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Fターム[4M118GA02]の内容

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Fターム[4M118GA02]に分類される特許

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【課題】基板におけるチップ面積の確保を容易に行うことができ、基板の保持方法による影響を受けることなく、また、高価な計測機器を用いることなく、高精度かつ簡便に、基板の歪みを測定することができる基板の歪み測定装置を提供する。
【解決手段】基板20を保持する保持面に、前記基板20に設けられた位置ズレ測定用のマーク40の比較対象となる基準マーク50を有する基板保持部31と、前記基板20を透過する光を照射する光源部32と、前記光源部32により前記光が前記基板20に照射されることで得られる前記位置ズレ測定用のマーク40と前記基準マーク50との重なりを観察する観察部33と、前記観察部33により観察された前記重なりから、前記基準マーク50に対する前記位置ズレ測定用のマーク40のズレ量を算出する算出部36と、前記算出部36により算出された前記ズレ量から、前記基板の歪みを測定する測定部37とを備える測定装置。 (もっと読む)


【課題】感度の低下を抑制しつつ、混色を低減させることが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】イメージセンサ3b、3gは、ダイクロイックプリズム2b、2g、2rにて分離された青色光Bおよび緑色光Gの光電変換を画素ごとに行い、イメージセンサ3rは、イメージセンサ3b、3gに対して光の吸収係数が異なる光電変換部が画素ごとに設けられ、ダイクロイックプリズム2b、2g、2rにて分離された赤色光Rの光電変換を画素ごとに行う。 (もっと読む)


【課題】裏面照射型イメージセンサチップの金属遮蔽層およびその製造方法を提供する。
【解決手段】前面側および裏面側を有する半導体基板26と、前記半導体基板26の表面に配置され、前記半導体基板26の裏面側より光信号62を受けるように構成され、前記光信号62を電子信号に変換する第1感光デバイス24Bと、前記半導体基板26の裏面側に配置され、窒素および金属の化合物を含む非晶質接着層50、および前記半導体基板の裏面側上に配置され、前記非晶質接着層50に接触する金属遮蔽層52を含む。 (もっと読む)


【課題】固体撮像装置の感度の低下を抑制しつつ、混色を低減させる。
【解決手段】赤色用イメージセンサ3rの光電変換部12rは、青色用イメージセンサ3bの光電変換部12bおよび緑色用イメージセンサ3gの光電変換部12gに対して光入射面から深い位置に配置する。 (もっと読む)


【課題】電磁適合性(EMC)の問題を改善することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】第1主面と第2主面とを有する半導体基板10と、第1主面上に形成され、入射光を電気信号に変換するセンサ部31と、第1主面上に形成されたロジック回路12と、センサ部31及びロジック回路12上に形成され、電磁波を遮断するシールド層14と、第2主面上に配置されたカラーフィルタ37と、カラーフィルタ37上に配置されたマイクロフィルタ38とを有する。 (もっと読む)


【課題】被撮像物が厚い書籍であっても綴じ部近辺の像が歪まない小型の撮像装置を提供する。特に、薄い撮像装置を提供する。さらには、小型化により撮像装置の可搬性を向上させる。
【解決手段】撮像面が両面に配された撮像装置を提供する。好ましくは、発光素子及び受光素子などの撮像装置を構成する素子は、すべて一の基板上に配する。換言すると、第1の撮像面と、前記第1の撮像面の逆を向いた第2の撮像面と、を有する撮像装置である。 (もっと読む)


【課題】赤外線の吸収が可能であり、厚膜においてもパターン形成することが可能であり、低温硬化が可能である感光性樹脂組成物、フィルム及び電子部品を提供する。
【解決手段】(A)少なくとも1つのエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物、(B)光重合開始剤、及び(C)カーボンフィラーを含む感光性樹脂組成物であって、前記(A)少なくとも1つのエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物が、アクリレート化合物及び/又はメタクリレート化合物を含む感光性樹脂組成物。この感光性樹脂組成物をフィルム状に成形してなる感光性フィルム。絶縁膜と、前記絶縁膜の内部に配設された配線とを有した配線層を含む電子部材であって、前記絶縁膜の少なくとも一部が上記の感光性樹脂組成物又は感光性フィルムを用いて形成されたものである電子部品。 (もっと読む)


【課題】距離検出画素の開口率を高めることができ、高いSN比により距離検出精度を向上させることが可能となる固体撮像素子等を提供する。
【解決手段】半導体中に、第1の光電変換部と第2の光電変換部とによる少なくとも2つの光電変換部を有する画素を備えた固体撮像素子であって、
前記第1の光電変換部は、前記第2の光電変換部よりも高い不純物濃度を有し、前記第2の光電変換部で発生した電荷を前記第1の光電変換部に転送可能に構成され、
前記第1の光電変換部と前記第2の光電変換部の電荷量を、共通して検出する1つの信号検出手段を有する。 (もっと読む)


【課題】屈折率を高めたマイクロレンズを含む裏面照明イメージセンサピクセルを提供する。
【解決手段】イメージセンサピクセル200は、シリコン基板202内に形成されたフォトダイオード208と、基板の裏面に形成された第1のマイクロレンズと、基板の前面を覆って形成された第2のマイクロレンズと、基板の前面上に形成された誘電体スタック223と、第2レンズの上方で、記誘電体スタック内に形成されたと反射構造250とを含む。第1のマイクロレンズは、裏面にシャロートレンチアイソレーション構造214を形成することにより、第2のマイクロレンズは、基板の前面基板上にポリシリコンを堆積させることによって製造される。 (もっと読む)


【課題】CCD型の固体撮像装置において、水平方向の読み出しの際の転送動作による発熱を効率良く放熱し、且つ出力信号に含まれるノイズを低減する。
【解決手段】固体撮像装置2Aは、M×N個(M,Nは2以上の整数)の画素がM行N列に2次元配列されて成る撮像面12、及び、撮像面12に対して列方向の一端側に各列毎に配置されており各列から取り出される電荷の大きさに応じた電気信号をそれぞれ出力するN個の信号読出回路20を有するCCD型の固体撮像素子10と、信号読出回路20から各列毎に出力される電気信号をディジタル変換してシリアル信号として順次出力するC−MOS型の半導体素子50と、主面81a及び裏面81bを有する伝熱部材80と、裏面81b上に設けられた冷却ブロック84とを備え、半導体素子50と伝熱部材80の主面81aとが互いに接合されている。 (もっと読む)


【課題】グローバルシャッタ機能を有し、白点及び暗電流の抑制が可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】
半導体基体31と、半導体基体31に形成されているフォトダイオード32と、フォトダイオード32に蓄積された信号電荷が転送される浮遊拡散領域35とを備える。さらに、半導体基体31内において浮遊拡散領域35を覆う半導体基体面と平行な水平遮光部32Aと、半導体基体31面と垂直な垂直遮光部32Bとからなる遮光層32とを備える固体撮像素子30を構成する。 (もっと読む)


【課題】画素部の金属汚染や受光部の光電変換素子表面へのRIEによるダメージの発生を抑制することができる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、固体撮像素子は、所定の波長の光を透過させるカラーフィルタ51L,51M,51Sと、カラーフィルタ51L,51M,51Sを透過する光を検出するフォトダイオードPDと、を含む画素PL,PM,PSを、異なる波長の光を検出するように複数有する絵素が、所定の周期で2次元的に基板11上に配置される。絵素中の最も長い波長の光を検出する画素PLは、基板11の光の入射面と対向する面側のフォトダイオードPD上に設けられる保護膜12と、保護膜12上に設けられ、厚さ方向に貫通する円柱状の孔が2次元的に配置される回折格子部20Lと、を備える。回折格子部20Lは、画素PLに設けられるカラーフィルタ51Lを透過する光を反射させるように孔の径と配置される周期が選択される。 (もっと読む)


【課題】撮像素子が実装された後のフレキシブルプリント配線板の厚さが薄く、小型な撮像ユニット及び前記撮像ユニットを備えた内視鏡と前記撮像ユニットの製造方法を提供する。
【解決手段】撮像素子、及びフレキシブルプリント配線板を含む撮像ユニットにおいて、前記撮像素子は、受光部、前記受光部に電気的に接続された金属配線層、前記金属配線層に形成された金属パッド、及び前記金属パッドを受光側とは反対側に露出させるように設けられた開口部、を含み、前記フレキシブルプリント配線板は、前記開口部内において前記金属パッドと電気的に接続される金属線を含み、かつ前記撮像素子の受光側とは反対側の面上に接着剤によって接着される。 (もっと読む)


【課題】光電変換部の分割配置に伴って瞳強度分布に生じる低感度領域の影響を抑制する。
【解決手段】撮像素子107は、複数の画素200R,200G,200Bを有する。複数の画素の各々の画素は、マイクロレンズ350と、分離帯Sを間に挟んで互いに分離され、マイクロレンズを通過した光束を光電変換する複数の光電変換部306,307,310,311とを有する。該複数の光電変換部は、撮影光学系の異なる射出瞳を通過した複数の光束を光電変換する場合に、マイクロレンズは、光軸方向における分離帯上のレンズ部がレンズ部に入射する光束に対してパワーを持たない又は負のパワーを持つ。 (もっと読む)


【課題】ショートチャネル特性などを向上する。
【解決手段】n型FET111Nの半導体活性層111Cの上面に、バックゲート絶縁膜401を介してバックゲート電極121を金属材料で形成する。ここでは、バックゲート電極121,221について、半導体活性層111Cの上面においてゲート電極111Gおよび一対のソース・ドレイン領域111A,111Bに対応する部分を被覆するように、バックゲート電極121を形成する。 (もっと読む)


【課題】裏面照射型の固体撮像素子を備えたチップ領域が複数配列された固体撮像素子ウエハにおいて、個片化されるチップ領域のサイズを縮小し、これにより固体撮像素子の小型化を図る。
【解決手段】複数のチップ領域200と、チップ領域200を囲んで配置された分割領域300と、各チップ領域200に設けられた光電変換部20と、各チップ領域200において光電変換部20に対する受光面Aとは逆の表面側に設けられた駆動回路と、駆動回路に接続され各チップ領域200において表面側に引き出されたデバイス用端子33と、駆動回路に接続され分割領域300において受光面A側に露出された検査用端子400とを備えた固体撮像素子ウエハ100−1である。 (もっと読む)


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