【課題】暗電流による画質劣化を低減させる撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像装置は、二次元状に配列された複数のフォトダイオード９−２と、複数のフォトダイオード９−２から得られた複数の画素信号を転送する複数の転送スイッチ９−３と、転送スイッチ９−３により転送された画素信号を電圧信号に変換する複数の増幅ＭＯＳアンプ９−５と、複数の電圧信号を読み出す読み出し回路９−１０と、読み出し回路に読み出される電圧信号を選択する垂直走査回路９−１２と、垂直走査回路９−１２の動作を制御する制御手段とを有し、制御手段は撮影画像に応じて複数の電圧信号の読み出し順序を変更する。 （もっと読む）

【課題】加工精度を維持しつつ、固体撮像装置の特性劣化を抑制する。
【解決手段】固体撮像装置に設けられるカラーフィルタは、格子状に形成される、複数の画素のうちの所定の画素に対応した所定の色成分のフィルタと、所定の色成分のフィルタが形成される領域以外の領域に形成される、他の画素に対応した他の色成分のフィルタと、所定の色成分のフィルタと他の色成分のフィルタとの境界に、光透過率を減衰させる光減衰膜とを備え、所定の色成分のフィルタが形成される領域は、少なくとも一部で互いに結合し、他の色成分のフィルタおよび光減衰膜の底面は、所定の色成分のフィルタの底面より低い。本技術は、例えばCMOSイメージセンサに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】複数枚のチップを接続した構成の固体撮像装置において、それぞれのチップの大きさの差を少なくすることによって、固体撮像装置のチップ面積（実装面積）の縮小化と、コストの削減を図ることができる固体撮像装置、固体撮像装置の制御方法、および撮像装置を提供する。
【解決手段】第１の基板と第２の基板とが接続部によって電気的に接続された固体撮像装置であって、第１の基板に配置された光電変換素子と、第２の基板に配置され、光電変換素子で発生した信号をアナログの読み出し信号として出力する読み出し回路とを具備する画素が複数配置された画素部と、読み出し信号に対して信号処理を行う信号処理回路とを備え、信号処理回路を構成する回路要素を区分基準に基づいて第１の基板側または第２の基板側に区分し、第１信号処理回路に区分された回路要素を第１の基板内に配置し、第２信号処理回路に区分された回路要素を第２の基板内に配置する。 （もっと読む）

【課題】 配線層を増やすことなく全画素同時の電子シャッターを実現する。
【解決手段】 フォトダイオードとフォトダイオードの信号電荷をメモリ部に転送する第１転送手段と、メモリ部に転送された信号電荷をフローティングディフュージョン部に転送する第２転送手段と、フローティングディフュージョン部をリセットするリセット手段と増幅ＭＯＳトランジスタと定電流源からなるソースフォロア回路を有する撮像素子であって、第１転送手段の開閉を行う信号と、リセット手段の開閉を行う転送兼リセット信号と第２転送手段を開閉する第２転送信号を同時刻に印加し、一定時間後に転送兼リセット信号を印加し、フローティングディフュージョンのリセットレベルを読み出す動作を行い、第２転送信号を印加し、フローティングディフュージョンに転送された電荷を信号レベルとして読み出す動作を行い、信号レベルと前記リセットレベルの差分をとる。 （もっと読む）

【課題】光電変換部の高集積化、制御系の複雑高度化に伴って、光電変換手段のそれぞれやこれらを制御する信号線についての不良検出が容易ではない。
【解決手段】複数のセンサ部と、前記複数のセンサ部のそれぞれに対応する複数の記憶部とを有し、通常モードにおいては、前記複数のセンサ部の出力に基づいて複数の第１制御情報を設定し前記複数の記憶部にそれぞれ格納し、前記複数のセンサ部のそれぞれに、対応する前記第１制御情報にしたがった基準まで電荷を蓄積させ、検査モードにおいては、予め定められた検査用の複数の第２制御情報を前記複数の記憶部にそれぞれ格納し、前記複数のセンサ部のそれぞれに、対応する前記第２制御情報にしたがった基準まで電荷を蓄積させ、前記複数のセンサ部にそれぞれ蓄積された電荷量に基づいて、前記複数のセンサ部を検査する制御部を備える半導体装置を採用する。 （もっと読む）

【課題】 撮像素子の暗電流ムラや欠陥画素に起因してクランプ時に発生する出力チャンネルごとのオフセットを新たなノイズを増加させることなく低減できる補正方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 複数の画素を備える撮像素子と、前記撮像素子を遮光した状態でダーク画像を取得するダーク画像取得手段と、前記ダーク画像を行または列の１方向に平滑化する平滑化手段と、前記平滑化後のダーク画像を減算する減算手段とを有することを特徴とする撮像装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳ型イメージセンサを用いた撮像装置において、高輝度光が入射したときの横筋状又は横帯状のノイズの発生を抑制する。
【解決手段】複数の画素が二次元に配列され、光を受光する開口画素領域と、基準となる遮光されたオプティカルブラック領域とを含むＣＭＯＳ型の撮像素子と、撮像素子の開口画素領域の特定の領域が高輝度被写体からの光を受光している場合の撮像素子の出力から得られる情報を予め記憶する記憶部と、開口画素領域の特定の領域が高輝度被写体からの光を受光しているか否かを判定する判定部と、判定部により特定の領域が高輝度被写体からの光を受光していると判定された場合に、記憶部に記憶された情報に基づいて、撮像素子からの出力を補正する補正部とを備える。 （もっと読む）

【課題】撮像用画素及び焦点検出用画素を有し、Ｓ／Ｎの良い信号を得ることができる固体撮像装置を提供することを課題とする。
【解決手段】固体撮像装置は、光電変換により信号を生成する複数の画素と、前記複数の画素の信号を増幅する増幅部（３００）とを有し、前記複数の画素は、撮像用画素及び焦点検出用画素を有し、前記増幅部は、前記撮像用画素の信号を第１の増幅率で増幅し、前記焦点検出用画素の信号を前記第１の増幅率とは異なる第２の増幅率で増幅することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】カウントクロックの周波数によらず、AD変換により得られるデジタルデータの分解能を向上させることができるAD変換回路および撮像装置を提供する。
【解決手段】ラッチ部108は、比較部109による比較処理の間、クロック生成部18からのクロック信号を通過させ、比較処理の終了に係るタイミングでクロック信号をラッチする。列カウント部103は、クロック生成部18からのクロック信号をカウントすることに加えて、ラッチ部108にラッチされたクロック信号の論理状態に基づいて生成された計数信号をカウントする。 （もっと読む）

【課題】より適切な太陽黒点の補正を実現可能とする。
【解決手段】リセット期間とＰ相期間の間で、フローティングディフュージョンＦＤに接続されているリセットトランジスタＴＲ２に印加するリセット信号のレベルを、リセットオン電圧とリセットオフ電圧の中間的なＦＤクリップ電圧とすることにより、フローティングディフュージョンＦＤに流入するブルーミングに起因する相関２重サンプリングの失敗を回避し、ＡＤＣ回路が画素信号に対応した適切なデジタル信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】放射線画像を取得できない状態が発生しないようにリセット処理を実行する。
【解決手段】放射線撮影装置（１０Ａ）は、放射線（１６）を放射線画像に変換可能な少なくとも１つの放射線変換パネル（２８ａ、２８ｂ）と、放射線変換パネル（２８ａ、２８ｂ）に対して残像の発生を抑制するためのリセット処理を実行可能なリセット処理部（３０、３２）と、放射線変換パネル（２８ａ、２８ｂ）内の少なくとも２つの領域に対するリセット処理を互いに異なる時間帯に実行するようにリセット処理部（３０、３２）を制御するリセット制御部（４５）とを有する。 （もっと読む）

【課題】複数の基板の面積を有効に活用する。
【解決手段】本発明の一態様に係る固体撮像装置は、第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の基板どうしが接続部を介して電気的に接続された固体撮像装置であって、光電変換素子を含む画素が行列状に配置された画素部と、前記画素部内の画素の列に対応して配置され、対応する列の画素に含まれる前記光電変換素子で発生した信号を信号処理する複数の列処理回路を含む列回路部と、前記列処理回路によって信号処理された信号を当該装置の外部に出力する出力部と、を備え、前記第１の基板に前記画素部が配置され、前記第１〜第ｎの基板のうち少なくとも２以上の異なる基板のそれぞれに前記列回路部が配置され、前記画素部内の各列の画素に対応する信号処理を、前記少なくとも２以上の異なる基板のそれぞれに配置された前記列回路部で分散して行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】撮像素子における欠陥画素を確実に検出するとともに、補正処理された撮像素子を効率的に検査することが可能な撮像素子検査装置を提供することを目的とする。
【解決手段】撮像素子検査装置２０は、画素データを取得する画素データ取得部２１と、信頼区間の区間幅Ｗｃを演算する区間幅演算部２２と、基準画素値Ｓｖから区間幅Ｗｃを差し引いた閾値Ｔｈを用いて欠陥画素を検出する欠陥画素検出部２３と、点滅画素が出力する下側画素値の変化特性を算出する変化特性算出部２４とを備える。画素データ取得部２１は、補正処理される撮像素子１２を用いて、変化特性において基準画素値Ｓｖに対応する露光時間Ｔｓ以上となる露光時間Ｔｉに設定された撮像条件で撮像して画素データを取得する。撮像素子検査装置２０は、閾値Ｔｈと補正処理された画素データの各画素値とを比較して、当該補正処理の適否を判定する。 （もっと読む）

【課題】光電変換部の分割配置に伴って瞳強度分布に生じる低感度領域の影響を抑制する。
【解決手段】撮像素子１０７は、複数の画素２００Ｒ，２００Ｇ，２００Ｂを有する。複数の画素の各々の画素は、マイクロレンズ３５０と、分離帯Ｓを間に挟んで互いに分離され、マイクロレンズを通過した光束を光電変換する複数の光電変換部３０６，３０７，３１０，３１１とを有する。該複数の光電変換部は、撮影光学系の異なる射出瞳を通過した複数の光束を光電変換する場合に、マイクロレンズは、光軸方向における分離帯上のレンズ部がレンズ部に入射する光束に対してパワーを持たない又は負のパワーを持つ。 （もっと読む）

【課題】カウント値の伝搬遅延が異なることに起因する列毎の固定のノイズ成分を低減することができる固体撮像装置を提供することを課題とする。
【解決手段】行列状に配列され、光電変換により信号を生成する複数の画素と、行列状に配列された複数の画素の各列に設けられ、複数の画素の信号を列毎に読み出す複数の読み出し回路と、複数の読み出し回路から出力される信号と時間的にレベルが変化する参照信号とを比較する複数の比較部と、参照信号のレベルが変化を開始してからの時間をカウントするカウンタと、カウンタのカウント値をバッファリングする第１のバッファ（９ｎ）と、カウンタのカウント値をバッファリングする第２のバッファ（９ｓ）と、複数の比較部に接続され、複数の読み出し回路から出力される信号と参照信号との大小関係が逆転したときのカウンタのカウント値を記憶する複数の記憶手段（６）とを有する。 （もっと読む）

【課題】 画素の容量値を調節することが可能で高いＳ／Ｎ比が得られる検出装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板１００の上に配置されたトランジスタ１３０と、トランジスタ１３０の上に配置され、トランジスタ１３０と接続された変換素子１１０と、変換素子１１０と接続されたオーミックコンタクト部１５１と、オーミックコンタクト部１５１と接続された半導体部１５２と、絶縁層１０１を介して半導体部１５２及びオーミックコンタクト部１５１と対向して配置された導電体部１５４と、を基板１００と変換素子１１０との間に有して、トランジスタ１３０に対して変換素子１１０と並列に接続された容量素子１５０と、半導体部１５２にキャリアを蓄積させる第１電位と、半導体部１５２を空乏化させる第２電位と、を導電体部１５４に供給する電位供給手段と、を有する。 （もっと読む）