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Fターム[4M119CC09]の内容

MRAM・スピンメモリ技術 (17,699) | 磁化制御技術 (1,406) | 電界による磁化制御 (23)

Fターム[4M119CC09]に分類される特許

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【課題】素子特性を劣化させることなく、半導体材料または絶縁膜の結晶特性を改善することができる低温アニールを用いた半導体装置の製造方法、並びに、このような低温アニールに適した半導体装置を提供する。
【解決手段】本実施形態による半導体装置は、半導体基板の上方に設けられた金属からなる下部電極と、下部電極の上方に設けられた金属からなる上部電極と、下部電極と上部電極との間に設けられた結晶層とを備える。下部電極および上部電極の各膜厚は、結晶層の結晶化に用いられるマイクロ波の周波数に対応する表皮効果における表皮層よりも薄い。 (もっと読む)


【課題】厚さが35nm以下でも十分に高い保磁力および角型比を有する磁性のコバルト薄膜を得ることができるコバルト薄膜の形成方法およびこの方法により形成したコバルト薄膜を用いたナノ接合素子を提供する。
【解決手段】ポリエチレンナフタレート基板11上に真空蒸着法などによりコバルト薄膜12を35nm以下の厚さに成膜する。こうしてポリエチレンナフタレート基板11上にコバルト薄膜12を成膜した積層体を二つ用い、これらの二つの積層体をそれらのコバルト薄膜12のエッジ同士が、必要に応じて有機分子を挟んで、互いに対向するように交差させて接合することによりナノ接合素子を構成する。このナノ接合素子により不揮発性メモリや磁気抵抗効果素子を構成する。ポリエチレンナフタレート基板11の代わりに、少なくとも一主面がSiO2 からなる基板、例えば石英基板を用いてもよい。 (もっと読む)


【課題】磁気抵抗効果の大きい新たな可変抵抗素子を提供する。
【解決手段】本発明による可変抵抗素子は、次の3つの特徴を備えた結晶性化合物を含む。第1の特徴は、トポロジカル誘電体特性を示すことにより、伝導帯と価電子帯がディラックコーンを形成する点である。第2の特徴は、ディラックコーンを構成する伝導帯の谷と価電子帯の山との間に、バンドギャップが形成される点である。第3の特徴は、異なるスピンが入る二つのバンドがΓポイントを中心に時間反転対称を持つことである。これら3つの特徴を全て備えることにより、著しい磁気抵抗効果が発現する。 (もっと読む)


【課題】光信号を直接不揮発的に記憶する光不揮発性メモリを提供すること。
【解決手段】第1導電型を有する第1半導体層12と、前記第1導電型とは異なる第2導電型を有する第2半導体層16と、前記第1半導体層と前記第2半導体層とに挟まれ、逆バイアスが印加されることにより受光し、順バイアスが印加されることにより発光する活性層14と、前記活性層の受光する光の強さによって磁化方向が変化する強磁性体層20と、を具備する光不揮発性メモリ。 (もっと読む)


【課題】従来にない新規な物性を発現し得る酸化チタン薄膜及びその製造方法と、それを用いた磁気メモリ、光情報記録媒体及び電荷蓄積型メモリを提供する。
【解決手段】TiO粒子を混入させた原料溶液を基板2の表面に塗布して、TiO粒子層を当該基板2の表面に形成し、水素雰囲気下において焼成処理することにより、基板2の表面に酸化チタン薄膜3を形成する。これにより、温度が約460K付近において非磁性半導体と常磁性金属とに相転移する従来におけるバルク体とは異なり、室温で相転移せずに、全ての温度領域において、Ti粒子本体が常磁性金属の特性を常に維持することができるという従来にない新規な物性を発現し得る酸化チタン薄膜3を提供できる。 (もっと読む)


【課題】電気的手段により磁気情報の書込みを行う磁気メモリセル及びそれを装備した大容量多値磁気メモリを提供する。
【解決手段】スピン蓄積層1上に配置した複数の磁気記録ビット31〜34と、1つの検出部によって磁気メモリセルを構成し、その磁気メモリセルを多数組み合わせて大容量磁気メモリを構成する。磁気記録ビットは、スピン蓄積層上に中間層、磁気記録層、障壁層、固定層、電極保護層を積層した構造を有し、検出部はスピン蓄積層上に中間層、固定層、電極保護層を積層した構造を有する。検出部は、各記録ビットを構成する磁気記録層の磁化方向の組合せを多値情報として電気的に検出する。 (もっと読む)


【課題】低消費電力でありながら、磁化方向の高速スイッチングが可能な磁気スイッチング素子を提供する。
【解決手段】この磁気スイッチング素子100は、磁性酸化物層30と、上記磁性酸化物層30の一方面側に位置する非磁性電極層40と、上記磁性酸化物層30の他方面側に位置する磁性金属層20と、上記非磁性電極層40と上記磁性金属層20との間に正逆電圧を印加するための電極と、を備える。 (もっと読む)


【課題】磁性体の磁化の方向を反転させるために必要となる電流量を低減することが可能である、磁性体の磁化反転方法を提供する。
【解決手段】磁性体31と、この磁性体31に接して配置され、電圧の印加により磁性体31の磁気特性を直接的に、或いは、間接的に、変化させることが可能な絶縁体32とを含む素子40を構成する。そして、磁性体31の磁化Mの歳差運動の周期の2分の1の周期で変調させた電圧を、この素子40に対して印加して、素子40の磁性体31の磁化Mの方向を反転させる。 (もっと読む)


【課題】磁化反転に高い電流密度を必要とせず、磁化の熱安定性の低下を抑制して、高い記録密度が可能な磁気メモリを提供する。
【解決手段】磁性素子の可動層が強磁性体層と電気磁気効果を有する酸化物反強磁性体層の2層構造であり、情報入力方式として電圧誘起磁化反転を用いた磁気メモリ。酸化物反強磁性体層を形成する方法として、Au(111)層の上に3回対称のCr(110)層をエピタキシャル成長させて形成するCr層形成ステップと、形成されたCr(110)層を酸化させて3回対称のCr(0001)層を形成するCr層形成ステップとを有している情報入力方式として電圧誘起磁化反転を用いた磁気メモリの製造方法。 (もっと読む)


【課題】磁気抵抗素子全体の電力消費を低減させる。
【解決手段】磁気抵抗素子は、磁気異方性を示し、その磁化が少なくとも第一及び第二の方向の間で反転できるように構成された強磁性層と、強磁性領域に容量性結合されたゲートとを含んでいる。磁気抵抗素子を動作させる方法は、第一及び第二の方向の間で磁化を反転させるために、強磁性領域の磁気異方性の方向を変化させるように、強磁性領域に電場パルスを印加するステップを含んでいる。 (もっと読む)


【課題】電界によって分極と磁化を誘起し、その強度と方向を制御できるメモリ素子を提供する。
【解決手段】メモリ素子において、マルチフェロイック固体材料1からなる構造を有し、上下の金属電極2,2′に電界を印加するように配置し、上下の金属電極2,2′間に誘起される電荷、磁化を利用する。データの書き込みは、特定の選択されたビット線4とワード線5の間に印加する電圧による電界で分極を発生させることにより実現する。データの読み出しは、保持されている電気分極に起因する電圧強度で0もしくは1を判定すればよい。データの消去は、そのメモリセル3へ印加する電圧の符号を先に印加した電圧と反転させ、一定の強度を与えればよい。一方、分極発生すると同時に磁化6が発生する。この磁化6は磁界7をメモリセル3の外部に及ぼす。このことからメモリセル3の情報に相応した磁界を発生し得るアクティブ型メモリ素子を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】 交流磁場で電流を誘起でき、または電気分極の強度と方向を制御できるマルチフェロイック電子装置を提供する。
【解決手段】 マルチフェロイックナノ発電機は、金属電極2に挟まれたマルチフェロイック固体材料1からなる構造を有し、金属電極2に平行に交流磁界5を印加するように配置し、金属電極2間に誘起される電流を利用する。 (もっと読む)


【課題】直流電流に重畳させる交流電流の周波数と磁化自由層の磁化の固有振動数とを完全に一致させてスピン偏極電流を確実に低減し得る。
【解決手段】磁化固定層、磁化自由層、および磁化固定層と磁化自由層との間に配設された非磁性スペーサー層を備えた磁気抵抗効果素子2と、磁化自由層に磁場Hを印加する磁場印加部3と、磁化固定層と磁化自由層との間に交流電流が重畳された交流重畳直流電圧Vddを供給する電源供給部4とを備え、電流供給部4は、磁気抵抗効果素子2についての磁化自由層の磁化の固有振動数を含む周波数範囲内で交流電流の周波数をスイープさせる。 (もっと読む)


【課題】従来技術のMRAMメモリ・セルの欠点を克服し、とりわけ、従来技術のMRAMメモリ・セルと比較して「書き込み」動作を改良可能とした、MRAMメモリ・セルを提供する。
【解決手段】 本発明に従ったメモリ・セルは、その磁化の相対配向がデータ・ビットを定義する、第1および第2の強磁性層(11、12)を含む磁気素子を備え、第1および第2の強磁性層は、非強磁性の、好ましくは電気的に絶縁の、スペーサ層(13)によって分離されている。データ・ビットは、磁気RAMの分野で知られているように、たとえば、磁気素子全体にわたる、好ましくは層面に垂直の電気抵抗を測定することによって、読み出しが可能である。磁気素子に加えて、メモリ・セルは、その磁化方向が明確である、他の第3の強磁性層(15)と、印加される電気的電圧信号によってイオン濃度を変化させることにより、そのキャリア密度が変更可能である、抵抗切り替え材料(14)と、を備える。これにより、キャリア密度を、第1の状態と第2の状態との間で切り替えることが可能であり、第2と第3の強磁性層の間の有効交換カップリングは、第2および第3の強磁性層の磁化間で磁気カップリング全体の方向が変化するように、すなわち、磁気カップリング全体が第2および第3の強磁性層の磁化方向の異なる相対配向を好むように、影響を受ける。 (もっと読む)


【課題】外部影響(特に電気的パルス)により電気的抵抗が変化する特性を有する材料を用いた不揮発性メモリの大容量化を可能としたクロスポイントメモリデバイスを提供すること。
【解決手段】下部電極と上部電極とのクロスポイントに対応するビット領域は、互いに交差するように配列された下部電極と上部電極との間に配置されたアクティブ層の一部である。アクティブ層は、電気信号に応答して変化する抵抗性を有し得る材料である。下部電極と上部電極との間を通る電気信号は、ビット領域を通過する。ビット領域では、電気信号に応答して抵抗率を変化させる。 (もっと読む)


【課題】少ない電力消費で磁気抵抗素子を動作させる方法を提供する。
【解決手段】磁気抵抗素子(21)は、磁気異方性を示しかつその磁化を少なくとも第1と第2の配向の間に切り換えることができる強磁性領域(22)とこの強磁性領域(22)に容量的に結合するゲート(23)とを含む。この方法は、電界パルス(29)を強磁性領域(22)に与えることにより、磁気異方性の配向を変えて磁化を第1と第2の配向の間に切り換えることを含む。 (もっと読む)


【課題】スピンFET/スピンメモリの低消費電力と高信頼性を実現する。
【解決手段】本発明の例に係るスピンFETは、第1ソース/ドレイン領域11a-1上に配置され、磁化方向が膜面に対して垂直方向となる上方向又は下方向に固定される第1強磁性膜12と、第2ソース/ドレイン領域11a-2上に配置され、磁化方向が上方向又は下方向に変化する第2強磁性膜13と、第2強磁性膜13上に配置される反強磁性強誘電膜15と、第1ソース/ドレイン領域11a-1と第1強磁性膜12との間及び第2ソース/ドレイン領域11a-2と第2強磁性膜13との間の少なくとも1つに配置されるトンネルバリア膜20,21とを備える。反強磁性強誘電膜15の抵抗は、第1及び第2ソース/ドレイン領域11a-1, 11a-2がチャネル領域11cを介して導通したときのオン抵抗よりも大きい。 (もっと読む)


【課題】トランジスタ及びその製造方法に関して、新たな構造のスピントランジスタ及びその製造方法を提案すること。
【解決手段】磁性体で形成された層を含んでいる第1のソースドレイン層と;前記第1のソースドレイン層上に形成されており、半導体で形成された層を含んでいる、チャネル層と、前記チャネル層上に形成されており、磁性体で形成された層を含んでいる、第2のソースドレイン層と、を含む突起構造と;前記チャネル層の側面に形成されたゲート絶縁膜と;前記ゲート絶縁膜の表面に形成されたゲート電極と;を具備することを特徴とする縦型スピントランジスタ。 (もっと読む)


【課題】高速性及び記憶保持特性に優れた半導体記憶装置及びその製造方法並びにそのデータ書込み方法及びデータ読出し方法を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置1は、半導体基板22上に形成された下部電極55と、下部電極55上に形成され、電気磁気効果を示す電気磁気効果層53と、電気磁気効果層53上に形成された上部電極51と、上部/下部電極51、55間に電圧を印加して所定方向に揃えられた電気磁気効果層53の磁化方向に基づいて残留磁化の方向が決まる磁気記憶層57とを有している。 (もっと読む)


【課題】 電界制御磁気素子及び電界制御磁気メモリ素子に関し、常磁性元素の強磁性化或いは強磁性元素の常磁性化を室温において電気的に制御する。
【解決手段】 電極1/絶縁膜2/遷移金属からなる導電体層3の積層構造を有するとともに、導電体層3に絶縁膜2を介して電圧を印加してフェルミ準位の位置を移動させることによって、常磁性−強磁性遷移或いは強磁性−常磁性遷移を制御する。 (もっと読む)


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