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Fターム[4M119CC07]の内容

MRAM・スピンメモリ技術 (17,699) | 磁化制御技術 (1,406) | 光(電磁波)による磁化制御 (8)

Fターム[4M119CC07]に分類される特許

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【課題】光信号を直接不揮発的に記憶する光不揮発性メモリを提供すること。
【解決手段】第1導電型を有する第1半導体層12と、前記第1導電型とは異なる第2導電型を有する第2半導体層16と、前記第1半導体層と前記第2半導体層とに挟まれ、逆バイアスが印加されることにより受光し、順バイアスが印加されることにより発光する活性層14と、前記活性層の受光する光の強さによって磁化方向が変化する強磁性体層20と、を具備する光不揮発性メモリ。 (もっと読む)


【課題】本発明は、光信号の情報を記憶させておくために電力を消費することがなく、光信号の情報の書込み、および読出しを高速にかつ簡単な構成で行なうことができる不揮発性光メモリを提供する。
【解決手段】本発明は、電子のスピン偏極状態を利用して光信号を記憶する半導体レーザー構造を備えた不揮発性光メモリ10である。不揮発性光メモリ10は、GaAs基板1と、GaAs基板1上に、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することで形成してある分布ブラッグ反射層2と、分布ブラッグ反射層2上に、量子井戸構造を有する半導体活性層3とを備えている。発光領域10aの半導体活性層3上に、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することで形成してある分布ブラッグ反射層4と、受光領域10bの半導体活性層3上の一部に、半導体活性層3の表面に対して垂直の磁化方向を有する強磁性電極5とを備えている。 (もっと読む)


【課題】従来にない新規な物性を発現し得る酸化チタン薄膜及びその製造方法と、それを用いた磁気メモリ、光情報記録媒体及び電荷蓄積型メモリを提供する。
【解決手段】TiO粒子を混入させた原料溶液を基板2の表面に塗布して、TiO粒子層を当該基板2の表面に形成し、水素雰囲気下において焼成処理することにより、基板2の表面に酸化チタン薄膜3を形成する。これにより、温度が約460K付近において非磁性半導体と常磁性金属とに相転移する従来におけるバルク体とは異なり、室温で相転移せずに、全ての温度領域において、Ti粒子本体が常磁性金属の特性を常に維持することができるという従来にない新規な物性を発現し得る酸化チタン薄膜3を提供できる。 (もっと読む)


【課題】アシスト用のマイクロ波磁場を適切な条件で印加することにより、記録磁場を低減できる磁気記録ヘッドを提供する。
【解決手段】磁気記録媒体に記録磁場を印加する記録磁極と、磁気記録媒体にマイクロ波磁場を印加して磁気記録をアシストするマイクロ波磁場発生源とを有し、前記マイクロ波磁場発生源から磁気記録媒体に印加されるマイクロ波磁場の周波数が、前記記録磁場が印加された磁気記録媒体の磁化の共鳴周波数に対応することを特徴とする磁気記録ヘッド。 (もっと読む)


【課題】高速不揮発性光メモリ素子において、メモリ素子のスピードを向上させるため、情報データは、電気信号に変換することなく、すべて光学的に高速で記録され読み出され、又メモリに記録されている情報データを、電流により、読み書きすることである。
【解決手段】高速不揮発性光メモリ素子において、メモリ素子は、磁気トンネル接合電極を持ったPINダイオードから構成されている。情報データは、磁気トンネル接合の自由層の磁化状態に反対方向の二つのものがあることを利用して、メモリ素子に記録される。又本発明は、円偏光または楕円偏光の光パルスを照射することにより、自由層に注入された電流が磁化を反転させることを利用した高速メモリ素子を提供する。記録されたデータの読み出しは、メモリ素子を通過する光強度または、磁気トンネル接合の磁気抵抗の値の測定により行われる。 (もっと読む)


【課題】磁場安定性及び熱安定性を保持しつつ、微細化かつ省電力化ができる光アシスト型磁気記録装置を提供する。
【解決手段】半導体から構成され発光する発光素子層を有する発光素子基板と前記発光素子基板上にモノリシックに形成され、光照射で磁化が誘起される強磁性体からなる光誘起磁性体層とを備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】比較的簡素な構成で一対の電流配線を要することなく効率良く確実な磁化反転を可能とし、装置の更なる微小化を可能とする信頼性の高い磁気記憶装置を実現する。
【解決手段】少なくとも磁化反転層4の両側面、ここでは絶縁層3、磁化反転層4及びキャリア注入層5からなる積層体の両側面に、絶縁層6及び非磁性金属層、ここではRu層7を介して、一対の磁化制御層8を設ける。キャリア注入層5は、SrTiO3から、磁化制御層8はGdFeCo,GdDyFeCo,GdNdFeCo等の希土類遷移金属合金から形成する。 (もっと読む)


【課題】強磁性から常磁性への転移が必要とされる、強磁性体を用いたデバイスを小型化することが可能な磁性制御方法を提供する。
【解決手段】強磁性半導体110の強磁性を常磁性に転移させる方法であって、光照射又は電界印加により強磁性半導体110に強磁性半導体110のバンドギャップエネルギー以上のエネルギーを与えて強磁性半導体110内に伝導電子を発生させ、該伝導電子により強磁性半導体110における強磁性を担うイオンの価数を変化させて強磁性半導体110の強磁性を常磁性に転移させる。 (もっと読む)


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