【課題】、放射線画像の品質を維持したまま放射線の照射に関する検出を行うこができる、放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び放射線画像撮影システムを提供する。
【解決手段】照射された放射線が変換された光に応じて電荷を発生するセンサ部１０３、センサ部１０３から読み出した電荷を信号配線３に出力するＴＦＴスイッチ４、及び信号配線３と非接続の放射線検知用ＴＦＴスイッチ３４を備えた画素２０Ａと、センサ部１０３、ＴＦＴスイッチ４、及び信号配線３と接続され、センサ部１０３から読み出した電荷を信号配線３に出力する放射線検知用ＴＦＴスイッチ３４を備えた放射線検知用画素２０Ｂと、を備える。放射線検知用ＴＦＴスイッチ３４の制御端子は、放射線検知用走査配線１０９に接続されており、放射線検知用制御回路１０８から出力されたスキャン信号により、オン、オフが制御される。 （もっと読む）

【課題】焦電型光検出器の検出出力を高めること。
【解決手段】焦電型光検出器は、基板１０と、基板上に支持される支持部材２１５と、支持部材に接して形成されている焦電型光検出素子２５１と、を有する。焦電型光検出素子２５１は、支持部材側に設けられる第１電極２３４と、第１電極と対向して設けられ、平面視における面積が、第１電極より小さい第２電極２３６と、第１電極２３４と第２電極２３６との間に設けられる焦電体２３２と、を含むキャパシター２３０を有する。焦電型光検出素子２５１はさらに、キャパシター上に形成されている光吸収層２７０を含む。平面視における光吸収層の面積を受光部面積Ａａとし、平面視における第２電極の面積をキャパシター面積Ａｃとし、Ａａ／Ａｃは、２．０＜Ａａ／Ａｃ＜４９．０を満足する。 （もっと読む）

【課題】ＴＤＩ動作によって撮像を行う際に、撮像に要する時間を短くすることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１Ａは、Ｍ×Ｎ個（Ｍ，Ｎは２以上の整数）の画素がＭ行Ｎ列に２次元配列されて成る撮像面１２、撮像面１２に対して列方向の一端側に各列毎に配置されたＮ個の信号読出回路２０、及び、撮像面に対して列方向の他端側に各列毎に配置されたＮ個の信号読出回路３０を有するＣＣＤ型の固体撮像素子１０と、信号読出回路２０から各列毎に出力される電気信号をディジタル変換したのちシリアル信号として順次出力する半導体素子５０と、信号読出回路３０から各列毎に出力される電気信号をディジタル変換したのちシリアル信号として順次出力する半導体素子６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】信号書き込み時間が長くなることを防ぎながら、信号振幅値が大きく、かつ、入出力関係が線形で動作する範囲を大きくすることが出来る半導体装置およびその駆動方法を提供する。
【解決手段】増幅用トランジスタ及びバイアス用トランジスタを有する半導体装置において、放電用トランジスタを設けて、プリ放電を行う。または、増幅用トランジスタ及びバイアス用トランジスタを有する半導体装置において、バイアス用トランジスタに接続されたバイアス側電源線の電位を、増幅用トランジスタに接続された増幅側電源線の電位に近づけることにより、プリ放電を行う。 （もっと読む）

【課題】撮像画像の高画質化を実現することが可能な撮像装置、およびそのような撮像装置を備えた撮像表示システムを提供する。
【解決手段】撮像装置は、各々が光電変換素子を含む複数の画素を有する撮像部と、画素内に蓄積された信号電荷の読み出し駆動およびリセット駆動を行う駆動部とを備える。駆動部は、読み出された信号電荷を電圧に変換するチャージアンプ回路を有し、リセット駆動を１フレーム期間内で間欠的に複数回行い、かつ１フレーム期間内の各リセット駆動を、チャージアンプ回路におけるチャージアンプの帰還または仮想短絡現象を利用して行う。各画素において光電変換がなされ、信号電荷の読み出し駆動およびリセット駆動がなされ、入射光に基づく撮像画像が得られる。読み出し後の信号電荷の残留に起因するノイズを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 画素の容量値を調節することが可能で高いＳ／Ｎ比が得られる検出装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板１００の上に配置されたトランジスタ１３０と、トランジスタ１３０の上に配置され、トランジスタ１３０と接続された変換素子１１０と、変換素子１１０と接続されたオーミックコンタクト部１５１と、オーミックコンタクト部１５１と接続された半導体部１５２と、絶縁層１０１を介して半導体部１５２及びオーミックコンタクト部１５１と対向して配置された導電体部１５４と、を基板１００と変換素子１１０との間に有して、トランジスタ１３０に対して変換素子１１０と並列に接続された容量素子１５０と、半導体部１５２にキャリアを蓄積させる第１電位と、半導体部１５２を空乏化させる第２電位と、を導電体部１５４に供給する電位供給手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】CMOSチップを用いて直接荷電粒子を計数する場合、リセットノイズと一定のパターンノイズを除去するCDS処理を行う場合に、撮像速度を向上させる。
【解決手段】多数の読み出し後にのみ画素をリセットする。多数の画像後にリセットすることにより、又は、前記画像の1画素が所定の値（たとえばフルウエルキャパシティの0.8倍）よりも大きな値を示すとき、1つの信号の取得後にリセットを用いる従来技術に係る方法と比較して、撮像速度は略2倍となりうる。 （もっと読む）

【課題】時間変化、環境温度変化によって赤外線検出素子及び信号処理で発生するドリフトを除去し、安定したデジタルデータを出力し、特殊なノウハウを必要とせず、簡単に使用できる赤外線撮像装置を提供する。
【解決手段】並列で処理を行う信号処理系の温度ドリフトにより発生するノイズを内臓ＣＰＵ１０１が感度を持たない素子１０２，１０４からの出力を読み込み、演算処理、補正データを求め、赤外線検出素子からの出力に対し補正を行うことでノイズを除去したデジタル出力を出すことができ、特別なノウハウを必要とせず簡単に使用できるようになる。 （もっと読む）

【課題】水分による下部電極の腐食を抑制することができる、半導体素子、放射線検出器、及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜２３及びＴＦＴ保護層３０を一括してエッチングされたコンタクトホールを埋めつつ、ゲートパッド４０及びデータパッド５０が形成されるため、下部電極１１を介さずに、データパッド５０と第２信号配線層５２が接続されると共に、ゲートパッド４０と第１信号配線層４２とが接続される。従って、保護層３４の開口部には下部電極１１が設けられておらず、水分が侵入した場合でも腐食が発生する恐れが少なく、下部電極１１の腐食を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】
読み出し回路を備えた第一基板と受光素子を備えた第二基板をバンプ接続した量子型赤外線熱感知デバイスにおいて、HgCdTe等で構成された第二基板に影響を与えることなくシリコン基板等で構成された第一基板と、第二基板の熱膨張係数の違いに起因する隣接バンプ間の接触を防止する。
【解決手段】
量子型撮像素子は、読み出し回路を備えた第一基板と、前記第一基板とフリップチップボンディング（FCB）によって電気的に接続された、受光素子を備えた第二基板と、前記第一基板と前記第二基板をFCBによって電気的に接続する導体バンプ群と、各バンプの周囲を囲むように存在し、前記第一基板側にのみ固定され、前記第二基板との間に空隙を設けた絶縁壁とを有する。 （もっと読む）

【課題】感度特性に優れた固体撮像素子を提供する。
【解決手段】第１レンズ層３１と、第２レンズ層３２とを備え、第１レンズ層３１により形成される第１マイクロレンズ３２の少なくとも外周部に第２レンズ層３３が形成されている。そして、第１マイクロレンズ３２の中心部に、外周部よりも厚さの小さい、又は、厚さのない第２レンズ層３３を有する。 （もっと読む）

【課題】画素の微細化を達成しつつ、２次元撮像及び３次元撮像の同時撮像を可能にした半導体装置の駆動方法を提供する。また、高精度な移動体の位置検出を可能にした半導体装置の駆動方法を提供する。
【解決手段】同一の照射時間の第１の照射及び第２の照射を行い、第１の照射及び第２の照射に対応させて、第１の撮像及び第２の撮像を行い、第１の撮像及び第２の撮像において、光の到着時間の時間差に依存した第１の検出信号及び第２の検出信号を取得することで、光源から被検出物までの距離を測定する。また、可視光を吸収し、赤外光を透過する第１のフォトセンサ、及び赤外光を吸収する第２のフォトセンサを重畳することで２次元撮像及び３次元撮像の同時撮像を可能にする。また、隣接するフォトセンサで被検出物のほぼ同一点からの反射光を検出する事で、高速で移動する被検出物においても位置検出精度の低下を防げる。 （もっと読む）

【課題】 複数の撮影モードに対応可能な検出装置において、駆動配線と信号配線の容量を低減して、更なる高速動作性と更なる高Ｓ／Ｎ比とを両立する。
【解決手段】 変換素子１２０と、第１チャネル領域と第２チャネル領域とを含む半導体層１３１と、第１ゲート電極１３４と、第２ゲート電極１３５と、を含むトランジスタ１３０と、第１ゲート電極１３４と接続された第１駆動配線１４１と、第２ゲート電極１３５と接続された第２駆動配線１４１と、第１導通電圧を第１駆動配線１４１に供給する第１導通電圧供給部１７１と、第２導通電圧を第２駆動配線１４２に供給するための第２導通電圧供給部１７２と、第２駆動配線１４２と第１導通電圧供給部１７１との間の第１の接続と、第２駆動配線１４２と第２導通電圧供給部１７２との間の第２の接続と、のいずれかを選択する選択部１７４と、を含む検出装置。 （もっと読む）

【課題】端部（胸壁側）においても解像度の高い画像を撮影できる放射線検出素子等を提供する。
【解決手段】平面視したとき長方形の放射線検出素子１０にマトリックス配置された複数の画素２０各々の形状を、胸壁側に平行する方向において長く、それと交差する方向である奥行き方向において短い画素形状（長方形）とする。また、放射線検出素子１０の一方の長辺側にスキャン信号制御部、信号増幅部等の外部回路を設けず、その長辺側が被検者の胸壁側となるように構成することで、胸壁側での撮像欠損をなくすとともに、奥行き方向の分解能を向上させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は上記問題点を解決するために成されたものであり、光電変換素子の静電破壊を防止することができると共に、導電体を任意の電圧に設定することができる、光電変換基板、放射線検出器、及び放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたＴＦＴスイッチ４及びセンサ部１０３の上面が平坦化層１８により平坦化されており、当該平坦化層１８の略全面に帯電防止機能を有する導電膜３０が形成されている。導電膜３０は、接続配線５２と一体的に形成されており、切替部５４に接続されている。また、切替部５４は、制御装置１０６から入力される制御信号に応じて、接続配線５２の接続先を、バイアス電源１１０、内部電源５６、及びグランドのいずれかに切り替える。光電変換基板６０の上には、シンチレータ７０が形成されており、シンチレータ７０は、光電変換基板６０に近い方から非柱状部７１及び柱状部７２を備えている。 （もっと読む）

【課題】犠牲膜をエッチングして形成された空隙を備えるセンサーにおいて、犠牲膜のみをエッチングして空隙を形成する方法を提供する。
【解決手段】基板２上に絶縁膜１４を形成する絶縁膜形成工程と、絶縁膜１４に凹部１５を形成する凹部形成工程と、凹部１５に酸化シリコンからなる犠牲膜を形成する犠牲膜形成工程と、犠牲膜上に支持部２３を形成する支持部形成工程と、支持部２３上に赤外線検出部４を形成する検出部形成工程と、エッチング液を用いて犠牲膜をエッチングして空隙１６を形成するエッチング工程と、を有し、絶縁膜はエッチング液に対して耐食性を有する。 （もっと読む）

【課題】赤外線検出部が配置された支持部が凹部と対向する場所に位置し、支持部が凹部の底に張り付くのを防止できる赤外線検出素子を提供する。
【解決手段】基板２と、基板２上に設置され空隙１７を囲む凹部１５を備えた絶縁膜１４と、一端が基板２に固定される梁２２によって保持され空隙１７と対向する場所に位置する支持部２３と、支持部２３上に設置され赤外線を検出する赤外線検出部４と、を備え、凹部１５はポリシリコンを含む撥水膜１６に覆われ、梁２２及び支持部２３は窒化シリコンまたは炭窒化シリコンを含む。 （もっと読む）

【課題】測定する波長帯域を広く設定できる熱型光検出器を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０と、シリコン基板１０上に形成され凹部３０を有するスペーサー部材２０と、スペーサー部材２０の凹部３０に向き合いスペーサー部材２０に支持される支持部材４０と、支持部材４０上に形成され熱を検出する焦電型の赤外線検出素子６０と、を含み、凹部３０は、底面にスペーサー部材２０の厚み方向に対して交差する方向に形成された第１平面３１と、底面と支持部材４０との間に、スペーサー部材２０の厚み方向に対して交差する方向に形成された第２平面３２と、を備え、第１平面３１および第２平面３２に光を反射する反射膜３６が形成されている。 （もっと読む）