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Fターム[5C024GY33]の内容

光信号から電気信号への変換 (72,976) | 撮像素子の細部(タイプ) (8,991) | MOS型,X−Y型 (5,399) | CID(電荷注入素子) (1)

Fターム[5C024GY33]に分類される特許

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本発明の実施形態は、放射線検出デバイスで使用する半導体回路基板に関する。上記放射線検出デバイスは、入射放射線に応じて電荷を発生するよう構成された複数の検出器セルを有する検出器基板を備え、各検出器セルは、検出器セルから電荷を半導体回路基板に結合する少なくとも1つの検出器セル接点を含む。より詳細には、本発明の実施形態では、半導体回路基板は、それぞれが対応する検出器セル接点から電荷を受け取るよう構成された複数のセル回路接点と、複数のセル回路接点と関連するセル回路と、セル回路へおよび/またはセル回路からの制御信号、読出し信号および電力供給信号少なくとも1つを供給するために構成された1つまたは複数の導電経路と、半導体回路基板を通して延びる1つまたは複数の信号経路とを備える。1つまたは複数の信号経路は、セル回路に対して外部信号インタフェースを形成するために、導電経路に電気的に結合する。それ故、本発明による実施形態は、半導体回路基板を通して、半導体回路基板の表面上の電気接点に信号を経路指定する手段を提供する。回路基板の表面上の電気接点は、マウント上の対応する電気接点に直接結合することができる。
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