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Fターム[5C030AA02]の内容

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Fターム[5C030AA02]に分類される特許

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【課題】 ビームモニタを構成するビーム検出器の不良をチェックする不良チェック方法を提供する。
【解決手段】 ビームモニタ10をイオンビーム2の経路に入れてそれにイオンビーム2が入射している状態で、まず最初に、複数のビーム検出器12の内の任意の1個のビーム検出器12によってイオンビーム2のビーム電流を測定してそのビーム電流値を記憶手段に記憶し、その後、ビームモニタ10をX方向にビーム検出器12の間隔ずつ移動させて、最初の測定と同じ位置において、複数のビーム検出器12の内の残りのビーム検出器12によってイオンビーム2のビーム電流を順次測定してそのビーム電流値を記憶手段にそれぞれ記憶し、その後、記憶したビーム電流値同士をそれぞれ比較して、所定の許容範囲内から外れたビーム電流値があるか否かを判定し、外れたビーム電流値があれば当該外れたビーム電流値を測定したビーム検出器12は不良であると判定する。 (もっと読む)


【課題】荷電粒子線の特性の維持に有利な描画装置を提供する。
【解決手段】この荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置は、荷電粒子線源2、40と、荷電粒子線源2、40から放射された荷電粒子線の一部を通過させる開口30が形成された開口部材11と、開口部材11に設けられ、開口部材11の開口30以外の領域に向かう荷電粒子線が入射する複数の熱電変換素子32と、開口部材11に配置されて複数の熱電変換素子32の出力を検出する検出部34と、検出部34の出力に基づいて、荷電粒子線源2、40から放射された荷電粒子線の特性に関する制御を行う制御部6(35)とを有する。 (もっと読む)


【課題】 中性粒子ビームの強度を測定することができる、中性粒子ビーム形成装置、それを用いた表面分析装置、中性粒子ビーム形成方法、および表面分析方法を提供する。
【解決手段】 中性ガスを導入してイオンビームを該中性ガスにより中性化して中性粒子ビームに変換する中性化室3と、中性粒子ビームの強度をモニタする中性粒子ビーム強度モニタ機構とを備え、中性粒子ビーム強度モニタ機構は、中性ガスとイオンビームとの電荷交換反応によって中性ガスが帯電して生じる帯電粒子の電荷を計測する機構であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】軸合わせの作業に訓練と経験を積んだ者でなくとも、容易にかつ精度良くエネルギー分析器の位置合わせを行うことができる技術を提供する。
【解決手段】エネルギー偏向器を備えたエネルギー分析器の軸合わせを行う方法において、試料を3次元的に移動可能な試料ステージに載置し、エネルギー偏向器の直前にスリットを備えた2次電子捕集器を設け、エネルギー偏向器に設けたスリットから特定の信号電子を通過させ、エネルギー偏向器を通してスペクトル強度を検出するとともに、2次電子捕集器により2次電子を捕集し、2次電子強度を検出し、両信号強度の比を算出する手法により、x−y平面で1次ビームを移動させ、x−y平面における位置に対する信号強度比の曲線を得て、ピーク位置を求めるとともに、試料をz方向に移動させ、z方向の位置に対する信号強度比の曲線を得て、ピーク位置を求め、x−y平面におけるピーク位置とz方向におけるピーク位置で定まる点を最適点とする。 (もっと読む)


【課題】荷電粒子線装置において、短時間かつ高精度にビーム電流を測定することおよび設定することが可能な計測技術を提供すること。
【解決手段】荷電粒子源を試料に照射し、その試料から発生する信号を検出する荷電粒子線装置において、荷電粒子ビームを試料上に収束または照射する荷電粒子光学系と、荷電粒子線の走査によって試料から発生する信号を検出する検出手段と、荷電粒子ビームの電流を測定するための検出素子と、荷電粒子の走査を実現する偏向電極、あるいは偏向コイルを備え、これを制御する電圧もしくは電流を印加する制御部と、荷電粒子ビームの光学条件を記憶可能な演算装置を具備し、予めビーム電流のピーク電流が得られる条件を記憶しておくことで、光学条件に応じてビーム偏向範囲を参照することで、ビーム偏向を検出素子近傍のみに制限し、荷電粒子ビームの電流値を計測する。 (もっと読む)


【課題】FIM像取得のためのシステムを導入することなく、エミッターの先端構造の確認を図ること。
【解決手段】チップ1にガスを供給し、引出電極4に電圧を印加し、チップ1からイオンビーム11を放出する集束イオンビーム装置において、電圧を変化させ、イオンビーム11の電流量を測定する電流測定部111と、電流測定部111で測定した測定データと標準データとを比較処理する処理部114とを備え、チップ先端構造を検査する集束イオンビーム装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】FIM像取得のためのシステムを導入することなく、エミッターの先端構造の確認を図ること。
【解決手段】チップ1にガスを供給するガス供給部と、イオンビーム11を引き出す引出電極4と、イオンビーム11の照射方向を調整するガンアライメント電極9とを有する集束イオンビーム装置であり、チップ1の先端の一つの原子から放出されたイオンビームを通過させる開口部10aを有するアパーチャ10と、開口部10aを通過したイオンビーム11の電流量を測定する電流測定部と、を有する集束イオンビーム装置を提供する。 (もっと読む)



【課題】被加工物が絶縁性材料である場合に、精度良くイオンビームによる形状加工を行う。
【解決手段】イオンビーム3によって光学素子材料5を加工するイオンビーム加工において、まず、絶縁性材料からなる開口部材を有する電流密度測定手段6に、イオンビーム3と電子ビーム8を照射してイオンビーム3の電流密度分布を測定する。このように測定された電流密度分布によってイオンビーム3の単位除去形状を検知し、作成された加工プログラムに従って、イオンビーム3を電子ビーム8とともに光学素子材料5に照射し、形状加工を行う。 (もっと読む)


【課題】本発明は電子線照射装置の電子線安定化方法及び装置に関し、フィールドエミッション形電子銃を用いた場合でも照射電流を安定化することができる電子線照射装置の電子線安定化方法及び装置を提供することを目的としている。
【解決手段】電流を検出可能な絞りを複数用意し、これら複数の絞りの絞り検出電流と、対応する電子線照射電流との関係をテーブルとしてメモリ21に記憶させておいて、電子線照射電流が小さい領域では、前記複数の絞り検出電流を加算したものを絞り検出電流とし、電子線照射電流が大きい領域では、前記複数の絞りのうち、特定の絞りの検出電流をそれぞれ検出電流として用いて、電子線照射電流のフィードバック制御を行なうように構成する。 (もっと読む)


【課題】ガスクラスターイオンビーム処理システムにおいて、空間電荷現象や試料帯電の低減および照射電流量の測定精度を改善する。
【解決手段】通気型ファラデーカップ302は、ガスクラスタイオンビーム128を受領する表面を有した導電性衝撃プレート308と、該衝撃プレート308を包囲し、その前方で延びてカップ形状を提供し、間隔を開けて配置された複数の同軸導電リング電極を含んだ通気型容器と、該衝撃プレート308によって回収された電流を電流測定システム358に導く導電手段と、を含んで構成されており、前記導電リング電極は少なくとも2体のリング電極で成る少なくとも3群で構成されて電気的に接続されており、それぞれの群は独立的にバイアスされており、本カップ内外への不都合な荷電粒子漏出を防止する。 (もっと読む)


本発明は、多数のビームからのそれぞれのビームの強度が決定されるリソグラフィシステムであって、複数のビームを同時に感知して、これらの集合信号を与えるように構成されたセンサ領域を有するセンサを備えた測定装置を具備するリソグラフィシステムに関する。複数のビームが、関連する一時ブランキングパターンに従ってそれぞれ変調される。本発明は、さらに、測定された集合信号及びビームの一時ブランキングパターンによってそれぞれのビームの強度を計算する方法に関する。
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【課題】 リボン状のイオンビームのX方向およびY方向における発散角を簡単な方法で測定する測定方法を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム測定方法は、イオンビーム2の一部を通過させる小孔62を有するマスク板60と、その下流側に設けられていて、前記小孔を通過したイオンビームを受けてそのビーム電流をそれぞれ検出する複数のビーム検出器12をX方向に有していて、Y方向に可動のビームモニタ10とを用いる。そして当該ビームモニタ10をY方向に移動させることによって、小孔62を通過したイオンビームのX方向およびY方向における中心位置x3 、y3 をそれぞれ測定し、その中心位置x3 、y3 とそれに対応する小孔62間のX方向およびY方向における距離L4 、L5 ならびにマスク板60とビームモニタ10間のZ方向における距離L3 に基づいて、小孔62を通過したイオンビームのX方向およびY方向における発散角αX 、αY をそれぞれ測定する。 (もっと読む)


【課題】エミッタンス測定およびリボンビームの強度分布均一化を簡易な手段で実施できるようにする。
【解決手段】イオンビームIBの軌道上に設けられて、そのビーム強度分布を測定するビームプロファイルモニタと、イオンビームIBを挟んでx方向に対向配置され、互いの間でイオンビームIBを通過させる開口を形成する一対のビーム遮蔽部材6とを利用する。そして、ビーム遮蔽部材6の少なくとも一方を、y方向には隙間なく、かつ、x方向には独立して進退可能に設けられた複数の可動遮蔽板61からなるものとしたうえで、可動遮蔽板61の位置を調整して、対向するビーム遮蔽部材6との間に微小開口Pを形成し、微小開口Pを通過したイオンビームIBについての強度分布測定結果から、イオンビームIBのエミッタンスを算出するように構成した。 (もっと読む)


【課題】 イオン源から引き出されたイオンビームの実際の進行方向を基板表面に投影した方向と実質的に等しい方向を、複雑な算出工程を用いずに測定する。
【解決手段】 上孔33を有する上板32および下孔35を有する下板34を備えていて少なくとも下孔35がスリット状をしている治具30と、治具30の上孔および下孔の両方を通過したイオンビーム12を受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器60とを用いて、治具30およびビーム電流測定器60を、上孔33にイオン源10から引き出されたイオンビーム12が入射する場所に位置させた状態で、少なくとも下板34を軸38を中心に回転させて、イオン源10から引き出されたイオンビーム12を上孔33および下孔35の両方を通過させて、ビーム電流測定器60で測定するビーム電流が最大となるときの下孔の長さ方向51を測定する。 (もっと読む)


【課題】イオン照射対象物品のイオン照射対象部分に全体的に均一に、効率よくイオン照射処理を施すことができる寿命の長いイオン照射装置を提供する。
【解決手段】電子源20A を物品Wのイオン照射対象部分の全体に臨むように設け、電子源20A におけるフィラメント2a、2a’、2a”は、電子源20A の全体にわたり不連続に複数段に分散並列配置する。フィラメントは、互いに逆向きの電流が流れるように平行又は略平行に接近する対部分をフィラメントの各端部寄りに含むように屈曲配置し、或いは、少なくとも一組の互いに隣り合うフィラメントについて、互いに逆向きの電流が流れるように相互に平行又は略平行に接近して対向する部分からなる対部分をフィラメントの両端部寄りに含ませる。かかる電子源から放出させた電子をチャンバ1内へ導入したガスに衝突させてプラズマを生成し、該プラズマ中のイオンを物品Wに照射する。 (もっと読む)


【課題】高速かつ頻繁なビーム電流測定を提供することが可能である荷電粒子ビーム装置及び方法を提供する。
【解決手段】 荷電粒子ビーム装置が記載されている。荷電粒子ビーム装置は、1次荷電粒子ビームを放射するために適合したエミッタと、2次および/または後方散乱荷電粒子が1次荷電粒子ビームの衝突時に放出される試料を保持するために適合した試料場所と、2次粒子および/または2次粒子を検出するために適合した検出ユニットと、1次荷電粒子ビームを検出ユニットに衝突させるため1次荷電粒子ビームを検出ユニットへガイドするために適合したビームガイドユニットとを含む。 (もっと読む)


【課題】アパーチャーの開口の大きさの変動量に依存しない正確な測定を行えるビーム量測定装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】大きさの異なる少なくとも2つの開口を有するアパーチャーと、各開口を通過したビームの量をそれぞれ測定可能な測定子と、測定子の測定値と、開口の大きさの初期値とに基づいて、開口の大きさの変動量に依存しないビーム量、開口の大きさの変動量を算出する演算装置とを備えている。 (もっと読む)


【課題】 インジェクタフラグファラデーカップによりその周辺部材が悪影響を受けることが無いイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 ビームスキャナ36への入射前のビームライン上に、イオンビームの全ビーム量を計測してビーム電流を検出するインジェクタフラグファラデーカップ32が入れ出し可能に配置される。インジェクタフラグファラデーカップ32をビームラインに挿入してイオンビームを遮断すると、イオンビームがインジェクタフラグファラデーカップ32に設けられたグラファイト32aに当たる。このとき、イオンビームでグラファイト32aがスパッタされても、インジェクタフラグファラデーカップ32がビームスキャナ36の上流側に配置されており、インジェクタフラグファラデーカップ32でイオンビームが遮断されているので、スパッタされたグラファイト粒子がインジェクタフラグファラデーカップ32の周辺部材に付着することはない。 (もっと読む)


【課題】 ビームモニタの各ビーム検出器に流入するビーム電流の波形を、少ない数の電流測定器を用いて短時間で精度良く測定する。
【解決手段】 ビームモニタ30の各ビーム検出器32を、スイッチSをそれぞれ介して一つの電流測定器40に接続しておく。そして、各ビーム検出器32のビーム入射孔のX方向の幅をWf、隣り合うビーム入射孔間のX方向の間隔をWs、イオンビーム4のX方向のビーム幅をWb、ビーム検出器32の総数をpとし、nを0≦n≦(p−2)の整数とすると、次式を満たすn個ずつ飛ばして複数のスイッチSを同時にオン状態にしている状態で、ビームモニタ30によってイオンビーム4を受けて電流測定器40に流入するビーム電流の波形を測定する測定工程と、同時にオン状態にしているスイッチSを前記条件の下で切り換える切換工程とを繰り返す。
Wb<{n・Wf+(n+1)Ws} (もっと読む)


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