【課題】光学混色を低減させ、色再現性を向上させることができるようにする。
【解決手段】固体撮像素子の２次元配列された各画素は、光電変換素子の上側に形成された平坦化膜と、平坦化膜の上側に形成されたフィルタと、フィルタの上側に形成されたマイクロレンズとを少なくとも有する。複数の画素のうち、一部のフィルタは、所定の色成分の光を透過させるカラーフィルタであり、他の一部のフィルタは、可視光領域全体の光を透過させるホワイトフィルタである。ホワイトフィルタ、マイクロレンズ、および平坦化膜の各屈折率は、ホワイトフィルタ≧マイクロレンズ＞平坦化膜の関係にある。本発明は、例えば、固体撮像素子に適用できる。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比の異なる複数の開口下部に接続される配線に対して最適な処理を施すことができるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、第１の半導体基板と第２の半導体基板が接合された半導体基板の第１の開口の下部配線と、貫通接続孔と異なるアスペクト比の第２の開口の下部配線に対して、バリアメタル膜の成膜と、スパッタガスによる物理エッチングを同時に行うアンカー処理工程が含まれる。本技術は、例えば、固体撮像装置などの半導体装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】感度の低下を抑制しつつ、混色を低減させることが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】イメージセンサ３ｂ、３ｇは、ダイクロイックプリズム２ｂ、２ｇ、２ｒにて分離された青色光Ｂおよび緑色光Ｇの光電変換を画素ごとに行い、イメージセンサ３ｒは、イメージセンサ３ｂ、３ｇに対して光の吸収係数が異なる光電変換部が画素ごとに設けられ、ダイクロイックプリズム２ｂ、２ｇ、２ｒにて分離された赤色光Ｒの光電変換を画素ごとに行う。 （もっと読む）

【課題】基板におけるチップ面積の確保を容易に行うことができ、基板の保持方法による影響を受けることなく、また、高価な計測機器を用いることなく、高精度かつ簡便に、基板の歪みを測定することができる基板の歪み測定装置を提供する。
【解決手段】基板２０を保持する保持面に、前記基板２０に設けられた位置ズレ測定用のマーク４０の比較対象となる基準マーク５０を有する基板保持部３１と、前記基板２０を透過する光を照射する光源部３２と、前記光源部３２により前記光が前記基板２０に照射されることで得られる前記位置ズレ測定用のマーク４０と前記基準マーク５０との重なりを観察する観察部３３と、前記観察部３３により観察された前記重なりから、前記基準マーク５０に対する前記位置ズレ測定用のマーク４０のズレ量を算出する算出部３６と、前記算出部３６により算出された前記ズレ量から、前記基板の歪みを測定する測定部３７とを備える測定装置。 （もっと読む）

【課題】加工精度を維持しつつ、固体撮像装置の特性劣化を抑制する。
【解決手段】固体撮像装置に設けられるカラーフィルタは、格子状に形成される、複数の画素のうちの所定の画素に対応した所定の色成分のフィルタと、所定の色成分のフィルタが形成される領域以外の領域に形成される、他の画素に対応した他の色成分のフィルタと、所定の色成分のフィルタと他の色成分のフィルタとの境界に、光透過率を減衰させる光減衰膜とを備え、所定の色成分のフィルタが形成される領域は、少なくとも一部で互いに結合し、他の色成分のフィルタおよび光減衰膜の底面は、所定の色成分のフィルタの底面より低い。本技術は、例えばCMOSイメージセンサに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の感度の低下を抑制しつつ、混色を低減させる。
【解決手段】赤色用イメージセンサ３ｒの光電変換部１２ｒは、青色用イメージセンサ３ｂの光電変換部１２ｂおよび緑色用イメージセンサ３ｇの光電変換部１２ｇに対して光入射面から深い位置に配置する。 （もっと読む）

【課題】能動ピクセルセンサの色フィルタアレイを提供する。
【解決手段】それぞれが六角形の形状を有する複数個のフォトダイオードを備えたイメージセンサであって、前記イメージセンサは、さらに、前記複数個のフォトダイオードのうちの１つである第１フォトダイオードと、前記複数個のフォトダイオードのうちの２つである、前記第１フォトダイオードの側面に配置される第２及び第３フォトダイオードと、前記第１、第２及び第３フォトダイオード上に配置されるそれぞれの色フィルタと、を備え、前記第１、第２及び第３フォトダイオードの色フィルタは、相異なる色であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電磁適合性（ＥＭＣ）の問題を改善することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】第１主面と第２主面とを有する半導体基板１０と、第１主面上に形成され、入射光を電気信号に変換するセンサ部３１と、第１主面上に形成されたロジック回路１２と、センサ部３１及びロジック回路１２上に形成され、電磁波を遮断するシールド層１４と、第２主面上に配置されたカラーフィルタ３７と、カラーフィルタ３７上に配置されたマイクロフィルタ３８とを有する。 （もっと読む）

【課題】距離検出画素の開口率を高めることができ、高いＳＮ比により距離検出精度を向上させることが可能となる固体撮像素子等を提供する。
【解決手段】半導体中に、第１の光電変換部と第２の光電変換部とによる少なくとも２つの光電変換部を有する画素を備えた固体撮像素子であって、
前記第１の光電変換部は、前記第２の光電変換部よりも高い不純物濃度を有し、前記第２の光電変換部で発生した電荷を前記第１の光電変換部に転送可能に構成され、
前記第１の光電変換部と前記第２の光電変換部の電荷量を、共通して検出する１つの信号検出手段を有する。 （もっと読む）

【課題】良好な感度特性およびスミア特性を両立する撮像機能を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】画素２１は、全ての画素２１において同時に光電変換部３１で発生した電荷をメモリ部３３に転送し、メタルゲート６１、６２を有する転送部３２、３４と、転送部３２、３４の周囲の層間絶縁膜６７を掘り込むことにより形成された溝部にメタル６６を埋め込むことにより形成される遮光部とを有する。また、遮光部は、その先端部が、転送部の周囲において、層間絶縁膜６７と半導体基板５１との間に形成されるライナー膜６５の膜厚よりも半導体基板側に突出するように形成される。 （もっと読む）