説明

Fターム[4M118FA31]の内容

固体撮像素子 (108,909) | CCD、MOS型固体撮像素子の細部 (13,257) | 受光部から転送部への電荷移送 (3,593)

Fターム[4M118FA31]の下位に属するFターム

素子形態 (3,076)
蓄積部 (511)

Fターム[4M118FA31]に分類される特許

1 - 6 / 6


【課題】より一層の高感度化が可能なセンサ装置を提供する。
【解決手段】このCMOSイメージセンサは、電子を増倍させる電界を発生するための増倍ゲート電極8と、増倍ゲート電極8に隣接するとともに、増倍ゲート電極8に電子を転送させる電界を発生するための転送ゲート電極9とを備え、増倍ゲート電極8には、平面的に見て、転送ゲート電極9側の側面8cに凹凸形状部8dが形成されている。 (もっと読む)


【課題】光電変換素子の露光時間制御のための該光電変換素子からの電荷読み出し時において、電荷を完全に読み出すことが可能な撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像素子5は、光電変換素子51R,51G,51Bと、光電変換素子51R,51G,51Bよりも露光時間が短く制御される光電変換素子51r,51g,51bとを備える。撮像素子駆動部10は、光電変換素子51R,51G,51Bの露光期間中に、転送電極V2,V6に読み出しパルスを印加すると共に、転送電極V4,V8に読み出しパルスとは逆極性の抑制パルスを印加して、光電変換素子51r,51g,51bに蓄積されていた電荷を垂直電荷転送路54に読み出し、光電変換素子51r,51g,51bの露光開始を制御する。 (もっと読む)


【課題】 高解像度でも画素の感度を最大限にする。
【解決手段】 TDI方式を用いたCCDイメージセンサ30には、第1の画素列1、第2の画素列2、蓄積部列3、SH1ゲート4、SH2ゲート5、第1の転送ゲート(TD1)6、第2の転送ゲート(TD2)7、第1のCCDシフトレジスタ10、第2のCCDシフトレジスタ11、及び最終段ゲート部12が設けられている。第1の画素列1、第2の画素列2、蓄積部列3、SH1ゲート4、SH2ゲート5、第1の転送ゲート(TD1)6、第2の転送ゲート(TD2)7、第1のCCDシフトレジスタ10、及び第2のCCDシフトレジスタ11は、互いに離間され、それぞれ平行配置される。第1の画素列1を構成する画素は第2の画素列2を構成する画素と相対向して平行配置される。 (もっと読む)


【課題】前漏れを防止することが可能な固体撮像素子及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】蓄積領域30aは、第一転送部20の電荷転送方向上流から下流に向かって幅の広がった形状となっており、蓄積領域30aに電荷を蓄積している状態で、第一転送部20を構成する多数の転送段のうちの最終の少なくとも3つの転送段の電荷転送方向上流側に隣接する隣接転送段に、蓄積領域30aに蓄積されている電荷とは異なる電荷が転送された際に、隣接転送段に転送された電荷が蓄積領域30aに流れ込むのを防ぐための空きパケットを、前記少なくとも3つの転送段を駆動して形成する。 (もっと読む)


【課題】 蓄積部に蓄積する手順について汎用性が高い撮像素子およびそれを用いた撮像素子用装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 フォトダイオード11に最も隣接する蓄積用CCDセル12について、その1つの蓄積用CCDセル12について3つのフォトダイオード11を並列的に接続するようにそれぞれを構成しているので、並列的に接続された各フォトダイオード11から蓄積用CCDセル12(蓄積部)に蓄積する手順について汎用性が高くなる。 (もっと読む)


【課題】低コストで連続撮影時の撮影間隔を短くすることができる電子カメラを提供すること。
【解決手段】複数のフォトダイオード11a、11bにおける光電変換によって得られた電荷は、異なる時点ごとに異なる位置のリードゲート12a、12bが制御されることによって、異なる時点で垂直読み出しバッファ13a、13bに転送される。垂直読み出しバッファ13a、13bに転送された電荷はすべての時点での露光が終了するまで保持される。すべての時点での露光が終了した後、垂直読み出しバッファ13a、13bにそれぞれ転送された電荷が同一タイミングで水平読み出しバッファ14に垂直転送され、同一タイミングで水平読み出しバッファ14から水平転送される。 (もっと読む)


1 - 6 / 6