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固体撮像素子およびその製造方法、並びに、電子機器
有機光電変換材料、光電変換素子、撮像装置、太陽電池
固体撮像素子に用いられるカラーフィルタ用感光性着色組成物及びカラーフィルタ
固体撮像装置、カメラおよび固体撮像装置の設計方法
マイクロレンズの製造方法およびマイクロレンズ製造用フォトマスク
半導体装置、半導体装置の製造方法、および電子機器
【課題】アスペクト比の異なる複数の開口下部に接続される配線に対して最適な処理を施すことができるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、第1の半導体基板と第2の半導体基板が接合された半導体基板の第1の開口の下部配線と、貫通接続孔と異なるアスペクト比の第2の開口の下部配線に対して、バリアメタル膜の成膜と、スパッタガスによる物理エッチングを同時に行うアンカー処理工程が含まれる。本技術は、例えば、固体撮像装置などの半導体装置に適用できる。
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固体撮像素子およびその製造方法、電子機器、並びに固体撮像素子用組成物
【課題】光学混色を低減させ、色再現性を向上させることができるようにする。
【解決手段】固体撮像素子の2次元配列された各画素は、光電変換素子の上側に形成された平坦化膜と、平坦化膜の上側に形成されたフィルタと、フィルタの上側に形成されたマイクロレンズとを少なくとも有する。複数の画素のうち、一部のフィルタは、所定の色成分の光を透過させるカラーフィルタであり、他の一部のフィルタは、可視光領域全体の光を透過させるホワイトフィルタである。ホワイトフィルタ、マイクロレンズ、および平坦化膜の各屈折率は、ホワイトフィルタ≧マイクロレンズ>平坦化膜の関係にある。本発明は、例えば、固体撮像素子に適用できる。
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半導体装置
【課題】電磁適合性(EMC)の問題を改善することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】第1主面と第2主面とを有する半導体基板10と、第1主面上に形成され、入射光を電気信号に変換するセンサ部31と、第1主面上に形成されたロジック回路12と、センサ部31及びロジック回路12上に形成され、電磁波を遮断するシールド層14と、第2主面上に配置されたカラーフィルタ37と、カラーフィルタ37上に配置されたマイクロフィルタ38とを有する。
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固体撮像素子、該固体撮像素子を備えた距離検出装置、該距離検出装置を備えたカメラ
【課題】距離検出画素の開口率を高めることができ、高いSN比により距離検出精度を向上させることが可能となる固体撮像素子等を提供する。
【解決手段】半導体中に、第1の光電変換部と第2の光電変換部とによる少なくとも2つの光電変換部を有する画素を備えた固体撮像素子であって、
前記第1の光電変換部は、前記第2の光電変換部よりも高い不純物濃度を有し、前記第2の光電変換部で発生した電荷を前記第1の光電変換部に転送可能に構成され、
前記第1の光電変換部と前記第2の光電変換部の電荷量を、共通して検出する1つの信号検出手段を有する。
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固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子情報機器
【課題】読み出し特性や感度劣化がなく、熱酸化処理による電荷転送電極間のギャップ部の拡大を回避することができ、これにより、微細で高速転送可能な固体撮像素子を実現する。
【解決手段】固体撮像素子100において、垂直CCD部110は、シリコン基板1内に形成され、信号電荷を転送する転送チャネル3と、シリコン基板1上にゲート絶縁膜7を介して転送チャネル3に沿って配列された複数の電荷転送電極8と、隣接する電荷転送電極8の間に絶縁材料を堆積して形成され、該隣接する電荷転送電極を電気的に分離する電極分離絶縁膜とを有する構造とし、受光部101は、シリコン基板1内に形成され、入射光の光電変換により信号電荷を生成する光電変換領域5と、該光電変換領域の表面部分の熱酸化により形成された熱酸化膜11とを有する構造とした。
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固体撮像素子
【課題】画素部の金属汚染や受光部の光電変換素子表面へのRIEによるダメージの発生を抑制することができる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、固体撮像素子は、所定の波長の光を透過させるカラーフィルタ51L,51M,51Sと、カラーフィルタ51L,51M,51Sを透過する光を検出するフォトダイオードPDと、を含む画素PL,PM,PSを、異なる波長の光を検出するように複数有する絵素が、所定の周期で2次元的に基板11上に配置される。絵素中の最も長い波長の光を検出する画素PLは、基板11の光の入射面と対向する面側のフォトダイオードPD上に設けられる保護膜12と、保護膜12上に設けられ、厚さ方向に貫通する円柱状の孔が2次元的に配置される回折格子部20Lと、を備える。回折格子部20Lは、画素PLに設けられるカラーフィルタ51Lを透過する光を反射させるように孔の径と配置される周期が選択される。
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光電変換装置及びその製造方法、並びに光電変換システム
【課題】深さ方向に沿って複数の光電変換部が配された光電変換装置において、深い位置に配された光電変換部の光感度を高くするために有利な技術を提供する。
【解決手段】光電変換装置は、光が入射する第1面及び前記第1面の反対側に配された第2面を有する部材と、前記部材の内部に前記第1面から深さ方向に沿って配された複数の光電変換部を含み、前記複数の光電変換部のうち前記第1面から最も近い位置に配された前記光電変換部を除く少なくともいずれか一つは、前記第1面から最も近い位置に配された前記光電変換部よりも高低差が大きい凹凸形状を前記部材との境界面に有しており、前記凹凸形状の境界面は、前記第1面側から入射して前記凹凸形状の境界面に到達した光を局在または共鳴させる。
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撮像素子および撮像装置
【課題】光電変換部の分割配置に伴って瞳強度分布に生じる低感度領域の影響を抑制する。
【解決手段】撮像素子107は、複数の画素200R,200G,200Bを有する。複数の画素の各々の画素は、マイクロレンズ350と、分離帯Sを間に挟んで互いに分離され、マイクロレンズを通過した光束を光電変換する複数の光電変換部306,307,310,311とを有する。該複数の光電変換部は、撮影光学系の異なる射出瞳を通過した複数の光束を光電変換する場合に、マイクロレンズは、光軸方向における分離帯上のレンズ部がレンズ部に入射する光束に対してパワーを持たない又は負のパワーを持つ。
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半導体装置、および、その製造方法、固体撮像装置
【課題】ショートチャネル特性などを向上する。
【解決手段】n型FET111Nの半導体活性層111Cの上面に、バックゲート絶縁膜401を介してバックゲート電極121を金属材料で形成する。ここでは、バックゲート電極121,221について、半導体活性層111Cの上面においてゲート電極111Gおよび一対のソース・ドレイン領域111A,111Bに対応する部分を被覆するように、バックゲート電極121を形成する。
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固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、撮像装置
【課題】レンズの無効領域が少ない固体撮像素子を容易に製造することができる固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】レンズ20を構成するレンズ母材層21を形成する工程と、このレンズ母材層21上に、レジスト23よりも熱膨張係数の大きい中間膜22を形成する工程と、この中間膜22上に接して、レジスト23を形成する工程と、その後、熱リフローによりレジスト23をレンズの形状とする工程と、エッチングにより、レジスト23のレンズの形状をレンズ母材層21に転写して、レンズ20を形成する工程とを有して、受光部の上方にレンズ20が設けられた固体撮像素子を製造する。
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固体撮像素子ウエハ、固体撮像素子の製造方法、および固体撮像素子
【課題】裏面照射型の固体撮像素子を備えたチップ領域が複数配列された固体撮像素子ウエハにおいて、個片化されるチップ領域のサイズを縮小し、これにより固体撮像素子の小型化を図る。
【解決手段】複数のチップ領域200と、チップ領域200を囲んで配置された分割領域300と、各チップ領域200に設けられた光電変換部20と、各チップ領域200において光電変換部20に対する受光面Aとは逆の表面側に設けられた駆動回路と、駆動回路に接続され各チップ領域200において表面側に引き出されたデバイス用端子33と、駆動回路に接続され分割領域300において受光面A側に露出された検査用端子400とを備えた固体撮像素子ウエハ100−1である。
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ケミカルセンサ、ケミカルセンサモジュール、生体分子検出装置及び生体分子検出方法
【課題】高精度に生体分子を検出することが可能なケミカルセンサ、ケミカルセンサモジュール、生体分子検出装置及び生体分子検出方法を提供すること
【解決手段】本技術のケミカルセンサは、基板と、オンチップレンズと、平坦化層とを具備する。基板は、平面状に配列する複数のフォトダイオードが形成されている。オンチップレンズは、上記基板上に設けられた、入射光を上記フォトダイオードに集光する。平坦化層は、オンチップレンズを被覆して平坦化し、プローブ材料を保持するためのプローブ保持面を形成する。
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固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器
【課題】裏面照射型の固体撮像素子の表面側のフォトダイオードと裏面側のマイクロレンズおよびカラーフィルタとのアライメント精度を向上させる。
【解決手段】裏面照射型の固体撮像素子1において、半導体基板としてのシリコン基板2の表面側に、被写体からの画像光を光電変換して撮像する複数の受光部(複数のフォトダイオード3)と、この受光部の形成時に用いた第1アライメントマークを基準にして所定位置に、シリコン基板2上の一または複数の層間膜(層間絶縁膜)を貫通してシリコン基板2に形成されたトレンチ構造の第2アライメントマーク18とを有し、シリコン基板2の裏面側に、第2アライメントマーク18を基準にして、複数の受光部のそれぞれに対応するように所定色配列のカラーフィルタ21およびその上のマイクロレンズ22がそれぞれ形成されている。
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半導体素子、撮像素子、撮像モジュール、撮像装置、並びに、製造装置および方法
【課題】パッドの腐食を抑制することにより、金属材料とパッドとの接続性を向上させることができるようにする。
【解決手段】本開示の半導体素子は、内部回路の外部端子となる電極と、前記電極の表面に形成され、外部水分が接触しないように前記電極を保護する無機材料の薄膜である保護膜とを備える。本開示は、半導体素子、撮像素子、撮像モジュール、撮像装置、並びに、製造装置および方法に適用することができる。
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固体撮像素子、及び、電子機器
【課題】光学的な干渉を抑制することが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基体31と、半導体基体31の第1主面上に形成された、Geを含む第1半導体層32とを備える固体撮像素子30を構成する。この固体撮像素子30は、半導体基体31の第2主面に形成された転送トランジスタTr1と、第1半導体層32を含む領域に形成されたフォトダイオード33とを備える。
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