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Fターム[4M118FA25]の内容

固体撮像素子 (108,909) | CCD、MOS型固体撮像素子の細部 (13,257) | 分離構造 (2,603)

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【課題】画素部の金属汚染や受光部の光電変換素子表面へのRIEによるダメージの発生を抑制することができる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、固体撮像素子は、所定の波長の光を透過させるカラーフィルタ51L,51M,51Sと、カラーフィルタ51L,51M,51Sを透過する光を検出するフォトダイオードPDと、を含む画素PL,PM,PSを、異なる波長の光を検出するように複数有する絵素が、所定の周期で2次元的に基板11上に配置される。絵素中の最も長い波長の光を検出する画素PLは、基板11の光の入射面と対向する面側のフォトダイオードPD上に設けられる保護膜12と、保護膜12上に設けられ、厚さ方向に貫通する円柱状の孔が2次元的に配置される回折格子部20Lと、を備える。回折格子部20Lは、画素PLに設けられるカラーフィルタ51Lを透過する光を反射させるように孔の径と配置される周期が選択される。 (もっと読む)


【課題】深さ方向に沿って複数の光電変換部が配された光電変換装置において、深い位置に配された光電変換部の光感度を高くするために有利な技術を提供する。
【解決手段】光電変換装置は、光が入射する第1面及び前記第1面の反対側に配された第2面を有する部材と、前記部材の内部に前記第1面から深さ方向に沿って配された複数の光電変換部を含み、前記複数の光電変換部のうち前記第1面から最も近い位置に配された前記光電変換部を除く少なくともいずれか一つは、前記第1面から最も近い位置に配された前記光電変換部よりも高低差が大きい凹凸形状を前記部材との境界面に有しており、前記凹凸形状の境界面は、前記第1面側から入射して前記凹凸形状の境界面に到達した光を局在または共鳴させる。 (もっと読む)


【課題】裏面照射型の固体撮像素子を備えたチップ領域が複数配列された固体撮像素子ウエハにおいて、個片化されるチップ領域のサイズを縮小し、これにより固体撮像素子の小型化を図る。
【解決手段】複数のチップ領域200と、チップ領域200を囲んで配置された分割領域300と、各チップ領域200に設けられた光電変換部20と、各チップ領域200において光電変換部20に対する受光面Aとは逆の表面側に設けられた駆動回路と、駆動回路に接続され各チップ領域200において表面側に引き出されたデバイス用端子33と、駆動回路に接続され分割領域300において受光面A側に露出された検査用端子400とを備えた固体撮像素子ウエハ100−1である。 (もっと読む)


【課題】 光電変換素子間の分離構造を適切なものとすることにより、複数の光電変換素子の信号を用いて1つの信号とする場合に所望の信号を得ることを目的とする。
【解決手段】 光電変換ユニットに含まれる光電変換素子の信号を加算する光電変換装置において、光電変換素子のそれぞれは信号電荷を収集する第1導電型の第1半導体領域を含み、光電変換ユニットに含まれ、互いに隣接して配置された光電変換素子の間には第2導電型の第2半導体領域が配され、隣接して配置された異なる光電変換ユニットに含まれる複数の光電変換素子のうち互いに隣接して配された光電変換素子の間には第2導電型の第3半導体領域が配され、第2半導体領域の不純物濃度は、前記第3半導体領域の不純物濃度よりも低い。 (もっと読む)


【課題】光学的な干渉を抑制することが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基体31と、半導体基体31の第1主面上に形成された、Geを含む第1半導体層32とを備える固体撮像素子30を構成する。この固体撮像素子30は、半導体基体31の第2主面に形成された転送トランジスタTr1と、第1半導体層32を含む領域に形成されたフォトダイオード33とを備える。 (もっと読む)


【課題】固体撮像装置の暗電流の低減に有利な技術を提供する。
【解決手段】光電変換部を有する固体撮像装置の製造方法は、原料ガスとしてヘキサクロロジシランを用いて、前記光電変換部の少なくとも一部を覆うように減圧CVD法によって窒化シリコン膜を形成する工程を含む。 (もっと読む)


【課題】各マイクロレンズに対して複数の画素が割り当てられた構成を有する固体撮像装置における感度の向上に有利な技術を提供する。
【解決手段】互いに反対側の面である第1面および第2面を有する半導体基板を含む固体撮像装置は、複数の画素集合が配列された画素アレイと、各画素集合に対して1つのマイクロレンズが割り当てられるように配置された複数のマイクロレンズとを備え、各画素集合は、複数の画素を含み、各画素は、光電変換部と当該画素における回路の一部を構成する配線パターンとを含み、前記光電変換部は、前記半導体基板に形成され、前記配線パターンは、前記半導体基板の前記第1面の側に配置され、前記複数のマイクロレンズは、前記半導体基板の前記第2面の側に配置されている。 (もっと読む)


【課題】貫通電極と配線との接続部位の抵抗のバラつきを低減させて、配線信頼性を向上させる。
【解決手段】貫通電極用の穴部を設け、配線層に対してオーバエッチングを施す。穴部に銅を埋め込むことにより、銅からなる貫通電極を形成させて、アルミニウムからなる配線と接続させた後、熱処理により貫通電極と配線とが接続される接触領域Gを合金化させることで、貫通電極と配線との抵抗バラつきを低減させて、配線信頼性を向上させる。本技術は、半導体装置と、その製造に適用することができる。 (もっと読む)


【課題】クロストークによる画質劣化を防止することができるMOS型固体撮像素子を提供する。
【解決手段】MOS型の固体撮像素子100は、半導体基板内に二次元状に配置形成されたN型不純物層からなる複数のフォトダイオード(PD)10と、各PD10で発生した電荷に応じた信号を読み出す半導体基板に形成された信号読み出し回路Cとを有する。PD10の行と行の間の境界領域、及び、PD10の列と列の間の境界領域の一方において、当該一方の境界領域の伸びる方向に信号読出し回路Cを構成するMOSトランジスタが配列され、2つの境界領域の他方におけるPD10同士の間の領域の半導体基板には、入射した光に応じて電荷を発生して当該電荷を蓄積するN型不純物層からなる電荷蓄積部11が形成されている。 (もっと読む)


【課題】フォトダイオードの縦方向の微細化を図る。
【解決手段】実施形態に係わる固体撮像装置は、光の入射側の第1の面及びそれと反対側の第2の面を有する半導体基板11と、半導体基板11内のフォトダイオード12と、半導体基板11の第1の面側においてフォトダイオード12の全体を覆い、半導体基板11の外側から内側に向かう光を透過し、半導体基板11の内側から外側に向かう光を反射する機能を有する機能層13と、半導体基板11の第2の面の全体を覆い、半導体基板11の内側から外側に向かう光を反射する機能を有する反射層14とを備える。 (もっと読む)


【課題】光電変換部での飽和の可能性を低減して光電変換部の小型化を可能にし、全体としてのサイズの小型化を可能にする。
【解決手段】分離電極14aと蓄積電極14bとが障壁制御電極14cを挟んで配置される。分離電極14aと蓄積電極14bと障壁制御電極14cとに正極性の電圧が印加されてウェル12にポテンシャル井戸が形成された状態で光照射による電子が集積される。その後、障壁制御電極14cに印加された電圧に応じて形成されるポテンシャル障壁の高さが調節されることにより、規定した一定量の不要電荷が電荷分離部で分離される。電子の集積と不要電荷の分離とが複数回繰り返された後、蓄電電極14bに対応して形成された電荷蓄積部に流れ込んだ有効電荷が受光出力として取り出される。 (もっと読む)


【課題】黒レベルの基準値の検出をより正確に行うことができるようにする。
【解決手段】本開示の撮像素子は、有効画素領域の画素値の黒レベルの基準値を検出するための領域であり、半導体基板外部からの光が遮光膜により遮光されるオプティカルブラック画素領域に、前記オプティカルブラック画素領域の前記半導体基板内部に存在する電荷を、前記オプティカルブラック画素領域の外部に伝送する伝送路領域を備える。本開示は撮像素子、撮像装置、並びに、製造装置および方法に適用することができる。 (もっと読む)


【課題】感度の向上と感度のばらつきの低減のために有利な技術を提供する。
【解決手段】複数の光電変換部を有する半導体層と、前記半導体層の第1面の側に配置された配線構造とを有し、前記半導体層の第2面の側から光が入射する固体撮像装置において、前記配線構造は、前記第2面から前記第1面に向かって前記半導体層を透過した光を前記半導体層に向けて反射する反射面を有する反射部と、前記反射面と前記第1面との間に位置する絶縁膜と、を含み、前記固体撮像装置は、前記第1面に接触して配置された第1の誘電体膜と、前記絶縁膜と前記第1の誘電体膜との間に配置された、前記第1の誘電体膜および前記絶縁膜とは屈折率の異なる第2の誘電体膜と、を備える。 (もっと読む)


【課題】画素間においての混色を防止することが可能で、これにより撮像特性の向上が図られた固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】固体撮像装置1-1は、半導体層30と、半導体層30の内部に半導体層30の表面に対して2次元的に配列されたn+型(第1導電型)の電荷蓄積領域31とを備えている。さらに半導体層30の内部には、半導体層30の表面から電荷蓄積領域31までの深さにわたってp+型(第2導電型)の界面領域37が設けられている。特に、電荷蓄積領域31を囲む位置には、界面領域37に対してp型不純物が追加で導入されたp++型の高濃度領域39が電荷移動防止領域として設けられている。 (もっと読む)


【課題】画素部の性能を損なわず、かつ周辺回路のチップ面積増大によるコストの増大を抑制する撮像素子を提供する。
【解決手段】撮像素子において、画素部101のうち、転送スイッチ203およびFD204およびリセットスイッチ207および増幅MOSアンプ205が第1半導体基板に形成され、列読み出し回路103または出力回路107または駆動回路の少なくとも一部が第1半導体基板以外の第2半導体基板に形成されている。 (もっと読む)


【課題】MOSトランジスタのサイズを変えることなく、ノイズの低減が図られた半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。また、そのMOSトランジスタを備えることにより、ノイズの低減が図られた固体撮像装置とその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】埋め込みチャネル型のMOSトランジスタにおいて、素子分離部24側に接する領域に、斜め方向からのイオン注入により形成した第1の不純物拡散領域14aと、ゲート電極26下の領域全面に形成した第2の不純物拡散領域14bとによりチャネル領域14を構成する。第1の不純物拡散領域14aの形成により、チャネル領域14の素子分離部24側で発生する不純物濃度の低下分を補填でき、実効ゲート幅の拡大が可能となる。 (もっと読む)


【課題】 正確な軟X線の検出を行うことを目的とする。
【解決手段】 本発明に係る軟X線検出装置100は半導体基板2を有する。半導体基板2には複数の検出ユニット1が配され、それぞれの検出ユニット1は変換部3と回路部4とを含む。変換部3は例えばフォトダイオードである。変換部3では軟X線によって発生した電荷が収集される。回路部4には例えば第1導電型(Nチャネル型)の増幅トランジスタ6が配される。増幅トランジスタ6は、変換部3からの信号を増幅して出力する増幅部である。隣接する変換部3の間には第1導電型のトランジスタが配されない。あるいは、隣接する検出ユニットに含まれるトランジスタが、互いに近接して配される。 (もっと読む)


【課題】入射光の反射防止のための微細凹凸構造を画素毎に作り分けるに際し、半導体基板にダメージを与えることなく、低コストで高い信頼性と再現性を得る。
【解決手段】単結晶からなる半導体基板の表面に、半導体基板に対してエッチング選択比を有する保護膜を形成する第1の工程と、保護膜上に、所定のピッチで配置されるドット形状のレジストパターンを形成する第2の工程と、第2の工程により形成されたレジストパターンをマスクとするウェットエッチングにより、保護膜を選択的に除去する第3の工程と、第3の工程により選択的に除去された後に残存する保護膜をマスクとするウェットエッチングにより、半導体基板をエッチング加工することで、半導体基板の表面に所定のピッチで配列される凹凸構造を形成する第4の工程と、第4の工程により凹凸構造を形成した後、半導体基板上に残存する保護膜を除去する第5の工程とを含む固体撮像素子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】周辺領域に配線を設けた裏面照射型の固体撮像装置において、画素領域における絶縁膜の薄膜化を図ることにより光電変換部での受光特性の向上を図る。
【解決手段】光電変換部20が配列形成された画素領域4を有するセンサ基板2と、センサ基板2の受光面Aとは逆の表面側に設けられた駆動回路と、センサ基板2における受光面A上に設けられ、画素領域4の膜厚が周辺領域7の膜厚よりも薄い段差構造を有する絶縁層14と、受光面A側における周辺領域7に設けられた配線8と、絶縁層14上に光電変換部20に対応して設けられたオンチップレンズ19とを備えた固体撮像装置1-1である。 (もっと読む)


【課題】読み出し部の構造の複雑化を抑制しながら、読み出し電圧の低減や読み出し時間の短縮を実現する撮像素子を提供する。
【解決手段】アレイ状に配置される各受光センサ部101が、読み出し用電極103側が長く、対向する側が短い非対称形状を有し、前記アレイ状の配置において、各行は、互いに同一の方向を向く前記受光センサ部101により構成され、前記受光センサ部101の向きが互いに逆の2種類の行が垂直方向に交互に配置される。 (もっと読む)


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