【課題】グローバルシャッタ方式で電荷の蓄積を行うイメージセンサにおいて、蓄積期間
終了時から最後の行を読み出すまでの期間、蓄積電荷保持部からの電荷の流出を極力抑制
することのできる半導体装置の提供を目的とする。
【解決手段】画素がマトリクス状に複数配置されたＣＭＯＳセンサ型のイメージセンサに
おいて、画素部の電荷蓄積制御トランジスタ及びリセットトランジスタにチャネル形成領
域が酸化物半導体で形成されたトランジスタを使用し、マトリクス状に配置された全ての
画素で信号電荷蓄積部のリセット動作を行った後、全ての画素でフォトダイオードによる
電荷の蓄積動作を行い、行毎に画素から信号の読み出し動作を行うことで歪みの無い撮像
を可能とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の受光面側に形成された光電変換部を有する固体撮像装置において、画素の微細化を損なうことなく転送効率が向上された固体撮像装置、及びその製造方法を提供する。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供する。
【解決手段】半導体基板内に、縦方向に積層された接続部２１、電位障壁層２２、電荷蓄積層２３からなる縦型転送路５０を形成する。半導体基板１７の裏面側には、下部電極３１及び上部電極３３に挟持された光電変換部３２が形成されており、下部電極３１と接続部２１は、コンタクトプラグ２９により電気的に接続されている。これにより、光電変換部で生成された信号電荷は、コンタクトプラグ２９を介して接続部２１に読み出され、電荷蓄積層２３に縦方向にオーバーフローされる。 （もっと読む）

【課題】裏面を入射光の受光面とした裏面照射型の固体撮像素子において、残像、クロストーク等の発生を防止すること。
【解決手段】半導体基板１０内において裏面から表面に向かう順に、Ｐ型の受光表面層１２と、光電変換された信号電荷を蓄積するＮ型のフォトダイオード１１と、Ｐ型の電位障壁層１４と、フォトダイオード１１から転送される信号電荷を蓄積するＮ型の電荷蓄積層１３を設ける。フォトダイオード１１から電荷蓄積層１３に信号電荷を転送するとき以外には、裏面バイアス発生回路７により受光表面層１２に０Ｖの電圧が印加され、信号電荷の転送時には、負のパルス信号が印加される。 （もっと読む）

【課題】光電変換部から電荷電圧変換部への電荷の転送効率を向上するとともに、転送電極の下における素子分離部の界面準位に起因した暗電流によるノイズを低減する。
【解決手段】アクティブ領域を規定する素子分離部ＥＩと、第１導電型の電荷蓄積領域１４を含む光電変換部５１と、電荷電圧変換部５３と、光電変換部５１で発生した電荷を電荷電圧変換部５３へ転送するための転送電極２と、光電変換部５１と電荷電圧変換部５３との間の第１導電型の第１の半導体領域１２と、第１の半導体領域１２と素子分離部ＥＩとの間の第１導電型と反対導電型である第２導電型の第２の半導体領域１１とを備え、第２の半導体領域１１は、転送電極２の下におけるチャネル幅方向に沿って延びた第４の部分１１ｃと、転送電極２の下におけるチャネル長方向に沿って延びた第３の部分１１ｄとを含み、第４の部分１１ｃの幅は、第３の部分１１ｄの幅より広い。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも受光感度が向上する固体撮像素子を提供する。
【解決手段】 固体撮像素子において、半導体基板１０と、半導体基板１０の表面及びその近傍に形成された第１のウエル１３と、半導体基板１０の表面及びその近傍に第１のウエル１３を囲って形成された第２のウエル１２と、半導体基板１０の表面及びその近傍に第２のウエル１２を囲って形成された第３のウエル１１と、少なくとも第１〜第３のウエル１３〜１１のいずれかの表面から突出する細長形状部１５と、細長形状部１５が突出する表面及びその近傍に、細長形状部１５に離間して形成されたドレイン１６と、を備えている。細長形状部１５は、その先端部に設けられたソース３３と、細長形状部１５が突出する表面とソース３３との間の領域にソース３３に離間して設けられたゲート３１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】センサラインの間隔を狭くしたとしても色ずれの発生を防止することが可能な固体撮像素子およびその駆動方法を提供する。
【解決手段】センサライン１１０，１２０，１３０は、複数の画素が第１ピッチをもってリニアに配列されたセンサ列１１１，１２１，１３１と、センサ列の各画素で光電変換された信号電荷を読み出す読み出しゲート１１２，１２２，１３２と、読み出しゲートより読み出された信号電荷を出力部側に転送する水平転送レジスタ１１４，１２４，１３４と、読み出しゲートにより読み出された信号電荷を、アクティブの保持信号Ｖgate１，Ｖgate２，Ｖgate２を受けている期間保持して水平転送レジスタに供給するメモリレジスタ１１３，１２３，１３３とを有し、駆動部１７０は各センサライン１１０，１２０，１３０に信号電荷の保持期間を設定可能に保持信号Ｖgate１，Ｖgate２，Ｖgate２を生成する。 （もっと読む）

【課題】多チャンネル出力方式を有する全画素読み出し方式の固体撮像素子において、多画素化及び高フレームレート化の要求に対応するために、出力アンプのゲインレベルの調整を容易に行えるようにすると共に、画質劣化を抑制する。
【解決手段】多数マトリクス状に配された受光部２と、各受光部２に対応して垂直２画素×水平２画素の配列規則で配されたカラーフィルタと、対応する受光部２の両側に夫々分離して配された、第１の垂直転送レジスタ３及び第２の垂直転送レジスタ３と、その一端に設けられた４つの水平転送レジスタ５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄとを含み、２つの水平転送レジスタ５Ａ，５Ｄと、他の２つの水平転送レジスタ５Ｂ，５Ｃとは、信号電荷の転送方向が互いに逆方向とされている固体撮像素子１１１を構成する。 （もっと読む）

【課題】二つのゲートからなるセンシングトランジスタを備えたイメージセンサー及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】光電変換領域と、光電変換領域からの電荷が保存されるフローティング拡散領域に連結された第１ゲート及び該第１ゲートと離隔された第２ゲートを備えたセンシングトランジスタと、フローティング拡散領域に連結され、フローティング拡散領域の電位をリセットするリセットトランジスタと、第２ゲートに印加される制御電圧を供給する制御電圧源と、センシングトランジスタのソースに連結されたカラム出力ラインと、を備える二つのゲートからなるセンシングトランジスタを備えたイメージセンサーである。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードと読み出し回路の間にフォトチャージの円滑な移動通路を提供することで、暗電流ソースを最小化し、サチュレーション及び感度の低下を防止することができるイメージセンサー及びその製造方法を提供する。
【解決手段】読み出し回路１２０が形成されたピクセル部及び周辺回路が形成された周辺部を含む第１基板１００と、前記読み出し回路１２０及び周辺回路と繋がるように前記第１基板１００上に形成された配線１５０及び層間絶縁層１６０と、前記ピクセル部に対応する前記層間絶縁層１６０上に形成された結晶型半導体層２００と、前記結晶型半導体層２００に形成されて素子分離トレンチによって配線とそれぞれ繋がるフォトダイオード２０５と、第１基板１００に形成された電気接合領域１４０を含む。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子においてあらゆる解像度で転送スピードを上げたりデータレート変えたりせずに信号を出力する。
【解決手段】固体撮像素子において２つの独立した電荷転送部を設ける。この２つの電荷転送部を電荷加算用電極を介して転送方向に沿って接続し、光電変換部から読み出された電荷を１つめの電荷転送部で受け、２つめの電荷転送部の転送スピードを解像度に応じて落として、１つめの電荷転送部で受けた電荷の加算を行う。電荷加算の終了後、２つの電荷転送部間に配置された読み出しゲートによって２つめの電荷転送部から１つめの電荷転送部へ戻し、電荷加算用電極に接続されたラストゲートを通って信号を出力する。信号出力前に電荷加算動作を行うので、データレートを変える必要も、転送スピードを上げる必要もない。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態によるイメージセンサは、読み出し回路を含む第１基板と、前記第１基板上に形成され、内部に下部配線が形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成された結晶半導体層と、前記結晶半導体層内部に形成され、積層された第１不純物領域と第２不純物領域を含むフォトダイオードと、前記下部配線を露出させるように前記結晶半導体層及び層間絶縁膜を貫通する第１ビアホールと、前記下部配線及び第１不純物領域のみに連結されるように前記第１ビアホール内部に形成されたプラグと、前記フォトダイオードが単位ピクセルごとに分離されるように前記結晶半導体層内部に形成された素子分離領域と、を含む。 （もっと読む）

【課題】充てん比を高め、且つ電荷共有現象が発生しないイメージセンサーと、フォトダイオードとリードアウト回路の間にフォトチャージの円滑な移動通路を提供することで、暗電流ソースを最小化し、サチュレーション及び感度の低下を防止することができるイメージセンサーを提供する。
【解決手段】第１基板１００に形成されたリードアウト回路１２０と、前記第１基板１００に前記リードアウト回路１２０と電気的に接続して形成された電気接合領域１４０と、前記電気接合領域１４０上に形成された配線１５０と、前記配線１５０上に形成されたイメージ感知部２１０を含む。 （もっと読む）

【課題】多画素化が進んだ場合でも電荷転送効率や感度を維持可能にすると共に、電荷の混合を行った場合でも高画質の画を作ることが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】互いに隣接する１対の光電変換素子１，２からなる光電変換素子組を複数有し、１対の光電変換素子１，２のうちの光電変換素子２に隣接して設けられた、光電変換素子２に蓄積された電荷を垂直方向Ｙに転送するための垂直電荷転送路３と、垂直電荷転送路３と光電変換素子２との間に設けられた、光電変換素子２に蓄積された電荷を垂直電荷転送路３に読み出すための素子−転送路間電荷読出し部１０と、光電変換素子２とこれと対をなす光電変換素子１との間に設けられた、該光電変換素子１に蓄積された電荷を該光電変換素子２に読み出すための素子−素子間電荷読出し部１１とを備える。 （もっと読む）

【課題】電荷転送方向における読出転送電極と電荷生成部の各中心位置が略一致した構造の撮像素子において、逆変調パルスを効果的に印加できるようにする。
【解決手段】読出転送電極１２Ｂに読出パルスΦＲＯＧを供給してセンサ部から垂直転送レジスタへ信号電荷を読み出す際に（ｔ１１〜４１４）、読出転送電極１２Ｂを挟む両側の専用転送電極１２Ａに、読出パルスΦＲＯＧとは逆極性の逆変調パルスを供給する（ｔ１２）。信号電荷を読み出す際に、読出転送電極１２Ｂに読出パルスを印加した瞬間に両側の専用転送電極１２Ａに逆変調パルスを均等に印加することにより、読出しの間口に対して電荷転送方向の上流側と下流側の双方から対称に逆変調を加えることができ、センサ部から垂直転送レジスタへの信号電荷の均等かつ完全なる読出しを可能にし、さらに読出電圧を低減化することができる。 （もっと読む）

【課題】 異なる時刻に得られた複数の画像を高速に加算することができる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】 マトリクス状に配置された複数のフォトダイオード３２と、各フォトダイオード３２の電荷を読み出して第１画像を構成する電荷として記憶する電極φＨ２と電荷を水平方向に転送する各電極φＨ０〜φＨ３とを有する水平転送レジスタ３３と、第１画像とは異なる時刻に各フォトダイオード３２の電荷を読み出して第２画像を構成する電荷として記憶する電極φＶ２と電荷を垂直方向に転送する各電極φＶ０〜φＶ３とを有する垂直転送レジスタ３４と、を備え、電極φＨ０と電極φＶ０とは共通の電極であって、第１画像と第２画像とをこの共通の電極位置においてアナログ加算するようにした固体撮像素子。 （もっと読む）

【課題】感度を低下させずに小型化を実現することが可能な固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｗ又はＡｌ等の光を透過しない遮光材料からなる遮光材料膜７１を、電荷転送電極３の形状を反映した形状となるように、ＣＶＤ又はスパッタによって堆積する（図３（ａ））。次に、フォトダイオード３０の一部の上方に形成された遮光材料膜７１をエッチング除去して、パターニングされた遮光膜７１を形成する（図３（ｂ））。次に、図３（ｂ）に示す状態からスパッタエッチングを行う。ここでは例えばアルゴンガスを用いたスパッタエッチングを行う。スパッタエッチングを行うと、エッジ部分に電界が集中するため、遮光材料膜７１のシリコン基板１に平行な面とシリコン基板１に垂直な面との境界部分が集中的に削られてなだらかになる（図３（ｃ））。以上の工程により、固体撮像素子の遮光膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 蓄積部に蓄積する手順について汎用性が高い撮像素子およびそれを用いた撮像素子用装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 フォトダイオード１１に最も隣接する蓄積用ＣＣＤセル１２について、その１つの蓄積用ＣＣＤセル１２について３つのフォトダイオード１１を並列的に接続するようにそれぞれを構成しているので、並列的に接続された各フォトダイオード１１から蓄積用ＣＣＤセル１２（蓄積部）に蓄積する手順について汎用性が高くなる。 （もっと読む）

【課題】ジャンクションＦＥＴが形成されることを防止して黒スミアを抑制する。
【解決手段】 光電変換素子と該光電変換素子の隣に形成されたトランジスタとを含む固体撮像装置の製造方法において、前記光電変換素子及び前記トランジスタの形成領域の一導電型の基板に、逆導電型の第１拡散層を形成する工程と、前記光電変換素子の形成領域の前記第１拡散層上に一導電型の第２拡散層を形成する工程と、前記トランジスタの形成領域の前記第１の拡散層上に、前記第２拡散層と連続するように一導電型の第３拡散層を形成する工程と、前記第３拡散層上方の前記基板上方に開口部を有して形成されるゲート電極の前記開口部の位置において、前記基板を突出させて突部を形成する工程と、前記ゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極及び突部上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、前記突部の基板表面近傍にソース領域を形成する工程とを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、電荷転送効率を低下させることなく転送レジスタにおける消費電力を低減するＣＣＤ固体撮像素子を提供するものである。
【解決手段】 本発明のＣＣＤ固体撮像素子は、転送電極が単層で形成され相互にギャップを置いて配列された単層電極構造の転送レジスタを有し、前記転送電極の両端のギャップ幅が中央部よりも広く形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）