【課題】重い原子及び軽い原子を同時に観察可能な電子顕微鏡像を生成する画像処理の方法を提供する。
【解決手段】方法は、走査透過型電子顕微鏡により試料を撮像した暗視野像であって、走査透過型電子顕微鏡の光軸からの第１角度と、第１角度よりも大きい第２角度との間に散乱した電子を検出して得られた暗視野像を取得し、この暗視野像と共に撮像された明視野像であって、第１角度よりも小さい第３角度以内に散乱した電子を検出して得られた明視野像を取得し、暗視野像の明暗を反転して反転像を生成し、反転像の各画素の輝度と、反転像の各画素に対応する明視野像の画素の輝度との差を、各画素の輝度とする差分像を生成する。 （もっと読む）

【課題】電子顕微鏡において、電子線の光軸調整を容易にし、高コントラストな暗視野像を容易に観察できるようにする。
【解決手段】電子源１０３からの電子線１０４を照射系レンズ１０５及び偏向コイル１０６，１０７を介して試料１１０に照射し、該試料１１０を透過した電子線を結像レンズ１０８を介して暗視野検出器１１１及び明視野検出器１１４で検出する電子顕微鏡において、電子線像を蛍光板１１２に形成し、この蛍光板１１２の電子線像をカメラ１１３で撮影し、このカメラ１１３の画像データから前記電子線の重心座標を求め、前記暗視野検出器１１１の中心と合わせるように、前記電子線又は前記暗視野検出器の位置を偏向コイル制御装置１１８又は暗視野検出器制御装置１１８を用いて制御することで、光軸調整を容易にし、高コントラストな暗視野像観察を実現する。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢ加工装置による加工で生じた試料のダメージ層の除去の精度は作業者の技量に依存する。
【解決手段】イオンビームにより発生したダメージ層の除去加工中に、電子ビーム光学システムで形成された電子ビームを試料に照射することにより発生する透過電子を二次元検出器で検出し、当該二次元検出器で得られたディフラクションパターンのぼけ量に基づいてダメージ層の除去加工を終了するタイミングを判定する。 （もっと読む）

【課題】減厚による歪緩和の影響を補正して、バルクの結晶中の歪を測定する。
【手段】結晶基材を含む被測定試料に集束イオンビームを照射して減厚し、被測定試料薄片とする減厚工程と、減厚工程途中の複数時点で、被測定試料薄片に集束電子線を照射して高角度散乱電子の電子線強度Ｉ１〜Ｉ３を測定する工程と、前記複数時点で、結晶基材の格子定数を電子線回折法により測定し、被測定試料薄片の歪Ｅ１〜Ｅ３を算出する工程と、散乱電子の電子線強度Ｉ１〜Ｉ３及び歪Ｅ１〜Ｅ３に基づき、散乱電子の電子線強度Ｉを変数とする歪の近似式Ｅ＝Ｅ（Ｉ）を作成する工程と、減厚に伴い歪緩和が始まる臨界厚さに等しい厚さの結晶基材に、集束電子線を照射したとき測定される高角度散乱電子の臨界電子線強度Ｉｏを予測する工程と、臨界電子線強度Ｉｏを近似式Ｅ＝Ｅ（Ｉ）に代入して、被測定試料の歪Ｅｏを算出する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ロンチグラム法の簡易性を備えながら、反射・二次電子走査像を利用するＳＥＭにおいても適用可能な、また特別に撮影用の検出器を必要としない収差測定法、或いは収差測定に供する収差情報の取得方法を提供する。
【解決手段】走査像を得る為のビーム走査を、通常対物レンズ直上に置かれる走査コイルで行うのではなく、収差被測定レンズである収差補正器ならびに対物レンズ上方置かれた走査コイルによって行うことによって、収差被測定レンズの持つ収差を反映した歪走査を試料面上で行い、これによって発生する散乱電子線、透過電位線、もしくは反射・二次電子線から走査像を形成することで、従来のロンチグラムと等価な収差情報パターンを、走査型で得られる手段を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画像データのより効率的な取得及び解析を可能にする。
【解決手段】荷電粒子顕微鏡を操作する方法であって、第１設定で対象物の第１領域の第１画像を記録し、第２設定で対象物の第２領域の第２画像を記録する。第２設定は、一次荷電粒子の運動エネルギー、検出器設定、ビーム電流、測定チャンバ内の圧力の少なくとも１つに関して第１設定とは異なる。第１領域及び第２領域を少なくとも部分的に含む第３領域の第３画像を記録する。第３画像の少なくとも一部を表示し、表示した第３画像内に少なくとも部分的に第１画像の表現を表示する。第１画像の表現は第１設定を示す第１インジケータを含む。表示した第３画像内に少なくとも部分的に第２画像の表現を表示する。第２画像の表現は第２設定を示す第２インジケータを含み、表示した第２インジケータは表示した第１インジケータとは異なる、方法。 （もっと読む）

【課題】高分解能観察において、収差の変化を伴う時間的遅延を最小に留め、且つ、収差係数の算出精度が高い収差補正方法及び収差補正装置の提供を目的とする。
【解決手段】収差補正子を有する走査透過電子顕微鏡において、複数の検出面を備える検出器に対して電子線を入射させ、前記電子線による暗視野像および前記検出面毎に前記電子線の角度情報を含む明視野像を同時に撮像し、前記暗視野像を観察像の位置基準として前記複数の明視野像から収差係数を算出し、算出した前記収差係数に基づき、収差が低減するように前記収差補正子を制御する。 （もっと読む）

【課題】電子回折断層撮影の方法を提供する。
【解決手段】当該発明は、透過電子顕微鏡における電子回折断層撮影のための方法を記載する。知られた方法は、走査透過電子顕微鏡を使用することを伴うと共に、ＳＴＥＭの回折の走査されたビームを使用する。当該発明は、結晶と比べてわずかにより大きい直径を備えた静止のビーム（２００）で回折パターンを形成することを提案するが、それの結果としてＳＴＥＭユニット無しのＴＥＭは、使用されることができる。結晶を見出すことは、ＴＥＭのモードにおいてなされる。当該発明に従った方法の利点は、走査するユニット無しのＴＥＭが、使用されることができると共に、全体の結晶が、回折パターンを得る一方で、照明される際に、回折のボリュームが、結晶の配向に依存するものではないというものである。 （もっと読む）

【課題】ＴＥＭの回折平面における使用のためのブロッキング部材を提供する。
【解決手段】発明は、ＴＥＭの回折平面に置かれるものであるブロッキング部材に関係する。それは、シングルサイドバンドのイメージングのために使用されたナイフエッジに似るが、しかし小さい角度にわたって偏向させられた電子のみをブロックする。結果として、この発明に従ったＴＥＭのコントラスト伝達関数は、低い周波数でシングルサイドバンドの顕微鏡のもの及び高い周波数については正常な顕微鏡のものに等しいことになる。好ましいことは、ブロッキング部材によってブロックされた最も高い周波数が、ブロッキング部材無しの顕微鏡が０．５のＣＴＦを示すと思われるようなものであることである。 （もっと読む）

【課題】機械的強度を維持しつつ微細孔を形成することができ、ＴＥＭの制限視野電子回折像観察に好適な制限視野絞りプレート及びその製造方法等を提供する。
【解決手段】機械的強度を確保した電子線を遮蔽する数10 μm以上の厚さのタンタル、モリブデンなどの単一材料で構成された絞りプレート11に、FIB加工により予備加工領域16(2μm以下)を形成し、次に1μm以下の微細孔15を形成する。この微細孔15の側壁部をシャープかつ非テーパー状に形成することで、200keVないし300keVの高エネルギー電子線でも透過しないようにした。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、サンプルの中を通り抜けた電子を検出する複数の検出器を提供する。
【解決手段】 検出器は、望ましくは、電子のエネルギーに従って電子を分離するプリズムの中をそれらの電子が通り抜けた後に、それらを検出する。異なるエネルギー範囲における電子は、次に、異なる検出器によって検出され、望ましくは、それらの検出器の少なくとも1つは、電子がサンプルの中を通り抜けるときにそれらによって失われるエネルギーを測定する。本発明の一実施形態は、コア・ロス電子においてEELSを提供する一方、ロー・ロス電子からの明視野STEM信号を同時に供給する。 （もっと読む）

【課題】入射像面および入射瞳面を有し、試料を通過した電子の分析方法として１種類またはそれ以上の種類の分析方法を実施可能とする、適応性の高い分析系を備える透過電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】試料面内９ｂに試料を配置した透過電子顕微鏡は、対物レンズ１１ｂ、複数のレンズを有する第１投影レンズ系６１ｂ、複数のレンズを有する第２投影レンズ系６３ｂ、および分析系を備える。試料面９ｂは中間像面７１内に結像され、対物レンズ１１ｂの回折面１５ｂは中間回折面６７ｂ内に結像され、（ａ）中間像面は分析系の入射像面内に結像され、中間回折面は分析系の入射瞳面内に結像されるか、または、（ｂ）中間像面７１は入射瞳面６５ｂ内に結像され、中間回折面６７ｂは入射像面２１ｂ内に結像される。 （もっと読む）

【課題】デバイス試料の傾斜ズレによる測長誤差を最小化する。
【解決手段】測長前に、試料の単結晶部分から回折パターンを取得し、取得された回折パターンに基づいて荷電粒子線に対する試料の傾斜角を補正する。 （もっと読む）

透過型電子顕微鏡は、電子ビームを生成する電子ビーム源(20)を有する。前記電子ビームを収束させるようにビーム光学系が供されている。収差補正装置(90)は、少なくとも球面収差について前記電子ビームを補正する。前記電子ビームのビーム路中に試料(40)を保持する試料ホルダが供される。検出器(80)は、前記試料を透過する前記電子ビームを検出するのに用いられる。当該透過型電子顕微鏡は、前記電子ビームのゼロ次ビームが検出されない暗視野モードで動作する。当該透過型電子顕微鏡はまた、インコヒーレントな照射モードで動作することもできる。
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【課題】スクリーニング現象に対して対処可能な電子ホログラム形成装置及び電子線ホログラム形成方法を提供すること。
【解決手段】電子線ホログラム形成装置は、試料に電圧を印加するための第１電極及び第２電極を備える。電子線ホログラム形成方法は、試料に電圧を印加した状態で試料に電子線を照射して電子線ホログラムを形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は３次元画像取得方法及び装置に関し、分解能を向上させることができるトモグラフィー法を用いた試料の３次元画像取得方法及び装置を提供することを目的としている。
【解決手段】走査透過型電子顕微鏡において、試料の３次元画像を得る３次元画像取得手段を設け、該３次元画像取得手段を用いて試料の第１の３次元画像を得、次に、試料を裏返して該３次元画像取得手段を用いて試料の第２の３次元画像を得、得られた試料の第１の３次元画像と第２の３次元画像とから試料の３次元画像を得る、ように構成する。 （もっと読む）

【課題】高精度かつ短時間で結晶格子像と相似のモアレパターンを得ることを可能にする。
【解決手段】走査型顕微鏡を用いて、結晶構造の結晶格子モアレパターンを取得する方法であって、前記結晶構造の走査面において、前記結晶構造と方位に対応して、複数の仮想格子点を周期的に配置する工程と、入射プローブを用いて複数の前記仮想格子点からの信号を検出する工程と、検出した前記信号に基づいて、前記結晶構造の結晶格子モアレパターンを生成する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 試料に電子線を照射して線分析を行なうとき、同じ線分上で任意の間隔と任意の点数で分析点を簡易に設定する方法を提供する。
【解決手段】 マウス等のポインティングデバイスを用いてＨＡＡＤＦ像上の線分析位置を指定する。たとえば結晶粒界に直角となるように線分析の始点Ｐ１と終点Ｐ６を指定し、キーボード等により分析点数６を指定する。例えばＸ線検出器１３により粒界に直角な線分上に注目元素のＸ線強度を測定し分析結果をグラフに表す。Ｘ線強度の高い注目点を中心とした線上に、はじめに設定した間隔よりさらに細かく分割する分析点Ｓ１からＳ６を自動的に指定する。 （もっと読む）

【課題】環状暗視野走査型透過電子顕微鏡（ＡＤＦ−ＳＴＥＭ）による画像の検出において、従来は低角度ＡＤＦ−ＳＴＥＭ像と高角度ＡＤＦ−ＳＴＥＭ像を同時に検出することができず、コントラスト比較のための位置合わせの処理などの画像処理作業が必要であった。
【解決手段】ＡＤＦ−ＳＴＥＭの環状の検出器６を同心円状に分割することにより、高角度と低角度に散乱電子を同時に検知して位置ずれのない画像を検出し、正確な歪みコントラストを簡便に検出することができる。 （もっと読む）

【課題】緊張した微細な空中配線を形成する技術を提供する。
【解決手段】原料ガスを供給した領域に収束した第１の荷電粒子ビームを照射することにより空中配線５３０を形成し、第１の荷電粒子ビームの照射により形成された空中配線５３０に、第２の荷電粒子ビームＩＢを照射することにより空中配線５３０を緊張させる。 （もっと読む）