【課題】不揮発性メモリ（ＮＶＭ）を有するシステムのための非正常シャットダウンを取り扱うためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】ある実施形態では、このシステムは、非正常のシャットダウン事象の後に論理的−物理的マッピングをより効率的に再構成するためにインデックスページから得た情報からレバレッジすることができる。他の実施形態では、このシステムは、ＮＶＭに記憶されたコンテクスト情報からレバレッジすることにより論理的−物理的マッピングを再構成することができる。更に別の実施形態では、コンテクスト情報は、非正常のシャットダウンの後に論理的−物理的マッピングを再構成するためにインデックスページに関連して使用することができる。 （もっと読む）

【課題】メモリを低電圧で制御して省電力制御を図ることおよびエラーの発生を防止することを改善できるメモリ電圧制御装置およびメモリ電圧制御方法を提供する。
【解決手段】メモリ電圧制御装置１０およびメモリ電圧制御方法は、デバイス１３，１４と、デバイス１３，１４の異常を検出する電気機器１１と、を備え、電気機器１１は、デバイス１３，１４の異常を検出した時に、デバイス１３，１４に対して動的または静的に駆動電圧を昇圧する制御を行う。 （もっと読む）

【課題】よりセキュリティを向上しつつ、正常でないＢＩＯＳによる起動を抑止すること。
【解決手段】本発明にかかる情報処理装置９は、ＢＩＯＳ（Basic Input/Output System）９１０が予め格納されたＢＩＯＳ記憶部９１と、正常なＢＩＯＳ９１０のデータと予め任意の値に定められた付加データとを含む合成データの誤り検出符号９２０を予め格納する符号記憶部９２と、ＢＩＯＳ記憶部９１に格納されたＢＩＯＳ９１０を起動するときに、ＢＩＯＳ９１０のデータと付加データとを含む合成データの誤り検出符号を生成し、生成した誤り検出符号と符号記憶部９２に格納された誤り検出符号９２０とを比較して、それらの誤り検出符号が一致しなかった場合、ＢＩＯＳ９１０の起動を抑止する管理部９３とを備える。 （もっと読む）

【課題】ページ閉塞されたメモリエリアアドレス空間の再使用を可能にするとともに、障害の潜在化を防止することが可能なメモリ試験装置を提供する。
【解決手段】情報処理装置の運用中にメモリに訂正可能障害の発生を検知した際に、障害が発生したメモリアドレスが含まれているメモリエリアアドレス空間を障害発生ページとして登録しておき、当該情報処理装置の次の立ち上げ時に、登録された障害発生ページに対して所定の特別なメモリ試験を実施して（ステップＢ１０５）、障害が検知された場合（ステップＢ１０６のＹｅｓ）、該障害発生ページを立ち上げ後のＯＳが使用不可能なページ閉塞状態に設定し（ステップＢ１０７）、障害を検知したテスト情報を保持し（ステップＢ１０８）、一方、障害が検知されなかった場合（ステップＢ１０６のＮｏ）、該障害発生ページを正常なメモリエリアアドレス空間として立ち上げ後のＯＳが使用可能な状態に復帰させる。 （もっと読む）

【課題】MBRとバックアップセクタデータを検証し、正常にリードできない又は不正であるときに、自動的に復旧し起動処理を実行する。
【解決手段】シャットダウンを検知した場合に、ＭＢＲとバックアップＭＢＲのリードを行い、ＭＢＲのデータとバックアップＭＢＲのデータとが同一でないときにＭＢＲをバックアップＭＢＲにコピーするか、バックアップＭＢＲが正常にリードできない又は不正であるときにＭＢＲをバックアップＭＢＲにコピーするかする。コンピュータの電源をオンした場合に、バックアップＭＢＲが正常にリードできない又は不正であるときにＭＢＲをバックアップＭＢＲにコピーする。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリの記憶領域に故障が発生しても、情報の蓄積に支障がないようにする。
【解決手段】イグニッションスイッチがＯＦＦになったことを契機として、不揮発性メモリに故障情報を書き込むときに、故障が発生していない記憶領域を選定し（Ｓ１）、記憶領域の全領域に消去データを書き込み（Ｓ２，Ｓ３）、消去データの確認により消去できたか否かを判定する（Ｓ４，Ｓ５）。記憶領域が消去できなかった場合、故障が発生していない他の記憶領域に素子異常情報を書き込む（Ｓ１６）。また、イグニッションスイッチがＯＮになったことを契機として、不揮発性メモリから故障情報を読み込むときに、チェックサムを利用して異常を検知し、故障が発生していない他の記憶領域に素子異常情報を書き込む。そして、素子異常情報を計数した計数値が所定の閾値以上である記憶領域は、故障が発生していると判定し、その使用を禁止する。 （もっと読む）

【課題】複数の機器のソフトウェア環境を簡単にバックアップすることができる情報処理システムを提供する。
【解決手段】インターフェースボードとプリンターとで構成される装置と、装置に接続されるＵＳＢメモリーと、から成る情報処理システムであって、ＵＳＢメモリーは、インターフェースボードを制御するボード用ＯＳと、ボード用ＯＳの起動後に実行する処理を定義したコマンドファイルとを記憶し、インターフェースボードは、ボード用ＯＳを起動するボード起動部と、ボード用ＯＳの起動後、コマンドファイルに基づく処理を実行するコマンド実行部とを備え、コマンドファイルには、システム情報のバックアップ処理が定義され、コマンド実行部は、コマンドファイルに基づいてインターフェースボードおよびプリンターのシステム情報をバックアップする。 （もっと読む）

【課題】記録装置が省電力モードからの復帰する時に、ＳＤＲＡＭに関する不要な初期化処理を省略して高速な復帰処理を行うことである。
【解決手段】動作状態から停止状態に遷移する際、ＳＤＲＡＭをセルフリフレッシュ動作させるかどうかの情報をフラグに保持する。停止状態からの復帰時にフラグを参照し、停止状態においてＳＤＲＡＭがセルフリフレッシュ動作を行っていた場合は初期化処理を省略する。 （もっと読む）

【課題】長寿命化などを実現できる半導体装置を提供する。
【解決手段】本半導体装置（メモリモジュールMM0）の制御回路（SC0）は、データ書込みの要求に対し、上書き可能な不揮発性メモリ装置（NVM）へのデータ書込みの際、上書き要求であっても上書き動作せずに、データの書込と消去のサイズを同じにして、メモリ（NVM）のアドレスを連続的に割当てて使用し、メモリ（NVM）の使用のバラツキを抑え平準化する仕組みにより、長寿命化などを実現する。制御回路（SC0）は、（ａ）第１のアドレスのデータの消去動作、またはフラグ値を無効に設定する動作と、（ｂ）第１のアドレスとは別の第２のアドレスに対するデータの書込動作、またはフラグ値を有効に設定する動作との２種類の動作のセットによりデータ書込みを実現する。 （もっと読む）

【課題】複数の情報処理装置のソフトウェア環境を簡単にバックアップすることができる情報処理システムを提供する。
【解決手段】複数の情報処理装置とＵＳＢメモリーと、から成る情報処理システムであって、ＵＳＢメモリーは情報処理装置を制御する外部ＯＳと、情報処理装置で実行する処理を定義したコマンドファイルを記憶し、各情報処理装置は外部ＯＳを起動する装置起動部と、コマンドファイルに基づく処理を実行するコマンド実行部を備え、コマンドファイルにはバックアップ処理が定義されており、ＵＳＢメモリーが接続された情報処理装置は、コマンドファイルに基づいて自身のシステム情報をバックアップすると共に、他の情報処理装置にバックアップの実行要求を送信し、他の各情報処理装置はバックアップの実行要求に基づいて自身のシステム情報をバックアップする。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリのデータ消去中或いはデータ書込み中に、フラッシュメモリのデータ消去動作或いは書込み動作を中断させるような事象が発生した場合でも、適切なバックアップ動作を継続可能な電子制御装置を提供する。
【解決手段】揮発性メモリと、フラッシュメモリと、前記揮発性メモリに保存されているバックアップデータを所定条件の成立をトリガとして前記フラッシュメモリに保存するメモリ制御部とを備える電子制御装置であって、前記メモリ制御部は、電源投入時において、前記フラッシュメモリの消去単位ブロックの内、データが全く保存されていない消去単位ブロックをブランクブロックとして特定し、前記ブランクブロックを基準として消去すべき消去単位ブロックを消去ブロックとして特定すると共に最新データが保存されている消去単位ブロックを最新ブロックとして特定する。 （もっと読む）

【課題】ブートエラーを正すための装置及び方法を提供する。
【解決手段】装置１００は、不揮発性のメモリデバイス１２０を有し、そのメモリデバイス１２０は、第１のアドレスを持つ所定のブロックに、ブートローダーを格納している。装置１００は、さらに、電源投入時に、所定のブロックからブートローダーを読み出すメインコントローラー１１０を有している。装置１００は、また、メインコントローラー１１０の最初のブートシーケンスを監視するとともに、所定のブロックが、読み出し不可エラー状態に陥ったことを判定するように構成された監視モジュール１３０を含んでいる。監視モジュール１３０が、所定ブロックは読み出し不可エラー状態に陥ったと判定したとき、メインコントローラー１１０は、バックアップブロックからバックアップブートローダーを取得する。 （もっと読む）

【課題】特別な温度範囲が広い高価な不揮発性メモリを使わずに、温度保証範囲が狭い安価な汎用品不揮発性メモリを用いて広範囲な温度保証を実現することが可能なメモリ装置、情報処理システム、メモリ制御方法、およびプログラムを提供する。
【解決手段】メモリ装置は、不揮発性メモリと、不揮発性メモリに対してアクセスを行うメモリコントローラと、メモリ装置の温度を検出する温度検出部と、を有し、メモリコントローラは、不揮発性メモリに対するアクセス開始時に不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、要求に対する応答がない場合であって、温度検出部の検出温度が第１の閾値より低い場合、不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、温度上昇制御により温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にある場合には、不揮発性メモリに対して識別情報の転送を再要求する。 （もっと読む）

【課題】 装置の起動時における処理開始に遅延が発生する可能性を低減する。
【解決手段】 画像読取装置において、ＣＰＵ６は、プログラムに従って動作し、汎用の標準メモリー１のメモリーチェックの完了後に、システム起動に並行して、オプションメモリー２のメモリーチェックをメモリーチェック装置７に実行させ、オプションメモリー２のメモリーチェックの完了後に、スキャンメモリー３のメモリーチェックをメモリーチェック装置７に実行させる。 （もっと読む）

【課題】省電力モード又は通常モードへの移行時間を短縮できる情報処理装置を提供すること。
【解決手段】第１と第２の動作モードとを有する情報処理装置２００において、不揮発性の記憶手段１５、２３と、揮発性メモリ１２が退避対象又は非退避対象のいずれかの属性を持つデータのうち退避対象データを記憶した場合に、退避対象データのデータ識別情報と該データのアドレスが対応づけられたテーブル３６を作成するアドレステーブル作成手段３５と、第１から第２の動作モードに移行する際、テーブルに登録された退避対象データのアドレスをテーブルから読み出し、揮発性メモリのアドレスから読み出した退避対象データを記憶手段に退避するデータ退避手段３１と、第２の動作モードから第１の動作モードに移行する際、記憶手段に記憶されている退避対象データをアドレステーブルに登録されている揮発性メモリのアドレスに復帰させるデータ復帰手段３３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】プログラムコードの自己診断が特定のコマンド処理時間に影響を与えることを避けるための分散処理、および、本装置がほとんど非活性化〜（再）活性化されない利用シーンにおける、プログラムコード自己診断の定期実施を可能とする携帯可能電子装置およびＩＣカードを提供する。
【解決手段】ＲＯＭに格納されたプログラムコードを自己診断する自己診断機能を持つＩＣカードにおいて、プログラムコードの自己診断を１つのコマンド処理内で全て実行するのではなく、複数のコマンド処理に分けて分散実行する。 （もっと読む）

【課題】再書き込み可能な不揮発性半導体メモリに対する負荷を抑えつつ、リードディスターブ現象により生じるエラーに対処する技術を提供することを課題とする。
【解決手段】メモリ４は、ページ単位での読み出しと、ブロック単位で消去が可能である。リードカウンタ５は、メモリ４に対するリード回数ＲＣをブロック単位でカウントする。メモリコントローラ３は、リード回数ＲＣがリード回数閾値ＲＣｔｈを上回る検査対象ブロックが存在するか否かを判定する。メモリコントローラ３は、検査対象ブロックが検出された場合、検査対象ブロックに含まれる各ページに対してエラー検出処理を行い、エラー閾値ＥＢｔｈを超えるエラーが検出されたエラーページが存在するか否かを検査する。エラーページが検出された場合、検査対象ブロックに対してデータの再書き込み処理を実行する。再書き込み処理終了後、検査対象ブロックのリード回数ＲＣを初期化する。 （もっと読む）

【課題】ブートプログラムの正確な転送動作を実現する。
【解決手段】メモリシステム１は、ブートプログラムを格納する不揮発性の第１のメモリ１０と、揮発性の第２のメモリ１１と、電源電圧のレベルを検知し、電源電圧が第１のレベルより低くなった場合に割込みを発生する検知回路１３と、電源投入時に、第１のメモリ１０からブートプログラムを読み出す読み出し動作と、上記読み出されたブートプログラムを第２のメモリ１１に転送する転送動作とを含むシーケンスを実行するステートマシン１２とを含む。ステートマシン１２は、読み出し動作中、又は転送動作中に割込みが活性化された場合に、割込みが非活性化されるまで待機する待機ステートを含む。 （もっと読む）

【課題】管理テーブルを不揮発性メモリに保存する時の応答遅延時間を縮減し、データ記録装置の電源遮断後に、不揮発性メモリに保存した情報から管理テーブルを復元する機能を備えるメモリコントローラを提供する。
【解決手段】不揮発性メモリ１０１１は、管理テーブル格納ブロックと、データ書き込みのために割り当てたスクラッチブロックと、データを保持するデータブロックと、データを消去した消去済みブロックを持つ。メモリ１０１２は、データの格納場所を管理する論理・物理アドレス変換テーブル１０１２０と、ブロック履歴管理テーブル１０１２５を持つ。管理テーブル格納ブロックは、論理・物理アドレス変換テーブル１０１２０とブロック履歴管理テーブル１０１２５を保存する管理テーブルページを持つ。メモリコントローラ１０１０は、論理・物理アドレス変換テーブル１０１２０の一部を不揮発性メモリ１０１１の管理テーブル格納ブロックに保存する。 （もっと読む）