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Fターム[4M119KK01]の内容

MRAM・スピンメモリ技術 (17,699) | 集積又は混載技術 (507) | 半導体素子との混載技術 (194)

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【課題】同じ構成の記憶素子を用いて、ROMとRAMとを共に実現することができるメモリを提供する。
【解決手段】磁化M1の向きが反転可能な磁化自由層18と、絶縁体からなるトンネルバリア層17と、磁化自由層18に対してトンネルバリア層17を介して配置され、磁化M14,M16の向きが固定された磁化固定層13とを含む、トンネル磁気抵抗効果素子から構成された記憶素子1を複数個含み、記憶素子1の磁化自由層18の磁化M1の向きによって情報が記録される、ランダムアクセスメモリ領域と、記憶素子1のトンネルバリア層17の絶縁破壊の有無によって情報が記録される、リードオンリーメモリ領域とを含むメモリを構成する。 (もっと読む)


【課題】内部回路の動作パラメータなどの設定を行うデータを長期にわたって安定に供給する。
【解決手段】第1の動作モード(PROM)時には、不揮発性メモリセルに対し非破壊的に書換え可能な態様でデータを書込み、第2の動作モード(OTP)時には不揮発性メモリセルに対し、破壊的に書換え不可能な態様でデータを書込む。この不揮発性メモリセルは、記憶素子として、可変磁気抵抗素子を有し、可変磁気抵抗素子の抵抗値に応じて情報を不揮発的に記憶する。 (もっと読む)


不揮発性メモリデバイスは、実質的に六角形のパターンに配置された複数の不揮発性メモリセルを含む。不揮発性メモリセルはピラー形の不揮発性メモリセルであってよく、これは三重または四重露光リソグラフィか自己集合層によりパターニングできる。セルは平行四辺形のサブアレイに配置される。ビット線は60度の角度でワード線と交差する。このメモリデバイスは三次元アレイにできる。
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【課題】高速性及び記憶保持特性に優れた半導体記憶装置及びその製造方法並びにそのデータ書込み方法及びデータ読出し方法を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置1は、半導体基板22上に形成された下部電極55と、下部電極55上に形成され、電気磁気効果を示す電気磁気効果層53と、電気磁気効果層53上に形成された上部電極51と、上部/下部電極51、55間に電圧を印加して所定方向に揃えられた電気磁気効果層53の磁化方向に基づいて残留磁化の方向が決まる磁気記憶層57とを有している。 (もっと読む)


集積回路デバイス(600)は、能動回路構成部品(604、804)、および電流センサ(602、802)を含む。能動回路構成部品(604、804)は、第1の導電層(206)と第2の導電層(210)との間に接続され、第1の電流を発生させるように構成されている。電流センサ(602、802)は、能動回路構成部品全体にわたって配置されている。電流センサ(602、802)は、第1の導電層(206)と第2の導電層(210)との間に配置された磁気トンネル接合(「MTJ」)コアを備える。MTJコアは、第1の電流を検知し、この第1の電流に基づいて第2の電流を発生させるように構成されている。
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【課題】論理素子、メモリ、論理素子領域などが固定されない集積回路および集積回路装置を提供する。
【解決手段】時間の経過t0、t1、t2、t3・・・tn(ただし、nは任意の整数)とともに回路機能が異なる素子の集合であって、時間の経過t0、t1、t2、t3・・・tnとともに異なる回路機能の部分が素子の全体集合である集積回路を用いる。また、時間の経過t0、t1、t2、t3・・・tnとともに回路機能が異なる素子の集合であって、時間の経過t0、t1、t2、t3・・・tnとともに回路機能の異なる部分が任意の個数の部分集合である集積回路を用いる。 (もっと読む)


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