【課題】データの不揮発性メモリ書き込みが中断されてしまっても、次回立上げでは不揮発性メモリのフォーマット不正を発生させずに立ち上げることができる記憶装置及び記憶装置の制御方法を提供すること。
【解決手段】本発明の記憶装置は、不揮発性メモリ管理サービス１（制御機構）と、外部記憶装置２と、不揮発性メモリ３と、を備える。外部記憶装置２は、不揮発性メモリ使用サイズを格納する不揮発性メモリ使用サイズ２１と、チェックサムを格納するChecksum値２２と、を備える。不揮発性メモリ３は、複数のEntry ３１（エントリ）を備える。複数のEntry ３１の各々は、当該Entry が有効か否かを示すSignature ３１１と、Status３１２と、データ長３１３と、データ部３１４と、の各項目を備える。中断からの再開時には、チェックサムの再検証により、不揮発性メモリ３の障害か否かを判断する。 （もっと読む）

【課題】モニターセルを用いると情報を記録するメモリセルの量が減少する。
【解決手段】半導体記憶装置は、複数のメモリチップと、複数のパラメータ記憶部と、誤り訂正符号化部と、パラメータ処理部とを備える。メモリチップは、蓄えられた電荷量に応じた情報を記憶する。パラメータ記憶部は、対応するメモリチップに対する情報の書き込みまたは読み込みに用いる信号の電気的特性を定めるパラメータを記憶する。誤り訂正符号化部は、規定数以内のメモリチップに記憶された情報の誤りを訂正可能な第１訂正符号を生成する。パラメータ処理部は、規定数以内の個数のメモリチップに対するパラメータを変更し、変更したパラメータをパラメータ記憶部に書き込む。 （もっと読む）

【課題】論理物理変換テーブルに何らかの異常が生じてもデータアクセスを可能とする。
【解決手段】フラッシュメモリーの各物理ブロックの先頭に設けられた管理データ領域にインデックス情報（論理アドレス）を記録しておき、ホスト側から論理アドレスの指定を伴ってコマンドを受信した場合に論理アドレスを論理物理変換テーブルを参照して物理アドレスに変換し（Ｓ１２０）、物理アドレスが示す物理ブロックの管理データ領域からインデックス情報を読み出して論理物理変換テーブルが正常か否かを判定し（Ｓ１３０，Ｓ１４０）、正常でない場合には各物理ブロックの管理データ領域からインデックス情報を読み出して論理物理変換テーブルを修復すると共に（Ｓ１５０）、論理アドレスを修復した論理物理変換テーブルを参照して物理アドレスに変換し物理アドレスが示す物理ブロックにアクセスしてコマンドに応じた処理を実行する（Ｓ１２０〜Ｓ１６０）。 （もっと読む）

【課題】バッファメモリを用いた装置において、ソフトエラーの発生によって使用されなくなったバッファメモリの領域を再度使用することを目的とする。
【解決手段】バッファ内の領域にデータを記憶し、当該バッファ内の領域からデータを読み出すバッファメモリ装置は、データを前記バッファ内の空き領域に書き込み、前記バッファ内の領域からのデータの読み出しに成功した場合は、当該領域を空き領域とし、読み出しに失敗した場合は、当該領域を廃棄領域とし、データが書き込まれてから所定の時間が経過した廃棄領域を検出し、検出した廃棄領域を空き領域とする。 （もっと読む）

【課題】情報処理装置について、装置構成を複雑化させることなく、動作の高速化と高信頼性を実現する。
【解決手段】本発明の一例である情報処理装置１は、プロセッサ２と、プロセッサ２に使用される不揮発性メモリ３と、プロセッサ２から不揮発性メモリ３への書き込みが発生した場合に、書き込み位置の重複回数を抑えるために当該書き込み位置がずれるように書き込みアドレスを発生させるアドレス発生手段１６と、書き込みの新しさを表わす順序情報１９を発生させる順序発生手段１７と、アドレス発生手段１６によって発生された書き込みアドレスに対して、順序発生手段１７によって発生された順序情報１９を対応付けて、書き込み情報２１を記憶する書き込み制御手段１８とを具備する。 （もっと読む）

【課題】記録途中にメモリカードを強制的に取り出された場合に発生する書き込み情報の欠陥を、時間経過があっても、修復前にファイルを記録されても修復できるメモリカード記録装置を、安価に提供することである。
【解決手段】本発明は、メモリカードへの書き込みと同時に、該メモリカードの情報記録単位毎のデータの上書き禁止を示す情報を記録するファイル配置テーブルを有し、該メモリカード内の書き込み済みデータの上書きを防止し、書き込みエラー発生以降は、補助記憶装置に残りの書き込みコマンド又は残りの書き込みデータなどの修復情報をメモリカードの個体識別情報とセットで保存する手段を有することを主要な特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ランダムアクセス可能な不揮発性メモリにおける不良メモリセルを救済し、かつアクセス時間を低減する。
【解決手段】書き込みデータの冗長化符号処理を行う冗長化符号回路１と、前記冗長化符号処理されたデータの各ビットの値を反転するインバータ回路３と、選択信号に基づいて、前記冗長化符号処理されたデータ及び前記各ビットの値が反転されたデータのいずれか一方を選択するセレクタ４と、前記選択されたデータを記憶するメモリ７と、前記メモリから読み出されるデータと、前記選択されたデータとを比較し、比較結果を示す比較結果信号を出力する比較器５と、前記比較結果に基づいて前記選択信号を生成し出力する書き込み制御回路６と、前記メモリから読み出されるデータを冗長化復号処理して出力する冗長化復号回路２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、カウントデータ記録装置を提供する。
【解決手段】本発明は、記憶部と、データ書込部と、データ読出部と、データ修復部と、を有し、記憶部は、識別子で特定されるカウント記憶部と、カウント記憶部と関連付けされた極性情報データ記憶部とを備え、データ書込部は、循環的にカウント値を書き込むカウント書込部と、極性情報データ記憶部が記憶するデータの内容を反転させる極性情報データ反転部と、を備え、データ修復部は、カウント値の大きさで、識別子を並べるカウントソート部と、並べた識別子の順に沿って隣接するカウント値間の差分値を算出するカウント差分算出部と、識別子の並び方、差分値の並び方、および、極性情報データの並び方、に基づいて、カウント値の破損を検出して当該破損を修復する修復処理実行部と、を備える、カウントデータ記録装置である。 （もっと読む）

【課題】複数の共有記憶装置の格納情報が非対称になることを効果的に防止することを目的とする。
【解決手段】第１の接続装置に第１の共有記憶装置との接続を解除させ、第２の接続装置に第２の共有記憶装置との接続を解除させ、第１の接続装置とは異なる交換された他の第１の接続装置に第１の共有記憶装置と接続させ第２の接続装置に第２の共有記憶装置と接続させる。 （もっと読む）

【課題】データ書き込み中にプログラムエラーが発生した場合でも確実に管理情報の復元が可能なメモリシステムを提供すること。
【解決手段】前ログの「ログ書き込み（１）」後、データ書き込みを行なっている時にプログラムエラーが発生した場合に（データ書き込みエラー）、データ再書き込み処理に対応する前ログを取得することなく、再度、データ書き込みを行なう。そして、データ書き込みを終えた後に、後ログを取ることなく、替わりにスナップショットを取得して処理を終了する。 （もっと読む）

【課題】メモリシステムの起動時に、前回終了時に瞬断が発生したか否かを速やかに判定することができるメモリシステムを提供する。
【解決手段】揮発性の第１の記憶部と、不揮発性の第２の記憶部と、データ転送とデータ管理を行うコントローラと、を備え、第２の記憶部は、起動時に必要な固定情報と固定情報の消去回数を示す消去回数識別情報が格納される固定情報格納領域が複数に多重化された固定領域を有し、コントローラは、固定情報の更新時に、固定情報格納領域それぞれ対して、消去回数識別情報の退避処理、固定情報格納領域の消去処理、新たな固定情報の書込み処理、退避した消去回数識別情報の更新および新たな固定情報が書込まれた固定情報格納領域への保存処理を行い、起動時に、多重化された複数の固定情報格納領域間の消去回数識別情報が一致しない場合には、固定情報の更新時に瞬断が発生したと判定する。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリに記憶されているデータに対して確実にアクセスし得るようにすると共に、使い勝手を格段と向上させ得るようにする。
【解決手段】制御部２は、フラッシュメモリ６に記憶させる複数種類のデータに対してデータ種別を示すための種別ヘッダＨＤ１、ＨＤ２及びＨＤ３を付加するようにしたことにより、ＰＳＲＡＭ５におけるデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１が破損又は消滅してしまった場合であっても、フラッシュメモリ６のデータ記憶ブロックＢＫ０、ＢＫ１、ＢＫ２、……に記憶され続けている複数種類のデータのそれぞれのデータ種別を把握することができ、かくしてデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１を再構築することができる。 （もっと読む）

【課題】複数の情報処理装置を対象に、特別な環境を用意することなく容易にシステム環境の復元を行なうことができるシステム環境復元方法を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するために、イメージファイル１０７を取得するイメージファイル取得手段１０１と、イメージファイル１０７を記憶装置１０９に書き込むイメージファイル書込み手段１０２と、自装置の装置特定情報を取得する装置特定情報取得手段１０３と、個別設定情報一覧１０８から個別設定情報を取得する個別設定情報取得手段１０４と、個別設定情報を復元したシステム環境に適用する個別設定情報設定手段１０５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】情報制御装置全体の電源をＯＦＦにすることなく、ソフトエラーの復旧が可能なメモリエラー復旧制御方法を提供する。
【解決手段】メモリ制御部７により内蔵のメモリ４への読み書き動作を制御する情報制御装置１内に、メモリ４への電源導通路９上に電源供給のＯＮ／ＯＦＦを切り替えるゲート回路３を備え、メモリ制御部７がソフトエラーを検出した際に、ゲート回路３をあらかじめ定めた一定時間の間ＯＦＦにし、メモリ４への電源供給をその間遮断して、メモリ４のソフトエラーを復旧させる。なお、上位装置２０と接続している場合は、ソフトエラーを検出した旨を上位装置２０に通知し、上位装置２０から電源供給一時停止指令を受信した際に、メモリ４への電源供給を前記一定時間の間遮断する。ゲート回路３にさらにアドレスデコード回路を備え、メモリ４内のソフトエラー発生アドレスのみに対し電源供給を前記一定時間の間ＯＦＦにするようにしても良い。 （もっと読む）

【課題】プログラマブルデバイスの構成メモリにおけるエラーを検出する方法を提供すること。
【解決手段】プログラマブルデバイスの構成メモリにおけるエラーを検出する方法であって、該構成メモリから構成メモリデータを読み取ることと、該構成メモリデータにおいてエラーが発生したか否かを判断することと、エラーが発生したという判断に応答して、エラーである該構成データに対応する感度データを読み取ることと、該エラーを無視することができるか否かを判断するために該感度データを解析することと、該エラーを無視することができない場合、修復アクティビティを開始することと、該エラーを無視することができる場合、該修復アクティビティを開始しないことによって該エラーを無視することとを包含する、方法。 （もっと読む）

【課題】 各々異なるデータを格納する異なる記憶部にデータ格納不能が発生しても、速やかにデータ格納可能状態に復帰させることができるようにする。
【解決手段】 ＥＥＰＲＯＭ５はＩＩＣバス３を介して機器動作上の重要データの読み書き可能なメモリである。ＲＦＩＤモジュール７はＥＥＰＲＯＭ５と同じＩＩＣバス３を介してそれ以外のデータが書込まれるメモリである。ＣＰＵ１はＥＥＰＲＯＭ５及びＲＦＩＤモジュール７に対してＩＩＣバス３を介してデータを選択的に書込制御する。また、ＣＰＵ１は書込先のＥＥＰＲＯＭ５及びＲＦＩＤモジュール７について書込終了情報が得られないとき、ＲＦＩＤモジュール７への駆動電源Ｖ２を瞬断制御する。 （もっと読む）

アレイ内の３つの記憶装置の同時故障からの効率的復旧を可能にするように構成された、ストレージアレイの対角パリティ、及び反対角パリティの計算オーバヘッドを低減する三重パリティ（ＴＰ）技術。対角パリティは、アレイの全データディスク、及び行パリティディスクにわたって規定される幾つかの対角パリティ集合に沿って計算される。１つを除く全ての対角パリティ集合について、対角パリティが、対角パリティディスクに格納される。同様に、反対角パリティは、アレイの全データディスク、及び行パリティディスクにわたって規定される幾つかの反対角パリティ集合に沿って計算される。１つを除く全ての反対角パリティ集合について、反対角パリティが、反対角パリティディスクに格納される。ＴＰ技術は、均一なストライプの深さと、最適な量のパリティ情報を提供する。
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【課題】 シリアル伝送方式のメモリシステムで、システムを停止させずに障害メモリモジュールの交換を可能にする。
【解決手段】 開示されるホットスワップ機能付きメモリシステムでは、順次直列に接続されたメモリモジュール２８，２９，３０を備えたシリアル伝送方式のメモリシステムにおいて、メモリコントローラ２５が、メモリモジュール列の一端を一方の入出力部に接続され、常時はリード信号線２６Ａとライト信号線２６Ｂを介して各メモリモジュールにアクセスしてデータのリード／ライトを行い、メモリモジュールの障害時、障害メモリとその前段のメモリモジュールとを切り離し、障害メモリモジュールの次段以降のメモリモジュールと末端に接続された予備メモリモジュール３１とを、リード信号線２６Ｂとライト信号線２７Ｂとを介して順次直列に他方の入出力部に接続してアクセスすることで、障害メモリモジュールを挿抜可能な状態にする制御を行う。 （もっと読む）