や手ぶれの影響等を抑えて、可視光通信を行なう。
【解決手段】
撮像素子１０３上に画像取得用画素１３２と通信用受光部１３１を設け、画像取得用画素１３２は画像を撮像するために格子状に配列された画素配列とし、通信用受光部１３１は少なくとも２つの画像取得用画素を取り囲む領域よりも広範囲に広がっていると共に前記画像取得用画素の隙間に入り込む形状を有する構造とし、通信用受光部のサンプリングレートを画像取得用画素のサンプリングレートより速くする。 （もっと読む）

【課題】２つの光電変換素子で１つの電荷転送路を共有する構成の固体撮像素子であって、光電変換素子から電荷転送路へ電荷を読み出す際の読み出し電圧を均一化することのできる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】２つの光電変換素子列で１つの垂直電荷転送路３を共有する固体撮像素子であって、垂直電荷転送路３とそれに隣り合う２つの光電変換素子列の各光電変換素子１との間に設けられた読み出しゲート２と、全ての底面がゲート絶縁膜１１に接する転送電極４と、それぞれ互いに重なることなくその一部が転送電極４と重なっている転送電極５，７と、その一部が転送電極５，７の各々と重なっている転送電極６とを備え、転送電極５，７のそれぞれの下に読み出しゲート２が存在する。 （もっと読む）

【課題】撮像した画像の周辺部分でスミアの発生により異なる色付きが発生することを防止することができる撮像装置を提供する。
【解決手段】ＣＣＤ２２は、受光した光の光量に応じて電荷を蓄積する複数の受光素子８０を垂直方向に沿って配列した素子列８２を水平方向に並列に複数列配置した半導体基板９０と、半導体基板９０上の光の入射側に設けられ、所定の色パターンを有して各々の前記受光素子に対して何れかの色成分の光を透過するカラーフィルタと、各々の素子列８２に対応して並列に配置され、対応する素子列８２の各受光素子８０に蓄積された電荷を転送する複数の垂直転送路８６と、を備えており、半導体基板９０上における光学ユニット２０から入射した光の光軸に対応する位置を含む垂直方向に沿った境界線を境として分割した領域の素子列８２と当該素子列８２に対応する垂直転送路８６との水平方向における並び順を逆としている。 （もっと読む）

【課題】撮像画像の画像品質を向上させる。
【解決手段】撮像領域ＰＡの中心から周囲へ離れるに伴って、第１のピッチＰ１が広がると共に、受光面ＪＳの面積が広がるように、フォトダイオード２１を形成する。撮像領域ＰＡの中心から周囲へ離れるに伴って、第２のピッチＰ２が広がる部分を含むように、電極遮光層４１を形成する。撮像領域ＰＡの中心から周囲へ離れるに伴って、第３のピッチＰ３が広がる部分を含むように、画素分断遮光層４２を形成する。 （もっと読む）

【課題】電子ズームにおいて良好な画質を実現できる撮像素子と、これを有する光学機器を提供する。
【解決手段】複数の受光素子を第１方向（Ｈ）に沿って配列した受光素子列を前記第１方向と交差する第２方向（Ｗ）に沿って配列すると共に、前記受光素子列の前記第２方向の配列ピッチ（Ｑ）を、前記第２方向に沿った複数の前記受光素子列の配列の中央部の配列ピッチが前記第２方向に沿った前記複数の受光素子列の配列の端部の配列ピッチよりも小さくなるようにしたことを特徴とする撮像素子１０。 （もっと読む）

【課題】位相差検出方式の焦点検出を精度良く行えるとともに、画素の微細化が進んでも良好な製造が可能な位相差検出機能付き撮像素子の技術を提供する。
【解決手段】撮像素子には、撮影光学系の射出瞳において水平方向(Ｘ方向)に沿って互いに逆向きに偏った左側・右側部分を通過した各光束Ｔａ、ＴｂをマイクロレンズＭＬｐを介して受光する一対の光電変換部ＰＤと、垂直方向(Ｙ方向)に沿って配置される配線部材としてのメタル４５、４６とを備えて位相差ＡＦを実現するＡＦ画素対１１ｆｐが設けられている。このＡＦ画素対１１ｆｐでは、マイクロレンズＭＬの下方に非遮光性の空間が形成され、この空間に近接するメタル４５、４６との間にスペースＳＰが設けられている。その結果、撮像素子において位相差ＡＦを精度良く行え、画素の微細化が進んでも良好に製造できる。 （もっと読む）