【課題】共通データバスを共有する複数のローカルメモリユニットが重複してデータを転送すること、あるいは、複数のローカルメモリユニットに対して重複してデータを転送することを抑制した半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、複数のメモリセルを含む複数のローカルメモリユニットＬＭＵ＜０＞〜ＬＭＵ＜７＞を備える。共通データバスＤＢは、複数のローカルメモリユニットに共有され、複数のローカルメモリユニットからデータを転送し、あるいは、複数のローカルメモリユニットへデータを転送する。タイミングコントローラＴ／Ｃはローカルメモリユニットの単位で配置するのではなく、インターリーブ動作を行なう単位（ローカルメモリユニットＬＭＵ＜０＞〜ＬＭＵ＜７＞のグループ）に対して1つ配置する。これにより読出しデータまたは書込みデータは、共通データバスＤＢにおいて衝突しない。 （もっと読む）

【課題】隣接する配線の間におけるリークを抑制することができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置１は、シリコンを含む基板１１と、基板１１の上に設けられた複数のメモリセルと、複数のメモリセルの上方に設けられた配線７と、配線７の上に設けられたリーク抑制層８と、前記リーク抑制層８の上方に設けられた層間絶縁膜１０と、を備えている。そして、隣接するメモリセルの間、および、隣接する配線７の間には空隙１２が形成され、リーク抑制層８の幅寸法は、配線７の幅寸法よりも短いこと、および、隣接するリーク抑制層８の間の寸法は、隣接する配線７の間の寸法よりも長いこと、の少なくともいずれかである。 （もっと読む）

【課題】
２データビットより多いデータビットをＭＲＡＭセルに対して書き込み読み出すための方法であって、当該ＭＲＡＭセルは、読み出し磁化方向を呈する読み出し層と、第１記憶磁化方向を呈する第１記憶強磁性層と第２記憶磁化方向を呈する第２記憶強磁性層と から成る記憶層とから形成された磁気トンネル接合から構成される。
【解決手段】
本発明の方法は、前記磁気トンネル接合を高温閾値より上で加熱するステップと前記第１記憶磁化方向を前記第２磁化方向に対して或る角度で指向させるステップとを有する。その結果、前記磁気トンネル接合が、読み出し磁化方向の方向に対する前記第１記憶磁化方向の方向によって決定される１つの抵抗状態レベルに到達する。書き込み領域を発生させるためのただ１つの電流線を使用することで、当該方法は、異なる少なくとも４つの状態レベルをＭＲＡＭセル内に記憶することを可能にする。 （もっと読む）

【課題】微細配線を簡易に低抵抗化する。
【解決手段】実施形態に係わる半導体装置は、第１の方向に積み重ねられる第１乃至第３の半導体層3a,3b,3cを有し、第２の方向に延びるフィン型積層構造を有する。第１のレイヤーセレクトトランジスタTaは、第１のゲート電極10aを有し、第１の半導体層3aでノーマリオン状態である。第２のレイヤーセレクトトランジスタTbは、第２のゲート電極10bを有し、第２の半導体層3bでノーマリオン状態である。第３のレイヤーセレクトトランジスタTcは、第３のゲート電極10cを有し、第３の半導体層3cでノーマリオン状態である。第１の半導体層3aのうちの第１のゲート電極10aにより覆われた領域、第２の半導体層3bのうちの第２のゲート電極10bにより覆われた領域及び第３の半導体層3cのうちの第３のゲート電極10cにより覆われた領域は、それぞれ金属シリサイド化される。 （もっと読む）

【課題】電気的手段により磁気情報の書込みを行う磁気メモリセル及びそれを装備した大容量多値磁気メモリを提供する。
【解決手段】スピン蓄積層１上に配置した複数の磁気記録ビット３１〜３４と、１つの検出部によって磁気メモリセルを構成し、その磁気メモリセルを多数組み合わせて大容量磁気メモリを構成する。磁気記録ビットは、スピン蓄積層上に中間層、磁気記録層、障壁層、固定層、電極保護層を積層した構造を有し、検出部はスピン蓄積層上に中間層、固定層、電極保護層を積層した構造を有する。検出部は、各記録ビットを構成する磁気記録層の磁化方向の組合せを多値情報として電気的に検出する。 （もっと読む）

【課題】高速のデータ読出しが可能であるとともに、ワード線の活性化用のドライブ回路の面積を削減した半導体装置を提供する。
【解決手段】ワード線ＷＬと複数箇所で接続される低抵抗の杭打ちワード線ＣＷＬを介した信号伝達によって、高速のデータ読出が可能となる。また、杭打ちワード線ＣＷＬは複数のメモリブロックＢＫで共通に設けられるので、ワード線ドライバ５０Ｃを、複数のメモリブロックＢＫで共通化できる。さらに、サブディジット線ＳＤＬに対応して、杭打ちワード線ＣＷＬの活性状態を保持するラッチ回路９２を設けることによって、杭打ちワード線ＣＷＬを介してデータ書込時の行選択信号を伝送することができ、金属配線層を削減できる。 （もっと読む）

【課題】セル構造が簡単かつセルサイズが小さく、従って製造工程が容易な磁気抵抗ラムを提供すること。
【解決手段】１つのビットラインとセルプレートとの間にＮＡＮＤ型に直列連結され、各々のゲートに複数のワードラインの信号が印加されるＭＲＡＭセルグループ、及び前記１つのビットラインに連結されセンスアンプイネーブル信号が印加されると、前記ビットラインに印加されたデータをセンシングするセンスアンプを備え、もしくは、
ビットラインとセルプレートとの間にＮＡＮＤ型に直列接続され、各々のゲート端子に複数のワードラインの信号が印加されるＭＲＡＭセルグループ、及び前記ビットラインに接続され前記ＭＲＡＭセルグループに流れる電流を電圧に変換した後、前記ＭＲＡＭセルグループ内のＭＴＪの磁気分極方向の差による多重データを検出する多重データ検出回路を備える。
【選択図】図１５
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【課題】小型化回路規模のオーバーライト回避機能を備えたデータ記録装置を提供する。
【解決手段】第１の閾値を超える第1の電気信号の供給によって第１の状態への書き込みが行われ、前記第１の電気信号とは逆極性であってかつ第２の閾値を超える第２の電気信号の供給によって第２の状態への書き込みが行われ、第１及び第２の端子を有する抵抗変化型メモリ素子と、第１及び第２の端子にそれぞれ第１及び第２の電気信号を供給する第１及び第２の電源回路と、第１の端子に接続され、第１の端子に供給される電気信号で前記メモリ素子の前記第１の状態を検出する第１の検出回路と、第２の端子に接続され、第２の端子に供給される電気信号でメモリ素子の第２の状態を検出する第２の検出回路と、抵抗変化型メモリ素子のオーバーライトを防止するため第１及び第２の検出回路の検出信号に従って第１及び第２の電源回路の出力を制御する制御回路とを具備する。 （もっと読む）

【課題】メモリセルのサイズをより小さくして、小型化に寄与する磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】１つのメモリセル１は、アクセストランジスタ２と磁気抵抗効果素子３とから構成される。一方向に沿って位置するメモリセル１では、各磁気抵抗効果素子３の一端側はビット線４ａに接続され、他端側はアクセストランジスタ２のドレインに接続されている。そのアクセストランジスタ２のソース側はソース線５に接続されている。磁気抵抗効果素子３のフリー層のスピンの向きを磁場のアシストによって反転させるためのデータアシスト線７が形成されている。データアシスト線７は、２つの磁気抵抗効果素子３で一本のデータアシスト線を共有する態様で、一方向に互いに隣接する２つの磁気抵抗効果素子３，３ａ，３ｂの間に平面的に位置するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】レイアウト面積のさらなる削減を図ることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、主表面Ｓ１を有する基板ＳＵＢと、基板ＳＵＢの主表面Ｓ１から離間して配置され、データを記憶する記憶素子Ｍ１と、書き込み電流線ＤＬ＜０＞と、記憶素子Ｍ１にデータを書き込むためのデータ書き込み電流を書き込み電流線ＤＬ＜０＞に流し、基板ＳＵＢの主表面Ｓ１において形成される導通電極を有し、かつ記憶素子Ｍ１の下方に配置されるドライブトランジスタＤＬＤＴＲ０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 耐久性に優れたスピンメモリの実現。
【解決手段】 強磁性ワード線と、強磁性ワード線と交差する非磁性ビット線と、強磁性ワード線と対向する配線と、強磁性ワード線及び非磁性ビット線の交差部分と配線との間に設けられた磁気抵抗効果素子２０１とを備える。書き込み動作時には、強磁性ワード線と前記非磁性ビット線との間に電流を流し、強磁性ワード線から非磁性ビット線にスピンを蓄積させることで磁気抵抗効果素子の自由層の磁化方向を反転させる。読み出し動作時には、非磁性ビット線と配線との間に電流を流し、磁気抵抗効果素子の膜厚方向に電流を流す。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スイッチ磁界を低減し書き込み時の低エラー率を実現するトグルモードM-RAMデバイスを提供する。
【解決手段】本発明は、第１面上の第１方向に沿って延びる第１書き込み線と、第１面に平行な第２面上において第１方向と直交しない第２方向に沿って延びる第２書き込み線と、スイッチング可能な磁化状態を有し、それらの交差領域に配列される磁気抵抗メモリ素子とを備え、第１書き込み線は、第１書き込み電流が印加されると、第１磁界をメモリ素子に印加するように設けられ、第２書き込み線は、第２書き込み電流が印加されると、第２磁界をメモリ素子に印加するように設けられ、第１及び第２磁界はそれぞれ、メモリ素子における磁化容易軸に対して４５度未満の方向を有し、所定の処理でメモリ素子に印加される場合に、第１及び第２磁界を合成した磁界が、メモリ素子の磁化状態をスイッチングするために十分な大きさであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】メモリセルの高密度化を図れるＭＲＡＭやＰＲＡＭ等の半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】間隔を有して順に配置され、膜面に対して垂直方向に電流を流すことで記録が行われる第１乃至第４の抵抗変化素子ＭＴＪ１〜ＭＴＪ４と、第１及び第２の抵抗変化素子を接続する第１の電極１５と、第３及び第４の抵抗変化素子を接続する第２の電極１５と、第２及び第３の抵抗変化素子を接続するビット線ＢＬ２と、抵抗変化素子と対をなし、第１及び第２の電極と離間して配置されたワード線ＷＬ１〜ＷＬ４と、第１乃至第４の抵抗変化素子の中の選択素子にデータを書き込む時、第１乃至第４の抵抗変化素子と第１及び第２の電極とビット線とを有するチェーン構造部に第１の電流Ｉｗ１を流す第１の電流源と、選択素子にデータを書き込む時、選択素子に対応する第１乃至第４のワード線の中の選択ワード線に第２の電流Ｉｗ２を流す第２の電流源とを具備する。 （もっと読む）

【課題】センスアンプ回路の特性を劣化させることがなく、かつ、出力電圧レンジを大きく取ることができる半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、それぞれビット線ＢＬｘ０，ＢＬｘ１に接続された複数の磁気抵抗素子Ｒｘ０，Ｒｘ１と、それぞれビット線ＢＬ＿Ｂｘ０，ＢＬ＿Ｂｘ１に接続された複数のリファレンス抵抗Ｒｍｉｎ，Ｒｍａｘと、センスアンプ回路１０とを備える。磁気抵抗素子Ｒｘ０，Ｒｘ１は、２値のデータを蓄積する。リファレンス抵抗Ｒｍｉｎ，Ｒｍａｘは、基準抵抗値Ｒｒｅｆを発生するために用いられる。センスアンプ回路１０は、磁気抵抗素子Ｒｘ０，Ｒｘ１からデータを読み出すときに、上記各ビット線上を流れる電流ＩＡ〜ＩＤをそれぞれ分流させ、各分流された電流を、各分流された電流が流れるビット線とは異なる対応するビット線を流れる電流と合流させるＮ型トランジスタ２８ａ〜３１ａ，２８ｂ〜３１ｂを備える。 （もっと読む）

【課題】大容量メモリを実現する。
【解決手段】磁気記憶装置は、磁壁１２で区切られた磁区１１からなる複数のセルで構成され、このセル毎に情報が記録された磁性配線１０と、この磁性配線の一端部に配置された書き込み用素子２０と、磁性配線の他端部に配置された読み出し用素子３０とを具備する。書き込み動作時には、金属配線からなる書き込み用素子に書き込み電流Ｉｗを流し、この書き込み電流Ｉｗにより発生する磁場を磁性配線１０の一端部に位置するターゲットセル（書き込みたいアドレスのセル）ＴＣ−ｗに印加する。読み出し用素子３０はＭＴＪ素子（磁気抵抗効果素子）からなる。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて交換結合力が高く、かつ製造が容易な交換結合膜及びその交換結合膜を備えた磁気デバイスを提供する。
【解決手段】本発明に係る交換結合膜３０は、Ｒｕ−Ｒｈ合金からなる非磁性層３１を２つの強磁性層３２ａ，３２ｂで挟んだ構造を有している。本発明の交換結合膜を磁気ヘッド（読み取り素子）に適用する場合、例えば非磁性層３１の厚さを０．４〜０．５ｎｍとし、Ｒｈ含有量を５〜４０ａｔ％とする。また、本発明の交換結合膜を磁気記録媒体に適用する場合、例えば非磁性層３１の厚さを０．４〜０．６ｎｍとし、Ｒｈ含有量を５〜７０ａｔ％とする。更に、本発明の交換結合膜をＭＲＡＭに適用する場合、非磁性層３１の厚さを例えば０．３〜０．７ｎｍとし、Ｒｈ含有量を５〜４０ａｔ％とする。 （もっと読む）

【課題】抵抗メモリの一種として挙げられ、抵抗記憶素子に相変化材料を用いた相変化メモリを提供する。
【解決手段】メモリは、第１ドレイン１２４と第１ソース１２２ａとを含む第１トンネル電界効果トランジスタ１０８ａを含んでいる。上記第１ドレインは、第１抵抗記憶素子１０６ａに結合されている。上記メモリは、第２トンネル電界効果トランジスタ１０８ｂを含んでいる。上記第２トンネル電界効果トランジスタは、第２ドレインを含み、上記第１ソース１２２ａを共有している。上記第２ドレインは、第２抵抗記憶素子に結合されている。上記メモリは、ソースノードを設けるために、上記第１ソースに結合されている第１領域１１４を含む。 （もっと読む）

【課題】種々の用途に使用できる導電制御デバイスを提供すること。
【解決手段】導電制御デバイスは、比較的大きい飽和保磁力を有する第１強磁性領域（６）と、比較的小さい飽和保磁力を有する第２強磁性領域（８）と、第１強磁性領域と第２強磁性領域との間に配置された接合領域（１１）とを備え、このデバイスは、更に接合領域内の電荷キャリア密度を制御するよう接合領域に電界を加えるためのゲート（３）も備える。 （もっと読む）