Fターム[4M119BB00]の内容
MRAM・スピンメモリ技術 (17,699) | 記憶素子の種類 (1,713)
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Fターム[4M119BB00]に分類される特許
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不揮発性半導体記憶装置
【課題】隣接する配線の間におけるリークを抑制することができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置1は、シリコンを含む基板11と、基板11の上に設けられた複数のメモリセルと、複数のメモリセルの上方に設けられた配線7と、配線7の上に設けられたリーク抑制層8と、前記リーク抑制層8の上方に設けられた層間絶縁膜10と、を備えている。そして、隣接するメモリセルの間、および、隣接する配線7の間には空隙12が形成され、リーク抑制層8の幅寸法は、配線7の幅寸法よりも短いこと、および、隣接するリーク抑制層8の間の寸法は、隣接する配線7の間の寸法よりも長いこと、の少なくともいずれかである。
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記憶装置
【課題】効率のよいレイアウトを提供する。
【解決手段】記憶装置であって、複数のワード線WLと、複数のワード線WLに交差する複数のデータ線DLと、複数のワード線WLと複数のデータ線DLとの交点に配置され、記憶情報に応じて抵抗が変化する記憶素子とMOSトランジスタをそれぞれ含む複数のメモリセルMCとを備え、MOSトランジスタは、ソースとドレイン間の電流経路が対応する複数のデータ線の一つに対して斜めに形成される構造FLを持ち、複数のワード線のうちの選択されたワード線に接続された複数のメモリセルが選択される。
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ナノチューブトランジスタアクセスデバイスを備えたメモリ
メモリセルは、メモリ素子と、当該メモリ素子にアクセスするために当該メモリ素子に接触したナノチューブトランジスタとを有している。
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集積回路、および集積回路装置
【課題】論理素子、メモリ、論理素子領域などが固定されない集積回路および集積回路装置を提供する。
【解決手段】時間の経過t0、t1、t2、t3・・・tn(ただし、nは任意の整数)とともに回路機能が異なる素子の集合であって、時間の経過t0、t1、t2、t3・・・tnとともに異なる回路機能の部分が素子の全体集合である集積回路を用いる。また、時間の経過t0、t1、t2、t3・・・tnとともに回路機能が異なる素子の集合であって、時間の経過t0、t1、t2、t3・・・tnとともに回路機能の異なる部分が任意の個数の部分集合である集積回路を用いる。
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