【課題】光電変換部での飽和の可能性を低減して光電変換部の小型化を可能にし、全体としてのサイズの小型化を可能にする。
【解決手段】分離電極１４ａと蓄積電極１４ｂとが障壁制御電極１４ｃを挟んで配置される。分離電極１４ａと蓄積電極１４ｂと障壁制御電極１４ｃとに正極性の電圧が印加されてウェル１２にポテンシャル井戸が形成された状態で光照射による電子が集積される。その後、障壁制御電極１４ｃに印加された電圧に応じて形成されるポテンシャル障壁の高さが調節されることにより、規定した一定量の不要電荷が電荷分離部で分離される。電子の集積と不要電荷の分離とが複数回繰り返された後、蓄電電極１４ｂに対応して形成された電荷蓄積部に流れ込んだ有効電荷が受光出力として取り出される。 （もっと読む）

【課題】光照射により電荷を生成する過程で電荷量を調節することにより光電変換部の小型化を可能にし、全体としてのサイズの小型化が可能になる光検出素子を提供する。
【解決手段】分離電極１４ａと蓄積電極１４ｂとが障壁制御電極１４ｃを挟んで配置される。分離電極１４ａと蓄積電極１４ｂと障壁制御電極１４ｃとに正極性の電圧を印加してウェル１２にポテンシャル井戸を形成した状態で受光し、光照射による電子を集積する。その後、障壁制御電極１４ｃの電圧を制御して、ポテンシャル井戸を電荷分離部と電荷蓄積部とに２分し、電荷分離部の電荷を廃棄し、さらに、電荷蓄積部から電荷分離部に電荷を転送する。その後、障壁制御電極１４ｃに印加した電圧に応じて形成されるポテンシャル障壁の高さを調節することにより、規定した一定量の不要電荷を電荷分離部で分離し、ポテンシャル障壁を越えて電荷蓄積部に流れ込んだ有効電荷を受光出力として取り出す。 （もっと読む）

【課題】微細化に対応することができると共に、画質劣化を抑制することができるＣＭＯＳ型固体撮像素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎ型シリコン基板１にトレンチ加工が施されて設けられた溝部に、ホウ素を含んだアモルファスシリコンが埋め込まれて形成された素子分離層２を備えるＣＭＯＳ型固体撮像素子であって、素子分離層には負電圧が印加される様に構成する。 （もっと読む）

【課題】 飽和特性や感度特性を低下させることなく画素セルを微細化した固体撮像装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 画素分離のためのトレンチ２０３の側壁に設けられた欠陥抑制層２０５とフォトダイオード２０８との境界部分に反転層２０９を設ける。欠陥抑制層２０５はＰ型となっており、フォトダイオード２０８と反転層２０９とはＮ型となっている。ここで、反転層２０９の不純物濃度はフォトダイオード２０８の不純物濃度の２倍以上である。
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【課題】 電荷蓄積領域の実効面積を犠牲にすることなく単位画素の微小化を可能とする固体撮像素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に所定の開口を有するハードマスクを形成する工程と、前記基板に前記開口側に一部延長し、該延長部分が主要部分と異なる不純物濃度を有する前記画素を構成する第１導電型の電荷蓄積領域を形成する工程と、前記電荷蓄積領域の延長部分の、少なくとも一部の第１導電型不純物濃度を、前記電荷蓄積領域の主要部分の形成とは独立に制御する工程と、前記開口下に形成された前記拡散層に接するように、前記開口内に前記絶縁膜を形成する工程とによって固体撮像素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】 実質的な開口率を高くし且つ光感度を向上させたＣＭＯＳイメージセンサとその製造方法を提供する。
【解決手段】 フォトダイオードとリセットトランジスタとソースフォロワトランジスタとを有するピクセルを複数形成されるイメージセンサであって，各ピクセルは，フォトダイオードとリセットトランジスタとの間に電荷転送用のトランスファーゲートトランジスタを有し，リセットトランジスタとトランスファーゲートトランジスタとの接続ノードであるフローティング・ディフュージョン領域がソースフォロワトランジスタのゲートに接続される。そして，各ピクセルのリセットトランジスタ及びソースフォロワトランジスタが形成されるウエル領域の下に，フォトダイオード領域が埋め込まれる。さらに，フォトダイオード領域は，フローティング・ディフュージョン領域の少なくとも一部領域の下には形成されていない。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードの開効率の低下を招くことなく、低電圧を使用してブルーミングを抑制すること。
【解決手段】フォトダイオード部２１とフローティングディフュージョン部２２を有する画素の周りで素子分離絶縁膜２７の下側にオーバーフローパス領域２８を形成し、このオーバーフローパス領域２８の不純物濃度をＮ型シリコン基板２５方向に変化させてポテンシャル勾配を形成することにより、低電圧のＣＭＯＳプロセスでも、オーバーフローパス領域２８に周囲のＰ型ウエル領域２６よりも低いポテンシャルを付与でき、フォトダイオード部２１から溢れた電荷を捕らえてＮ型シリコン基板２５に排出することによって、フォトダイオード部２１の開効率の低下を招くことなく、低電圧を使用してブルーミングを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 マスク微細化の限界を超えた領域上へのマスク形成を可能にし、工程削減を可能し、信頼性の向上を図った固体撮像素子を含む半導体装置、及びその製造方法提供する。
【解決手段】 不純物領域による素子分離領域２３を有し、素子分離領域２３上にイオン注入阻止用マスク２９が残存して成る。イオン注入阻止用マスク２９は、半導体素子の構成要素、例えばＭＯＳトランジスタのゲート制御部２５と同じ構成で形成される。 （もっと読む）

【課題】 同一画素内のシールド電極用のコンタクト部とＰ型ウェル領域用のコンタクト部を形成する場合にコンタクト部の配置面積を縮小して、画素の微細化や撮像特性の向上を図る。
【解決手段】 同一画素内のシールド電極用のコンタクト部とＰ型ウェル領域用のコンタクト部を共用コンタクト部によって形成する。具体的には、シリコン基板のフォトダイオードを設けたＰ型ウェル領域の上部に素子分離部の絶縁層及び埋め込みシールド電極を設け、絶縁層の底面に形成した開口部を通してシールド電極の一部がＰ型ウェル領域の上面に設けた高濃度拡散領域に接触するようにし、シールド電極とＰ型ウェル領域とが導通した状態に形成し、この素子分離部の上部に共用コンタクト部のプラグを設ける。 （もっと読む）

【課題】 隣接する光電変換素子間の暗電流差がなく又は暗電流差が小さい、高速読み出しをした際にも高感度でかつ低暗電流な固体撮像装置を得る。
【解決手段】 ウエハ基板301上にウエル302を設け、ウエル内に拡散層101a，101bを形成してフォトダイオードを構成する。拡散層101a，101b 間にウエルコンタクト306を形成する。ウエルコンタクトと拡散層間に素子分離領域303b,303aを設け、素子分離領域303b,303aの下にチャネルストップ層307b，307aを設ける。素子分離領域303b上に導電層304を設け、導電層304の側面にサイドウォール308を設ける。素子分離領域303bの端部と導電層304間の距離をa、サイドウォール308の幅をｂ、素子分離幅をｃとすると、ｃ＞ａ≧ｂなる関係を有する。 （もっと読む）

【課題】 隣接する光電変換素子間の暗電流差がなく又は暗電流差が小さい、高速読み出しをした際にも高感度でかつ低暗電流な固体撮像装置を得る。
【解決手段】 ウエハ基板301上にウエル302を設け、ウエル内に拡散層101a，101bを形成してフォトダイオードを構成する。拡散層101a，101b 間にウエルコンタクト306を形成する。ウエルコンタクトと拡散層間に素子分離領域303b,303aを設け、素子分離領域303b，303a上の両方に導電層304，305を設ける。素子分離領域303b，303a上の両方に導電層304，305を設けることで、ウエルコンタクトからフォトダイオード（拡散層）への少数キャリアの拡散の差を少なくする。 （もっと読む）

【課題】 信号電荷がフォトダイオード以外の領域に吸収され難く、隣接するフォトダイオードへの信号電荷の漏れこみを低減する。
【解決手段】 本発明は、第１導電型よりなる第１の半導体領域と、第２導電型よりなる第２の半導体領域と、前記第２の半導体領域より不純物濃度が低い第２導電型よりなる第３の半導体領域と、第１導電型よりなる第４の半導体領域と、を光入射側より順に設けた光電変換部と、
第２導電型のソースおよびドレイン領域と、を有するトランジスタと、を有する画素の複数と、隣接する前記画素間に配された素子分離領域と、を有し、前記トランジスタのゲート電極の下部に配された第１導電型の第５の半導体領域と、前記素子分離領域下に配された第１導電型の第６の半導体領域とを有し、前記第３の半導体領域は、前記第４の半導体領域と、前記第５の半導体領域と、前記第６の半導体領域と、により囲まれていることを特徴とする。 （もっと読む）