【課題】ダーク成分やシェーディングの影響の抑制し、読み取り速度の高速化を図る。
【解決手段】リニアセンサ１０は、１次元方向に配列された複数の第１光電変換部１１ａを有する第１センサ列１２ａと、１次元方向に配列された複数の第２光電変換部１１ｂを有する第２センサ列１２ｂと、各第１光電変換部から信号電荷を読み出して列方向に転送する第１水平転送部１４ａと、各第２光電変換部から信号電荷を読み出して列方向に転送する第２水平転送部１４ｂと、第１水平転送部により転送された信号電荷を検出して出力し、第２水平転送部により転送された信号電荷を検出して出力する出力部１８とを備える。第１光電変換部１１ａは光が入射する開口を有する受光センサであり、第２光電変換部は光が入射する開口が塞がれた遮光センサであり、各遮光センサは各々対応する受光センサに隣接して設けられ、第１センサ列と第２センサ列とが並列に設けられて構成される。 （もっと読む）

【課題】バリア性および耐熱性に優れた光電変換素子およびその製造方法、ならびに撮像素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成された下部電極と、下部電極上に形成され、光が照射されると電荷を発生する有機層と、有機層上に形成された、可視光に対して透明な上部電極と、上部電極上に形成された素子保護層とを有する光電変換素子の製造方法である。この素子保護層を形成する工程は、有機層に対し不活性なキャリアガスを供給し、プラズマを生成する工程と、キャリアガスが供給されてプラズマが生成された状態で、さらにＳｉＨ_４ガス、支燃性ガスおよびアンモニアガスを含む反応性プロセスガスを供給して珪素含有保護膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極の不純物濃度を好適に制御する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第２トランジスタ１７０のゲート電極１７１を半導体基板１に対するマスクとして半導体基板１へイオン注入を行うことにより、第２トランジスタのドレイン１７５を形成するとともに、第２トランジスタ１７０のゲート電極１７１へイオン注入を行う。 （もっと読む）

【課題】 良好な性能を有する光電変換装置を提供する
【解決手段】 光電変換部１１０を覆うとともに、転送ゲート１２０の転送ゲート電極１２１の光電変換部１１０側の側面に沿って延在して転送ゲート電極１２１の上面１２１０を覆う第１保護膜２２０を備え、第１保護膜２２０と光電変換部１１０との間に、第１保護膜２２０の屈折率及び光電変換部１１０の屈折率よりも低い屈折率を有し、第１保護膜２２０と界面を成す第１領域１１が設けられ、第１保護膜２２０と転送ゲート電極１２１の上面１２１０との間に、転送ゲート電極１２１の屈折率及び第１保護膜２２０の屈折率よりも低い屈折率を有し、第１保護膜２２０と界面を成す第２領域２２が設けられており、第１領域１１の光学膜厚をＴ_１、第２領域２２の光学膜厚をＴ_２、光電変換部１１０へ入射する光の波長をλとして、Ｔ_１＜Ｔ_２＜λ／２−Ｔ_１を満たす。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の高い固体撮像素子を提供する。
【解決手段】本発明は、信号読出し回路を有する基板に、画素電極となる下部電極と、下部電極上に形成され、受光した光に応じて電荷を生成する有機光電変換膜と、上部透明電極とが形成された固体撮像素子である。有機光電変換膜において、下部電極が形成された画素電極領域に対応する有機光電変換膜の領域に対して、膜厚および膜質の少なくとも一方が遷移している遷移領域は、有機光電変換膜の外端から２００μｍ以下の領域である。 （もっと読む）

【課題】マイクロレンズをアレイ状に整列使用した固体撮像装置において、該マイクロレンズを除く部分の平坦性を厳しく制御するための繁雑な工程による平坦化層を特別に必要とせずに、均一な特性を有する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】受光部の各画素別の光電変換素子に対応して配置されるマイクロレンズで集光する固体撮像装置において、封止パッケージ用のキャップガラスの光電変換素子側内面にマイクロレンズを配置する。特にリニアセンサーに適している。 （もっと読む）

【課題】光電変換部での飽和の可能性を低減して光電変換部の小型化を可能にし、全体としてのサイズの小型化を可能にする。
【解決手段】分離電極１４ａと蓄積電極１４ｂとが障壁制御電極１４ｃを挟んで配置される。分離電極１４ａと蓄積電極１４ｂと障壁制御電極１４ｃとに正極性の電圧が印加されてウェル１２にポテンシャル井戸が形成された状態で光照射による電子が集積される。その後、障壁制御電極１４ｃに印加された電圧に応じて形成されるポテンシャル障壁の高さが調節されることにより、規定した一定量の不要電荷が電荷分離部で分離される。電子の集積と不要電荷の分離とが複数回繰り返された後、蓄電電極１４ｂに対応して形成された電荷蓄積部に流れ込んだ有効電荷が受光出力として取り出される。 （もっと読む）

【課題】分割出力されたセンサ信号の合成を行う際の処理を容易とするイメージセンサユニットを提供する。
【解決手段】光電変換部ＰＤからのセンサ信号をシフトレジスタＳＲにより２以上に分割して転送する光電変換素子１３を複数個備え、それらの光電変換素子１３_ｋからのセンサ信号を２以上のチャンネルで出力すると共に、光電変換素子１３_ｋより出力される転送終了の制御信号Ｓを分割された２回目以降のセンサ信号の転送開始の制御信号とするイメージセンサユニット４であって、光電変換素子１３_ｋを最大数備えたチャンネルにおける終端に位置する光電変換素子１３_ｋより出力される転送終了の制御信号Ｓを、光電変換素子１３_ｋの全てに入力する。 （もっと読む）

【課題】電源のオン／オフ時に過大な電圧が外部へ出力されることを防止することのできる固体撮像装置およびその駆動方法を提供する。
【解決手段】実施形態の固体撮像装置は、キャパシタ１が、ＣＣＤから出力された信号の交流成分を通過させて、アンプ２へ入力し、クランプパルスにより導通が制御されるクランプゲート３が、導通時に、アンプ２の動作基準点となる直流基準電圧ＶＲＥＦをアンプ２へ出力する。この固体撮像装置は、クランプゲート３へ、ＣＣＤの有効信号出力期間は、第１の直流基準電圧が入力され、電源電圧の立ち上り期間および／または立ち下り期間は、第２の直流基準電圧が入力される。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子に付着したゴミを容易かつ確実に除去する。
【解決手段】少なくとも固体撮像素子の上面に粘着性シート形成用溶液を塗布する塗布工程１と、塗布工程１にて形成された粘着性シートに対して引き剥がす方向の力を加えて、粘着性シートを剥離する剥離工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子に設けるマイクロレンズを、隣接するマイクロレンズとのギャップを狭くして高い集光性能を与えるとともに、各マイクロレンズの形状が均一になるように形成する製造方法を提供すること。
【解決手段】固体撮像素子１０におけるマイクロレンズ７の製造方法であって、マイクロレンズを構成する第一の層８１を設けた後に、マイクロレンズを構成する第二の層８５を、第一の層とは異なる形状で第一の層に積層して設け、その後両層を熱処理して一体化することにより、所望の形状のマイクロレンズを形成する工程を含み、第一の層の形状が、各画素の中央から画素境界に向かう放射状パターンを含み、第二の層の形状が、多角形状の各画素の形状に近く、画素境界を越えない凸図形パターンである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高光電変換効率、低暗電流性、高速応答性を示すと共に、高速で連続して製造した際にも製造ロッド間での応答速度のばらつきが小さい光電変換素子を提供することを目的とする。
【解決手段】導電性膜、光電変換材料を含む光電変換膜、および透明導電性膜をこの順で積層してなる光電変換素子であって、光電変換膜が固体からなる膜であり、該光電変換材料が、一般式（１）で表される化合物を含む、光電変換素子。
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【課題】電荷の転送効率を向上させることができる固体撮像装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】実施形態に係る固体撮像装置の製造方法は、ゲート電極２０を形成する工程、第２の不純物層１７を形成する工程、および第３の不純物層１８を形成する工程、を具備する。ゲート電極２０は、Ｐ型のウェル１６を表面に有する半導体基板１５上に形成される。第２の不純物層１７はＮ＋型であって、ゲート電極２０の位置を基準にして、ゲート電極２０の端部２０ａを貫通する条件で半導体基板１５の表面に対して斜め方向からウェル１６に不純物を注入することにより形成されるものである。第２の不純物層１７は、ウェル１６と接合することによってフォトダイオードを構成し、第２の不純物層１７の端部１７ａは、ゲート電極２０の端部２０ａの下に配置される。第３の不純物層１８は、Ｐ＋型であって、ゲート電極２０から露出した第２の不純物層１７の表面に形成される。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサのカラーフィルターの膜厚のばらつきを低減する。
【解決手段】イメージセンサ構造体は、シリコン基板５１上に配列で形成された複数のイメージセンサと、複数のイメージセンサをダイシングして分離するときに切断される、隣り合うイメージセンサの間のスクライブラインと、から構成される。複数のイメージセンサのそれぞれは、シリコン基板５１上に形成された拡散層５２から構成される複数の光電変換素子と、複数の光電変換素子を囲んで、イメージセンサそれぞれの外周に沿って導体で形成されたガード配線８１と、を備える。そして、スクライブライン部５３に、ガード配線８１と同一のプロセスで同層に形成されたダミー配線８２が形成される。 （もっと読む）

【課題】改良されたカラーマイクロレンズを用いることにより、レンズ自体の色分解性と集光性の適正化を図るとともに、周囲の画素からの光を遮断して、全体として色再現性の良好なカラー固体撮像素子を簡単な製造工程で提供すること。
【解決手段】半導体基板２上に複数の光電変換素子３を平面配置した固体撮像素子画素部の受光面側表面４に、光電変換素子の各々に対応して複数のマイクロレンズ６を設けた固体撮像素子１において、マイクロレンズが所定の分光透過率特性を有する複数色の内の１色の着色透明樹脂からなるカラーマイクロレンズを他の色の着色透明樹脂からなるカラーマイクロレンズと連ねて規則的に繰り返し配列してなり、隣接する異なる色のカラーマイクロレンズが、カラーマイクロレンズの高さより低い遮光性のブラックマトリクスのパターン７により隔てられる。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサにおいて、光検出の精度を向上させることを目的の一とする。また
、フォトセンサの受光面積を広げることを目的の一とする。
【解決手段】フォトセンサは、光を電気信号に変換する受光素子と、電気信号を転送する
第１のトランジスタと、電気信号を増幅する第２のトランジスタとを有し、受光素子はシ
リコン半導体を用いて形成され、第１のトランジスタは酸化物半導体を用いて形成されて
いる。また、受光素子は横型接合タイプのフォトダイオードであり、受光素子が有するｎ
層又はｐ層と、第１のトランジスタとが重なって形成されている。 （もっと読む）

【課題】読取速度の高速化したイメージセンサを提供する。
【解決手段】本発明のイメージセンサ１は、ｍ（ｍは２以上の整数）個のスイッチング素子２と、スイッチング素子２の入力端子１０に接続されたｍ個の受光素子３と、スイッチング素子２をｎ（ｎは２以上の整数）個のスイッチング素子群４ごとに分割するとき、スイッチング素子２の切替端子１１に、スイッチング素子群４ごとに接続されたｎ個のシフトレジスタ５と、スイッチング素子２の出力端子１２に、スイッチング素子群４ごとに接続された加算部６と、外部から入力されたクロック信号を１／ｎクロック信号に分周し、分周した１／ｎクロック信号を、所定時間ずつ遅延させながらシフトレジスタ５にそれぞれ出力する分周遅延部７とを備えるものであって、ｍ個のスイッチング素子２の切替端子１１は、スイッチング素子２の配列順に、ｎ個のシフトレジスタ５に、シフトレジスタ５の配列順に接続されている。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子で発生した光電子の転送の際に、光電変換素子に残留する光電子数を軽減させるとともに、光電子の転送の高速化を図る固体撮像装置を提供する。
【解決手段】光を検知して光電子を発生する光電変換素子を有する単位画素と、前記単位画素を駆動する画素駆動部と、を備え、前記光電変換素子は、フォトゲート構造により形成され、前記画素駆動部は、３値の電圧のうち、いずれかの電圧を前記光電変換素子のフォトゲートに印加させることで、前記光電子の発生、転送を行い、前記３値の電圧は、少なくとも、第１電圧と、前記第１電圧より高い第２電圧と、前記第１電圧より大きく且つ前記第２電圧より小さい第３電圧とを有する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の特性劣化を抑制する。
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、半導体基板１０内の画素形成領域内に設けられる光電変換素子５と、半導体基板１０上及び光電変換素子５上に設けられ、光電変換素子の上方に少なくとも１つの凸部４を含む絶縁膜４１と、絶縁膜４１上に設けられる配線層３１と、絶縁膜４１上及び配線層３１上に設けられ、凸部４に対応するように形成された傾斜角を有する段差部６を含む絶縁膜４２と、を含む。 （もっと読む）