記憶装置の記憶密度を飛躍的に高くするため、冷陰極１０１から放出された電子線Ｅは、加速電極１０２により加速され、収束電極１０３により収束され、偏向電極１０４により偏向されて、記憶膜１０５の微小領域に照射される。記憶膜１０５は例えば相変化膜１０５ａを有し、高エネルギの電子線Ｅが照射されると急速加熱、冷却されてアモルファス化する一方、中程度のエネルギの電子線Ｅが照射されると除冷されて結晶化することによりデータが記憶される。また、低エネルギの電子線Ｅが照射されると、アモルファス化または結晶化の状態に応じて異なる検出電極１０５ｂと陽極１０５ｃとの間の電位差が検出され、記憶データが読み出される。
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【課題】本発明は、必要とする台車の数を低減して、機構の簡素化を図り、よってコストの低減に繋げられる基板処理装置および基板処理方法を提供しようとするものである。
【解決手段】互いに異なる雰囲気および／もしくは温度管理された複数のチャンバである、搬入側真空・大気室３０と、加熱室３１と、冷却室３２と、搬出側真空・大気室３３に順次基板１０を搬送し、各チャンバにおいて互いに異なる複数の処理をなす基板処理装置であって、互いに隣接するチャンバ相互間に設けられる開閉式のゲート３４ａ〜３４ｅと、１つ置きの各チャンバ（搬入側真空・大気室と冷却室）内に設けられ基板を把持し、かつ解除自在なリフタ機構４３Ａ，４３Ｂと、これらチャンバとは異なる１つ置きのチャンバ（加熱室と搬出側真空・大気室）をホームポジションとして、リフタ機構を備えた隣接するチャンバとの間のみに基板を授受し搬送する台車４０Ａ，４０Ｂとを具備する。 （もっと読む）