説明

Fターム[5C024GA00]の内容

光信号から電気信号への変換 (72,976) | 固体撮像素子の細部 (29)

Fターム[5C024GA00]の下位に属するFターム

フォトダイオード (4)
フォトトランジスタ
光導電体
赤外線検出素子
蛍光体層(X線変換用等)
電歪素子、圧電素子(超音波変換用等)
CCD (15)
スイッチング素子(MOS型等) (3)
BBD
CID(電荷注入素子)
SIT(静電誘導トランジスタ)
磁気バブル
プラズマ結合型
レジスティブゲート、抵抗性ゲート電極
電荷の外部への排出、除去 (3)
電荷の消滅、基板への注入
電荷の加算、積算 (2)
フレーム蓄積
フィールド蓄積
光学窓、開口
遮光された画素、光電変換領域 (2)
誘電体層
フック構造