【課題】ＭＯＳ型固体撮像素子において、チップ面積に対して画素領域の占める面積比率をより高めることができる。
【解決手段】第１の基板１０から第ｎ（ｎは２以上の整数）の基板が接続部を介して電気的に接続され、かつ段積みされた固体撮像装置であって、第ｍ（ｍは１以上ｎ以下の整数)の基板は、光電変換素子を含む画素を有する画素領域５０を備え、第ｍの基板以外の他の基板は、画素の駆動の用に供する回路要素を有する第一垂直走査回路１６０と第二垂直走査回路１６１とを備え、他の基板の領域のうち、画素領域と垂直方向に重なる重複領域５１内に、第一垂直走査回路１６０と第二垂直走査回路１６１との少なくとも一部分が配置されている。 （もっと読む）

【課題】接続部間のクリアランスを確保する。
【解決手段】本発明の一態様に係る固体撮像装置は、複数の画素を備え、当該画素を構成する回路要素が配置された第１の基板と第２の基板とが接続部によって電気的に接続されている固体撮像装置であって、前記画素は、前記第１の基板に含まれる光電変換素子と、前記光電変換素子で発生し、前記接続部を経由した信号を前記画素から出力する、前記第２の基板に含まれる出力回路と、を有し、前記第１の基板において、前記複数の画素が配列された領域は、前記画素を複数含む画素セルを複数含み、当該画素セルに対応して前記接続部が設けられており、いずれかの前記画素セルに対応する前記接続部と接続する第１の接続領域は、他の前記画素セルに対応する前記接続部と接続する第２の接続領域の位置に応じた位置にあることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサにおいて、トランジスタのオフ電流を低減することで、低消費電力化を図る。
【解決手段】フォトダイオード１３、第１のトランジスタ１４、及び第２のトランジスタ１５を有するフォトセンサと、読み出し制御トランジスタ１８を有する読み出し制御回路と、を有する。フォトダイオードは、入射光に応じた電荷を第１のトランジスタのゲートに供給する機能を有する。第１のトランジスタは、ゲートに供給された電荷を蓄積する機能と、蓄積された電荷を出力信号に変換する機能とを有する。第２のトランジスタは、出力信号の読み出しを制御する機能を有する。読み出し制御トランジスタは、出力信号を電圧値の信号に変換する抵抗素子としての機能を有し、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、及び読み出し制御トランジスタの半導体層は、酸化物半導体を用いて形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板同士を貼り合わせて形成する半導体装置において、貼り合わせ面の密着力を向上させることによりウエハ間の剥がれやチッピングなどが抑制され、信頼性の向上が図られた半導体装置を提供することを目的とする。また、その半導体装置を用いた電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】第１の半導体ウエハ３１の周縁領域５３と、該周縁領域５３よりも内側の内側領域５４との境界に形成された配線層３３上の段差を埋め込むように埋め込み膜５７を形成し、周縁領域５３と内側領域５４における配線層３３上の表面をほぼ面一とする。そして、第１の半導体ウエハ３１に形成された配線層３３上の表面と第２の半導体ウエハ４３の所望の面とを向かい合わせて貼り合わせる。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置を大型化させることなく、Ａ／Ｄ変換回路の動作に起因する入力およびＧＮＤの電圧レベルの変動を低減し、出力するデジタル値の変動（誤差）を低減することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】光電変換素子のリセット信号と画素信号とを出力する画素が二次元の行列状に複数配置された画素部と、所定の１つの画素からのリセット信号および画素信号が順次入力される第１の容量と、画素信号とリセット信号との差を保持する第２の容量とを具備し、差分信号を出力するアナログ信号処理部と、差分信号の大きさに応じた遅延時間でパルス信号を遅延させる遅延素子がリング状に複数段接続された遅延回路と、パルス信号の遅延回路内の伝播を検出した結果に基づいたデジタル信号を生成するアナログ・デジタル変換器と、アナログ信号処理期間とサンプリング期間とで第１の容量の接続を切り替える切り替え回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】検出器性能を高めつつスライスを増加させた取得を提供する。
【解決手段】各々の検出器モジュール（２０）が、モジュール・フレーム（５２）と、モジュール・フレーム（５２）のＺ軸に沿って整列してモジュール・フレーム（５２）に設けられ、物体によって減弱したＸ線を受光してディジタル信号へ変換する複数のタイル構成可能なサブ・モジュール（５６）と、複数のサブ・モジュール（５６）に接続されてディジタル信号を受け取る電子回路基板（３２）とを含んでいる。各々のサブ・モジュール（５６）がさらに、検出器素子のアレイ（６０）と、検出器素子のアレイ（６０）からのアナログ電気信号をディジタル信号へ変換するＡＳＩＣ電子回路パッケージ（６８）と、ＡＳＩＣ電子回路パッケージ（６８）に接続されて、ディジタル信号を受け取って電子回路基板（３２）へ転送するフレックス回路（７６）とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、特に動画像において、画質を劣化することなく、発生要因の異なるキズを精度よく補正する撮像装置を提供することにある。
【解決手段】被写体からの入射光を光電変換し電気信号として出力する撮像素子を含む撮像手段と、撮像素子からの出力の信号レベルの大きさを制御する信号利得制御手段と、信号利得手段から出力される信号にある欠陥画素を補正する複数の補正手段欠陥画素補正手段と、欠陥画素補正手段から出力される信号から画像信号を生成する画像信号処理手段と、撮像素子付近の温度を計測する温度計測手段と、該撮像手段、該信号利得制御手段、画像信号処理システムを統括して制御するシステム制御手段とから構成され、システム制御手段は複数の欠陥画素補正手段を欠陥画素の発生要因に応じて併用して動作させる。 （もっと読む）

【課題】 良好な感度と良好な空間分解能を得ることが可能な積層構造の検出装置を提供する。
【解決手段】 基板１００上に、複数の変換素子と、基板と複数の変換素子との間に配置された複数のスイッチ素子２と、複数の変換素子と複数のスイッチ素子との間に配置された絶縁体１０６，１０８と、を有し、複数の変換素子が、互いに離間した複数の第１電極１と、複数の変換素子に渡って設けられた第２電極１１３と、複数の第１電極と第２電極との間に複数の変換素子に渡って配置された半導体層１１１と、を含み、絶縁体が、複数の第１電極の直下に位置する複数の第１領域と、複数の第１領域の間に位置する第２領域と、を含む検出装置であって、絶縁体の第２領域と半導体層とが接する部分の電位を第２電極の電位と第１電極の電位の間の電位に規定する電位が供給される第３電極が絶縁体の第２領域の内部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子の電源電圧の低電圧化が進んでも、所望の波形を有する参照電圧ＲＡＭＰを生成する。
【解決手段】固体撮像素子１００は、画素アレイ部１と、テスト電圧印加部２と、参照電圧生成回路９と、動作点制御部８とを備える構成とする。テスト電圧印加部２は、種々の電圧レベルのテスト電圧Ｖｔを対応する読み出し信号線ＶＳＬに印加する。参照電圧生成回路９は、動作点が変更可能なＭＯＳトランジスタを有する。そして、動作点制御部８は、テスト電圧及び参照電圧に基づいて、参照電圧生成回路９内のＭＯＳトランジスタの動作点の調整処理を制御する。 （もっと読む）

【課題】回路面積が小さなイメージセンサを提供する。
【解決手段】このイメージセンサでは、転送信号ＴＸ＜３：０＞を生成するＴＸ用デコード部３１はラッチ回路を含む。ラッチ回路は、対応の行グループが選択され、かつセット信号ＴＸＡＤＤ＿ＳＥＴが「Ｈ」レベルにされた場合にセットされ、リセット信号ＴＸＡＤＤ＿ＲＥＳＥＴ＿Ｇ＿ｎが「Ｌ」レベルにされた場合にリセットされる。このラッチ回路は、信号の「Ｈ」レベルを電源電圧ＶＤＤから電源電圧ＶＴＸＨに変換する電圧レベルシフト回路を兼ねている。したがって、複数のラッチ回路をセットすることにより、複数の行グループを選択できる。また、電圧レベルシフト回路を別途設ける必要がない。 （もっと読む）

【課題】カラム処理部外に回路を追加することなく、ＡＤ変換部により変換されたデジタルデータを増幅できるとともに、データ保持部の不良箇所を容易かつ短時間で特定する。
【解決手段】本発明に係る固体撮像装置１００は、列毎に一つ設けられ、対応する列に配置された複数の単位画素１１１により変換された画素信号１５１をＮビットのデジタルデータ１５４に変換する複数のＡＤ変換部１４０と、列毎に一つ設けられた複数のデータ保持部１４１とを備える。複数のデータ保持部１４１の各々はＮ個のフリップフロップ１４５を含む。固体撮像装置１００は、さらに、ＡＤ変換部１４０により変換されたデジタルデータ１５４を、対応する列のデータ保持部１４１に保持させる第１状態と、複数のデータ保持部１４１の各々に含まれるＮ個のフリップフロップ１４５を直列に接続する第２状態とを切り替えるデータ切替部１４２ａ及び１４２ｂを備える。 （もっと読む）

【課題】従来のビデオカメラにおいては、固体撮像素子の露光制御線とメモリ転送制御線が１本であり、ビデオカメラの撮影速度が全画素の読み出し時間が長くなる欠点があった。
【解決手段】本発明の高速度ビデオカメラは、夫々１つの光電変換素子とこの光電変換素子からの映像情報を一時的に記憶する１つの画素メモリとを有する画素を縦・横に複数個有する画素ブロックを縦・横に複数個有し、且つ上記画素ブロックの各画素の露光が異なる時刻になるよう制御する手段と、上記各画素ブロックの同じ番地に位置する画素の露光が同じ時刻になるよう制御する手段とを有する固体撮像素子より成ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信号処理素子が形成されている信号処理基板の厚さを一層薄くすることなく、画素の微細化を図ることができる積層型撮像装置を実現する。
【解決手段】本発明による撮像装置は、２次元マトリックス状に配列された複数の光電変換素子を有する光電変換素子アレイ（１）と、光電変換素子アレイに結合され、同じく２次元マトリックス状に配列された複数の信号処理素子を有する信号処理素子アレイ（２）とを具える。ｋを２以上の自然数とした場合に、前記光電変換素子は、列方向にそって信号処理素子の配列密度のｋ倍の配列密度で形成され、前記信号処理素子は、列方向と直交する行方向にそって光電変換素子の配列密度のｋ倍の配列密度で形成され、各光電変換素子は、配線導体を介して対応する信号処理素子に電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】放射線の照射中にデータの読み出し処理を行って得られた画像データに基づいて、濃淡のない放射線画像を生成することが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置１は、放射線検出素子７からのフレームごとの読み出し処理を繰り返し行い、放射線が照射された時点で読み出し処理を行っているフレームを含む所定数のフレーム分の読み出し処理を行って、各フレームごとにデータＤを取得し、制御手段２２は、フレームごとの各データＤ(m)〜Ｄ(m+2)を加算して画像データｄを算出し、放射線が照射されていた間に読み出し処理が行われた各放射線検出素子７については、画像データｄから、当該放射線検出素子７が接続されている信号線６に接続されている各放射線検出素子７の画像データｄの総和Σｄに所定の定数ａ(z)を乗算した値を減算し、減算して算出した値を当該放射線検出素子７の画像データｄとする。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサにおいて、トランジスタのオフ電流を低減することで、低消費電力化を図ることを目的の一とする。
【解決手段】フォトダイオード、第１のトランジスタ、及び第２のトランジスタを有するフォトセンサと、読み出し制御トランジスタを有する読み出し制御回路と、を有する。フォトダイオードは、入射光に応じた電荷を第１のトランジスタのゲートに供給する機能を有する。第１のトランジスタは、ゲートに供給された電荷を蓄積する機能と、蓄積された電荷を出力信号に変換する機能とを有する。第２のトランジスタは、出力信号の読み出しを制御する機能を有する。読み出し制御トランジスタは、出力信号を電圧値の信号に変換する抵抗素子としての機能を有し、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、及び読み出し制御トランジスタの半導体層は、酸化物半導体を用いて形成されている。 （もっと読む）

【課題】低ノイズの固体撮像装置およびカメラを提供する。
【解決手段】２次元状に配列された複数の単位セル３を備える固体撮像装置１００であって、単位セル３は、入射光を光電変換する光電変換素子１２１ａと、光電変換素子１２１ａの信号電荷の量に応じた信号電圧を出力する複数の増幅トランジスタ１２３ａおよび１２３ｂとを有し１つの光電変換素子１２１ａは、複数の増幅トランジスタ１２３ａおよび１２３ｂのゲートに電気的に共通に接続される。 （もっと読む）

【課題】放射線撮像のための撮像素子が画像セルの配列を具備する撮像素子を提供する。
【解決手段】画像セル配列は、瞬間的な放射線（１４）に応答して電荷を発生させる検出器セル（１８）の配列と画像セル回路の配列とを含んでいる。各画像セル回路はそれぞれの検出器セルと関連している。画像セル回路は、関連する検出器セルに入射する複数の放射線ヒットを計数するための計数回路を具備している。好ましくは、画像セル回路は、関連する検出器セルで発生し入射放射線エネルギーに依存した値を有している信号を受容するように接続されたしきい値回路を具備している。所定のエネルギー範囲内の放射線ヒットのみを計数するため計数回路はしきい値回路に接続されている。 （もっと読む）

【課題】
従来の固体撮像素子は、制御信号用の外部端子数を少なくすると共に、制御信号の動作タイミングを任意に変えることが難しかった。
【解決手段】
本発明では、受光部の動作を制御するためのタイミング信号を、外部から入力する第１制御信号に基づいて生成するタイミング信号生成回路と、画素から出力される画素信号を入力し、画素信号に対して信号処理を行う画素信号処理回路と、外部から入力するシリアルデータに基づき、画素信号処理回路を制御するための第２制御信号を生成するシリアルパラレル変換部と、シリアルパラレル変換部で生成された第２制御信号を保持するとともに、画素信号処理回路に対して第２制御信号を出力するレジスタ部と、外部から入力する第３制御信号をデコードしてシリアルパラレル変換部およびレジスタ部の動作を制御する第４制御信号を生成するデコード部とを設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサに加えて、受動素子部品や能動素子部品を内部に収容しつつ、小型化を図ることのできるセラミックパッケージを提供すること。
【解決手段】セラミックパッケージ１は、セラミック基板２と、セラミック基板上に搭載されたカバー部６とにより内部空間が封止されたセラミックパッケージであって、内部空間内のセラミック基板上に搭載されたイメージセンサ４と、内部空間内のセラミック基板上に搭載された素子部８と、内部空間内のセラミック基板上に形成されて、ボンディングワイヤによってイメージセンサと電気的に接続されるリード電極１０と、を有し、リード電極が形成される面と、カバー部が搭載される面とが同一面である。 （もっと読む）

【課題】寄生容量の影響による増幅器の増幅率の低下を防止することができる固体撮像装置を提供することを課題とする。
【解決手段】光電変換素子を有し、画素信号を出力する画素と、画素により出力される画素信号を増幅する増幅器とを有し、増幅器は、オペアンプ（１０）と、オペアンプの入力端子及び画素間に接続される入力容量（２）と、オペアンプの入力端子及び出力端子間に接続される帰還容量（３）と、オペアンプの入力端子及び出力端子間に接続される初期化スイッチ（１）と、帰還容量と並列に接続される第１の容量（４）と、帰還容量と並列に接続される第２の容量（５）と、帰還容量の一端と第１の容量の一端との間に接続される第１のスイッチ（７）と、第１の容量の一端と第２の容量の一端との間に接続される第２のスイッチ（８）とを有し、帰還容量の一端は、第１のスイッチ及び第２のスイッチを介して第２の容量の一端に接続される。 （もっと読む）