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Fターム[4M119JJ16]の内容

MRAM・スピンメモリ技術 (17,699) | 製造方法 (929) | 加工方法 (452) | CMP、平坦化技術 (230) | ダマシン技術 (70)

Fターム[4M119JJ16]に分類される特許

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【課題】ゲート高さが低いため製造容易で、ゲート−コンタクト間の容量を抑制し、ゲート−コンタクト間の短絡を抑制した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は基板上にFin型半導体層を形成する。Fin型半導体層に交差するダミーゲートが形成される。Fin型半導体層にソースおよびドレインが形成される。ダミーゲート上に層間絶縁膜を堆積した後、ダミーゲートの上面を露出させる。ダミーゲートを除去してゲートトレンチを形成する。ゲートトレンチ内のFin型半導体層の上部をリセスする。ゲートトレンチ内のFin型半導体層の表面にゲート絶縁膜を形成する。ゲート電極をゲートトレンチ内に充填する。ゲート電極をエッチングバックすることによってゲート電極を形成する。ゲート電極の上面の高さはソースおよびドレインにおけるFin型半導体層の上面の高さ以下かつゲートトレンチ内のFin型半導体層の上面の高さ以上である。 (もっと読む)


【課題】本発明は、磁気抵抗材料と集積回路とを巧みに統合することのできる、磁気抵抗素子構造の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を提供する工程と、上記基板の上に金属ダマシン構造を形成する工程と、該金属ダマシン構造に電気的に接続するように該金属ダマシン構造の上にパターン化磁気抵抗ユニットを形成する工程とを含む、磁気抵抗素子構造の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】メモリセル部及び周辺回路部を微細化する。
【解決手段】半導体基板20に設けられたメモリセル部11及び周辺回路部12を有する半導体記憶装置の製造方法であって、メモリセル部11及び周辺回路部12にそれぞれ層間絶縁層37及び47を形成する工程と、層間絶縁層37及び47上にそれぞれ、心材50を形成する工程と、心材50をスリミングする工程と、メモリセル部11及び周辺回路部12の心材50の側面にそれぞれ、側壁38及び48を形成する工程と、側壁38及び48をマスクとして、層間絶縁層37及び47を加工する工程と、加工された層間絶縁層37及び47内にそれぞれビット線BL及び配線層44を形成する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】配線コーナーでの電子散乱を減らし、配線の抵抗率の増大を抑制する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、配線溝を有する層間絶縁膜とを備える。さらに、前記装置は、前記配線溝内に形成された配線を備える。さらに、前記配線溝の底面と側面との間の角部の曲率半径は、前記配線の配線幅の1/10以上である。 (もっと読む)


【課題】配線基板に半導体素子を形成する場合において、配線基板の製造工程数を少なくする。
【解決手段】コア層200の一面上には、第1配線232が設けられている。第1配線232上、及びその周囲に位置するコア層200の一面上には、半導体層236が形成されている。第1配線232及び半導体層236は、半導体素子を形成している。本実施形態において半導体素子は、第1配線232をゲート電極としたトランジスタ230であり、半導体層236と第1配線232の間に、ゲート絶縁膜234を有している。 (もっと読む)


【課題】TMR素子間の特性のばらつきを低減でき、かつ製造歩留まりの高い不揮発性磁気メモリの製造方法およびその構造を提供する。
【解決手段】TMR素子を含む磁気記憶装置の製造方法が、配線層が設けられた層間絶縁膜の上に、絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜に、配線層が露出するように開口部を形成する開口工程と、開口部を埋めるように、絶縁膜上に金属層を形成する金属層形成工程と、CMP法を用いて絶縁膜上の金属層を研磨除去し、開口部内に残った金属層を下部電極とするCMP工程と、下部電極上にTMR素子を形成する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】半選択状態になった磁気記憶素子のデータの誤反転を抑制することにより信頼性の高い書き込み動作を行うことができる磁気記憶素子、およびこれを用いた磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】磁化容易軸91と磁化困難軸92とを有する記録層3は、平面視においてすべての領域が第1導電層WTまたは第2導電層BLの少なくとも一方と重なる。磁化容易軸91に沿い、記録層3と平面視において重なる寸法が最大となる第1の線分の第1の端点TP,BPは、第2導電層BLと平面視において重ならない。上記第1の線分の中点を通り、平面視において第1の線分に直交し、記録層3と平面視において重なる第2の線分の1対の端点である第2の端点LP,RPのうち少なくとも一方は、第1導電層WTと平面視において重ならない。 (もっと読む)


【課題】微細なパターンを含む半導体装置の信頼性を向上する。
【解決手段】本実施形態の半導体装置は、素子形成領域100内の半導体素子と、素子形成領域100内から引き出し領域150内に延在する複数の配線WLと、引き出し領域150内の配線WLに接続されるコンタクト部39と、を具備し、配線WLは、n番(nは1以上の整数)の側壁膜のパターンに対応する(n+1)番目の側壁膜のパターンに基づいて形成され、配線WLの配線幅WW又は素子形成領域150内の配線間隔WDに対応する第1の寸法は、リソグラフィの解像度の限界寸法より小さく、露光波長がλ、レンズの開口数がNA、プロセスパラメータがk1で示される場合、第1の寸法は、(k1/2)×(λ/NA)以下であり、引き出し領域内で互いに隣接する配線WLの間隔WC2に対応する第2の寸法は第1の寸法より大きい。 (もっと読む)


【課題】 配線の信頼性が劣化しない磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】 実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリは、下部電極、磁気抵抗効果素子、上部電極が下層から順に積層された積層膜が設けられる。前記磁気抵抗効果素子、前記上部電極の側面に接し、上面が前記上部電極の上面と実質的に同一の高さであるストッパ層平坦部が設けられる。前記上部電極上にバリアメタル膜が設けられる。前記バリアメタル膜上にコンタクトプラグが設けられる。 (もっと読む)


【課題】孤立パターンに銅の化合物が析出するのを抑制する半導体装置の製造方法と、半導体装置とを提供する。
【解決手段】半導体装置では、素子・基板層ESLの低誘電率膜LOW1、ファイン層FLの極低誘電率膜ELK1等およびセミグローバル層SGLの低誘電率膜LOW2等のそれぞれの開口部に形成されるアライメントマークAMおよび重ね合わせ検査マークKMが、半導体基板SUBに形成された所定の導電型の不純物領域IRに電気的に接続されて、アライメントマークAMおよび重ね合わせ検査マークKMが接地電位に固定されている。 (もっと読む)


【課題】 セルの微細化を図る。
【解決手段】 実施形態による磁気ランダムアクセスメモリは、半導体基板1上に形成された選択素子Trと、選択素子上に形成された多層配線層7a−cと、多層配線層上に形成された層間絶縁膜8と、層間絶縁膜内に形成され、多層配線層を介して選択素子と電気的に接続されたコンタクト層9と、コンタクト層と電気的に接続され、金属材で形成された下部電極層21と、下部電極層の側面を取り囲み、金属材の酸化物で形成された金属酸化絶縁膜26と、下部電極層上に形成された磁気抵抗素子10と、磁気抵抗素子上に形成された上部電極層23と、磁気抵抗素子及び上部電極層の側面上に形成された側壁絶縁膜25と、上部電極層と電気的に接続されたビット線29と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】MRAMを構成する上部の導電要素と下部の導電要素との短絡を抑制することが可能な半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】主表面を有する半導体基板SUBと、半導体基板SUBの主表面上に位置する、ピン層MPLと、トンネル絶縁層MTLと、フリー層MFLとを含む磁気トンネル接合構造MRDと、磁気トンネル接合構造MRDの下側側面に接する下側絶縁層III1と、下側絶縁層III1上に位置して磁気トンネル接合構造MRDの上側側面に接し、かつ磁気トンネル接合構造MRDの上面を露出する側壁絶縁層III2と、側壁絶縁層III2から露出する磁気トンネル接合構造MRDの上面に接する導電層BLとを備えている。 (もっと読む)


【課題】MRAMにおいては、書き込み電流の低減やディスターブ回避を目的に、書き込みに使用する配線を強磁性体膜で覆うクラッド配線構造がよく用いられている。また、高信頼性製品の信頼性確保のためCu配線中に微量のAlを添加するCuAl配線が広く使用されている。MRAMも高信頼性製品に搭載される可能性が高く、信頼性は重要である。しかし、クラッド配線は、もともと配線抵抗が高いCuAl配線の配線抵抗を更に上昇させるというデメリットがあるため、両方の技術を同時に使用すると配線抵抗のスペックを満たさなくなる可能性が高い。
【解決手段】本願発明は、多層銅埋め込み配線を有する半導体装置において、MRAMメモリセルマトリクス領域を構成する複数の銅埋め込みクラッド配線の銅配線膜を比較的純粋な銅で構成し、これらの配線層よりも下層の銅埋め込み非クラッド配線の銅配線膜を、Alを添加したCuAl配線膜とするものである。 (もっと読む)


【課題】 書き込み電流の低減を図る。
【解決手段】 実施形態による磁気ランダムアクセスメモリは、メモリセルに磁気抵抗素子100を備えた磁気ランダムアクセスメモリであって、磁気抵抗素子100は、第1の金属磁性層24と、第2の金属磁性層26と、第1及び第2の金属磁性層24、26に挟まれた絶縁層25と、を具備し、第1及び第2の金属磁性層24、26の各面積は、絶縁層25の面積より小さい。 (もっと読む)


【課題】書込み電流の増大や書込みの信用性の向上が図られた磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】磁気記憶装置は、基板11と、基板11上に設けられたライト線WTと、ライト線WTに対して基板11の厚み方向に間隔をあけて配置され、ライト線WTの延在方向と交差する方向に延びるビット線BLと、ライト線WTおよびビット線BLの間に位置する磁気記憶素子MMとを備え、磁気記憶素子MMは、磁化方向が固定された固定層1と、外部磁界によって磁化方向が変化する記録層3とを含み、記録層3は合金膜を含み、合金膜はコバルトと鉄とホウ素とを含み、ホウ素は21at%より高い。 (もっと読む)


【課題】生産コストを抑えながら高いスループットが得られる半導体装置の製造方法と半導体装置とを提供する。
【解決手段】ヨークカバーとなる積層膜として、バリアメタル層、磁性体層およびバリアメタル層が順次形成される。次に、積層膜MLに、四フッ化炭素(CF4)ガスとアルゴン(Ar)ガスとの混合ガスによる反応性イオンエッチング処理、一酸化炭素(CO)、アンモニア(NH3)ガスおよびアルゴン(Ar)ガスの混合ガスによる反応性イオンエッチング処理、四フッ化炭素(CF4)ガスとアルゴン(Ar)ガスとの混合ガスによる反応性イオンエッチング処理を施すことにより、ヨークカバーYCが形成される。 (もっと読む)


【課題】磁気トンネル接合素子を用いた磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)において、磁気トンネル接合素子形成プロセスで、磁気トンネル接合素子の側壁に導電性膜などが形成されてしまうと、トンネルバリア層から素子側壁導電性膜へ、電流リークが発生する。電流リークを防止し、信頼性の高い磁気トンネル接合素子を用いたMRAMおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
素子側壁導電性膜であるTaO層60の上面60Uよりも、トンネルバリア層42の下面42Lの位置のほうが高く形成できるように、バッファ層30上に磁気トンネル接合素子を形成する。そのために、バッファ層30の膜厚と、トンネルバリア層下面位置42Lと、磁気トンネル接合素子周辺に形成されたTaO層60の上面60Uと、の関係をあらかじめ求めておき、当該関係に基づき、バッファ層30の成膜膜厚を決定する。 (もっと読む)


【課題】下層の配線層にMTJ素子を形成しつつ、MTJ素子に熱が加わることを抑制する。
【解決手段】基板10上に絶縁層220を形成する。次いで絶縁層220上にMTJ素子100を形成する。次いで、MTJ素子100上に配線242を形成する。次いで配線242上に絶縁層250を形成する。次いで絶縁層250の表層に配線252を形成する。そして配線252を光照射により熱処理する。そして配線252を形成する工程において遮蔽導体254を形成する。 (もっと読む)


【課題】 製造コストおよびプロセス歩留りの改善が可能となる、抵抗変化素子を含む半導体記憶装置を提供すること。
【解決手段】 第1の方向に並んで設けられた第1および第2のMOSFETと、前記第1および第2のMOSFETの上方に設けられ下端が前記第1および第2のMOSFETのドレインに接続された第1の抵抗変化素子と、第1の方向に並んで設けられた第3および第4のMOSFETと、前記第3および第4のMOSFETの上方に設けられ下端が前記第3および第4のMOSFETのドレインに接続された第2の抵抗変化素子と、前記第1および第2のMOSFETのソースに接続され第1の方向に延びる第1の配線と、前記第3および第4のMOSFETのソースに接続され第1の方向に延びる第2の配線と、前記第1の抵抗変化素子の上端と前記第2の抵抗変化素子の上端とを接続する上部電極と、前記上部電極に接続され第1の方向に延びる第3の配線とを備える。 (もっと読む)


【課題】半選択状態になったデータの誤反転を抑制して信頼性の高い書き込み動作を行うことができる磁気記憶素子およびこれを用いた磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】磁化容易軸91とそれに交差する磁化困難軸92とを有する記録層3と、磁化容易軸91の方向と交差する方向に磁界を形成するライト線WTと、記録層3の配置位置において磁化困難軸92の方向と交差する方向に磁界を形成するビット線BLとを備え、記録層3は、ライト線WTとビット線BLとの間に挟まれるように配置されており、ライト線WTおよびビット線BLと記録層3とが積層された積層方向からみた記録層3の平面形状は、積層方向からみてライト線WTが延びる方向に沿うライト線WTの仮想の第1の中心線AWに対して一方側に位置する一方の部分と他方側に位置する他方の部分とを有し、積層方向からみた一方の部分の面積S2が他方の部分の面積S1の1/3以下である。 (もっと読む)


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