【課題】被撮像物が厚い書籍であっても綴じ部近辺の像が歪まない小型の撮像装置を提供する。特に、薄い撮像装置を提供する。さらには、小型化により撮像装置の可搬性を向上させる。
【解決手段】撮像面が両面に配された撮像装置を提供する。好ましくは、発光素子及び受光素子などの撮像装置を構成する素子は、すべて一の基板上に配する。換言すると、第１の撮像面と、前記第１の撮像面の逆を向いた第２の撮像面と、を有する撮像装置である。 （もっと読む）

【課題】 対象物に光を照射して応答を検出する際の検出感度の向上及びノイズの低減をはかる。
【解決手段】 不透明な配線層１０７，１０８を有する基板１００上に、複数の発光素子２００と複数の受光素子３００を基板面内方向に離間して形成した光電変換装置であって、発光素子２００及び受光素子３００は基板１００上に形成したバンク２０２，３０２の開口部にそれぞれ形成されている。発光層の半導体材料２０３〜２０５と受光層の半導体材料３０３，３０５とは異なり、発光素子２００及び受光素子３００の上部電極層２０７，３０７とは共通である。さらに、配線層１０７，１０８は、バンク２０２，３０２の開口部で規定される各領域の外側の領域に形成されている。 （もっと読む）

【課題】分割出力されたセンサ信号の合成を行う際の処理を容易とするイメージセンサユニットを提供する。
【解決手段】光電変換部ＰＤからのセンサ信号をシフトレジスタＳＲにより２以上に分割して転送する光電変換素子１３を複数個備え、それらの光電変換素子１３_ｋからのセンサ信号を２以上のチャンネルで出力すると共に、光電変換素子１３_ｋより出力される転送終了の制御信号Ｓを分割された２回目以降のセンサ信号の転送開始の制御信号とするイメージセンサユニット４であって、光電変換素子１３_ｋを最大数備えたチャンネルにおける終端に位置する光電変換素子１３_ｋより出力される転送終了の制御信号Ｓを、光電変換素子１３_ｋの全てに入力する。 （もっと読む）

【課題】 小型化、薄型化を実現した半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、画素に表示部とセンサ部とを有し、表示部とセンサ部の各々の制御を、同一の走査線駆動回路で行う。第１の期間においては、前記走査線駆動回路は、表示部が有する第１の選択信号線の走査を行い、第２の期間においては、前記走査線駆動回路は、センサ部が有する第２の選択信号線の走査を行う。表示部にビデオ信号を入力するための第１の信号線と、センサ部から、対象物の画像情報を有する信号を出力するための第２の信号線とは、別々に設けられることで、相互の信号へのスイッチングノイズ等の影響を最小限とする。 （もっと読む）

【課題】被検体以外に起因する外部からの不要光の影響を受けることなく、良質の生体画像情報を得ることができると共に、製造歩留まりを向上させることができる低コストの撮像装置を提供する。
【解決手段】２次元配列された複数の集光レンズ３２と、複数の集光レンズ３２のそれぞれに対応して２次元配列された複数の画素ＰＸ（受光素子）とを備えた撮像装置１５０である。複数の集光レンズ３２を、透明基板３１の、複数の画素ＰＸ（受光素子）側と反対側の面上に形成する。透明基板３１の、複数の集光レンズ３２が形成された面上の、集光レンズ領域外に、集光レンズ３２を通過せずに透明基板３１の内部に入射した光を画素ＰＸ（受光素子）に到達させることなく除去するプリズム３３を設ける。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードの出力特性のばらつきを抑制しつつ、検出精度の低下が防がれた高性能なフォトダイオードを形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】所定のゲート金属を用いて、フォトダイオード用の第１の半導体層３０ａのうち、真性半導体領域となる部分を覆うシールド部３４ａをゲート絶縁膜２９上に形成するとともに、薄膜トランジスタ用の第２〜第５の各半導体層３０ｂ〜３０ｅのうち、チャネル領域となる部分を覆う第１〜第４のゲート電極３４ｂ〜３４ｅをゲート絶縁膜２９上に形成する。その後、シールド部３４ａをマスクとして用いて、第１の半導体層３０ａにｎ型領域及びｐ型領域を形成した後、当該シールド部３４ａを除去する。 （もっと読む）

【課題】光検出装置の縮小、製造コストの低減を図る。
【解決手段】可視光センサ及び赤外光センサを配置する際の面積を縮小するために、可視光を検知する第１のフォトダイオードと赤外光を検知する第２のフォトダイオードとを重畳して配置し、可視光を第１のフォトダイオードで先に吸収する構成とすることで第２のフォトダイオードに入射される可視光を非常に少なくするものである。また、第２のフォトダイオードと重畳して配置する第１のフォトダイオードを第２のフォトダイオードの光学フィルタとして用いるものである。そのため第１のフォトダイオードを構成する半導体層は可視光を吸収し、且つ赤外光を透過する半導体層とし、第２のフォトダイオードの半導体層は赤外光を吸収する半導体層とするものである。 （もっと読む）

【課題】コンパクトな設計が可能な光センサを提供する。
【解決手段】複数の光センサ画素がマトリクス状に配置された光センサアレイと、前記光センサアレイの下側に配置されたバックライトとを備え、前記光センサアレイは、表面遮光膜（例えば、Ａｌ膜）を有し、前記表面遮光膜は、前記各光センサ画素に被写体からの光が入射される入射孔と、前記入射孔の周囲に設けられ前記バックライトからの照射光を前記被写体に照射する通過孔とを有する。前記バックライトは、導光板と、前記導光板の側面に配置される光源とを有する。前記導光板の前記光センサアレイと反対側の面に配置される反射膜を有する。前記バックライトは、導光板と、前記導光板の前記光センサアレイと反対側の面に配置される光源とを有する。前記導光板の前記光センサアレイ側の面に配置される複数の光学シート類を有する。 （もっと読む）

【課題】軽量、薄型、小型であり、かつ読み込んだ画像に明るさのむらが生じないエリアセンサ及びエリアセンサを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】エリアセンサが有する画素は、光源としてのＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子と、光電変換素子としてのフォトダイオードと複数のＴＦＴをそれぞれ有しており、ＥＬ素子とフォトダイオードの動作をＴＦＴで制御していることを特徴とするエリアセンサ及びエリアセンサを備えた表示装置。 （もっと読む）

【課題】撮像素子によって受光される光が少ないといった課題がある。
【解決手段】撮像装置は、被写体が配される被写体領域の一方側に配され、受光面での受光量に応じた電気信号を出力する撮像素子が複数個整列した撮像素子アレイと、前記被写体領域の前記一方側において、前記撮像素子アレイの各々の前記撮像素子に対応して前記受光面側に配され、前記撮像素子の前記受光面の面積よりも小さいピンホールを複数個整列したピンホールアレイと、前記被写体領域の他方側において、前記ピンホールアレイの各々の前記ピンホールに対応して配され、前記ピンホールに集光する集光素子が複数配列した集光素子アレイとを備え、前記被写体および前記ピンホールアレイの少なくともいずれか一方を移動させつつ前記撮像素子アレイにより複数の画像を撮像して出力する。 （もっと読む）

【課題】小さいフォームファクタを有する復号可能な証印を撮像するための集積回路パッケージを提供する。
【解決手段】復号可能な証印を照射し、撮像し、復号化するための一つ以上の活性化領域３０８を有するIC構造として造られるイメージ・エンジン３００から成る。イメージ・エンジン３００のある実施形態では、IC構造はイメージング領域３１０、照準領域３１２および照明領域３１４を含むことができ、全て単一隣接する基板３０４に配置される。結果として生じる構築された実施形態はフォームファクタ３３４の範囲内で適合でき、フォームファクタ３３４は約500mm³未満である。 （もっと読む）

【課題】特に２次元状に配された光センサを有してなる光センサ装置において、ＴＦＴの経時劣化や温度変化による影響を良好に補正できる光センサ装置及びその駆動方法を提供すること。
【解決手段】ＴＦＴセンサＴ０、Ｔ１を２次元状に配置し、センサドライバ２０により分割エリア１１毎にＴＦＴセンサＴ０、Ｔ１の対を選択してＴＦＴセンサＴ１からのドレイン電流の取り込みを行う。ＴＦＴセンサＴ１からドレイン電流を取り込む際には、このＴＦＴセンサＴ１の各電極の電圧と、このＴＦＴセンサＴ１と対をなすＴＦＴセンサＴ０の各電極の電圧と、を等電圧とした状態で線順次で取り込みを行うことにより、ＴＦＴセンサＴ１の経時劣化や温度変化による影響を補正する。 （もっと読む）

【課題】小型化可能な分光センサー及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】分光センサー装置は、光源部１１０と、光源部１１０からの光を観察対象に照射することで得られる光が入射される分光センサー１００を含む。分光センサー１００は、透過波長が異なる複数の光バンドパスフィルター６１〜６４と、複数のフォトセンサー部３１〜３４を有する。第１の光バンドパスフィルター６１は、第１の特定波長を透過する波長特性を有し、第２の光バンドパスフィルター６２は、第１の特定波長とは異なる第２の特定波長を透過する波長特性を有する。第１のフォトセンサー３１は、第１の光バンドパスフィルターを透過した第１の特定波長の光をセンシングし、第２のフォトセンサーは、第２の光バンドパスフィルターを透過した第２の特定波長の光をセンシングする。 （もっと読む）

【課題】有用な受光装置および使い易い機能を備えたモバイル機器を提案する。
【課題を解決するための手段】それぞれ可視光域および赤外光域において６０％以上の量子効率を有し複数波長域の光による像を撮像するために規則的に配列された複数の受光部を有する光電変換部で紫外線情報を得る。可視光域および赤外光域の出力から肌情報を得る。複数の受光部に、ガラスの撮像レンズを透過しない領域を含む紫外光の感度を付加する。撮像レンズをローパスフィルタとして機能させ、入射光路に挿入されている時は狭い波長域のＵＶＡ情報を得るとともに、退避しているときはＵＶインデックス算出に必要な広い波長域の紫外線を受光する。大きく異なる波長の光による像の差を予め記憶されている補正値で補正する。紫外線情報が所定以上であるとき、モバイル機器使用時に肌情報の取得を自動的に行い、両者を同時に表示する。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサを有する表示装置において、フォトセンサへの入射光の強度にかかわらず、高精度の撮像を行うことを目的の一とする。
【解決手段】フォトセンサが配置された表示パネルを有し、フォトセンサにより入射光を測定し、入射光に応じてフォトセンサの感度を変更して撮像を行う機能を有する表示装置を提供する。入射光が暗いときにフォトセンサの感度を上げて撮像の精度を向上することで、接触の誤認識の防止や鮮明な画像取り込みを行う。 （もっと読む）

【課題】 軽量、薄型、小型である密着型エリアセンサを提供する。
【解決手段】本発明のエリアセンサは、発光素子を用いてセンサ部に画像を表示する機能と、光電変換素子を用いた読み取り機能を有する。そのため、新たに電子ディスプレイをエリアセンサに設けなくとも、センサ部で読み込んだ画像をセンサ部に表示させることが可能である。また、本発明のフォトダイオードの光電変換層は、非晶質珪素膜で形成されており、Ｎ型半導体層及びＰ型半導体層は多結晶珪素膜で形成されている。このとき、非晶質珪素膜は、多結晶珪素膜よりも厚く形成され、その結果、本発明のフォトダイオードは、より多くの光を受け取ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサチップを長手方向に複数配列してなる１ラインのラインセンサにおいて、イメージセンサチップ間の光電変換素子の存在しない隙間部分に相当する欠損画素を補間する。
【解決手段】イメージセンサチップ１１２１の回路基板３０の主走査方向における一方の端部に突出部３１が形成され、回路基板３０の主走査方向におけるもう一方の端部の、上記突出部３１に対応する位置には後退部３２が形成されており、イメージセンサチップ１１２１が主走査方向に複数直線状に並べられたときに、隣り合うイメージセンサチップ１１２１の突出部３１と後退部３２とは互いに嵌まり合う。当該突出部３１上において、光電変換素子列４０から副走査方向に所定距離離れた位置には、イメージセンサチップの繋ぎ目部分における画素欠陥領域の画素を補間するための補間用光電変換素子５０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】光センサーと遮光膜を有する半導体装置において、段切れや膜剥がれに起因にする歩留まりの低下を防止することができるとともに、暗電流の増大を防止して光センサーの性能の低下を防止することができる半導体装置及びその製造方法、並びに液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】フォトダイオード１５を構成するポリシリコン膜を形成する部分Ｂの非晶質シリコン膜３０の厚みＷ１が、遮光膜２８の周縁に対応した部分Ａの非晶質シリコン膜３０の厚みＷ２より薄くなるように、非晶質シリコン膜３０を薄膜化する。そして、非晶質シリコン膜３０にレーザー光を走査して、非晶質シリコン膜３０を多結晶化させてポリシリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】精細な画像を得られる近接型撮像装置及びこれに用いる撮像フィルタを提供する。
【解決手段】近接型撮像装置１１は、イメージセンサ１３と角度制限フィルタ１８を備える。イメージセンサ１３は、近接した被写体１２からの光を、所定の配列で複数設けられた画素で光電変換し、被写体１２を撮像する。角度制限フィルタ１８は、透明なガラス基板と、各画素に一対一に対応した開口を有し、ガラス基板の被写体１２側に設けられた遮光膜とからなり、イメージセンサ１３の前面に配置され、イメージセンサ１３に入射する光の入射角度を、互いに対応する開口から画素に入射する角度範囲に制限するとともに、ガラス基板の屈折率をｎ_１，ガラス基板の厚さをＴ_１，開口の輪郭とこの開口に隣接した開口に対応する画素の輪郭とのガラス基板面内方向における最短距離をＬとするときに、Ｌ≧Ｔ_１／（ｎ_１^２−１）^１／２の条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】対象物に対応した光を高精度で検出することができ、しかも薄型化が可能な光源一体型光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の光源一体型光電変換装置は、発光層１８３を含んで構成され、発光層１８３の一方の面を通して所定の射出方向に光を射出する発光素子と、発光層１８３と重ならない領域に形成された光電変換層１５を含んで構成され、光電変換層１５の一方の面を通った光を電気信号に変換する複数の光電変換素子と、を備える。発光素子が複数の光電変換素子と同一の基板１０上に形成されているとともに、光電変換層１５の一方の面が発光層１８３の他方の面よりも光Ｌ１の射出方向と反対側に配置されている。 （もっと読む）