【課題】スキャン歪や荷電粒子線のランディング角度のばらつきに起因する測長値器差を低減し、荷電粒子線の絶対的な傾斜角度を高精度に測定する。
【解決手段】試料面上に形成されたピラミッドパターン９０のＳＥＭ画像の撮像する際に、スキャン方向及び／又は試料５の搭載向きを、正および逆向きに変えた像を取得し、それぞれの結果を画像間で平均化することにより荷電粒子線の傾斜角度を高精度に測定する。これによりスキャン歪の影響や荷電粒子線のランディング角度のばらつきに起因する測長値器差を低減する。 （もっと読む）

【課題】電子線を走査して試料を観察するにあたって、高い分解能を有するとともに、電子線の走査に要する時間を短くできる試料観察装置を提供する。
【解決手段】ステージに載置された試料ＳＭに電子線ＩＢを照射して、試料ＳＭからの電子線を検出することにより試料を観察する電子線検査装置に於いて、１つの電子筒体５０は、試料ＳＭに照射される複数の電子線ＩＢ及び試料ＳＭからの電子線が通る電子線路を形成する複数の電子線照射検出系により構成される。ここで、複数の電子線照射検出系を同時に用いることで、検査の高速化を実現する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ビーム走査によって得られる検出信号を積算して画像を形成する装置において、取得画像のＳ／Ｎの向上と、シュリンクの低減の両立の実現を目的とするものである。
【解決手段】上記目的を達成するために本発明によれば、画像データを積算して、画像を形成する荷電粒子線装置において、設定される走査線方向の大きさごとに、走査線方向とは垂直な方向に、異なる大きさであって、異なる走査線数を持つ複数の走査パターンによる走査が可能な偏向器と、１フレーム内にて、前記走査線方向とは垂直な方向の大きさに比例する数の走査線位置への走査によって得られる検出信号を１の走査位置の検出信号として、積算する演算装置を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、上記課題に鑑み、広い領域で高精細な加工ピッチを実現し、広い領域を高精度に観察を行うことができる荷電粒子線装置及び加工・観察方法を提供することを目的とする。
【解決手段】偏向量の緻密な高精細スキャンと偏向量の大きなイメージシフトという２種類以上のＦＩＢ偏向制御を同期させ、従来よりも広い領域を高密度でスキャンする。また、ＦＩＢのイメージシフトを用いて加工された位置にＳＥＭのイメージシフトを追従させる。作製した一つの断面に対し複数枚のＳＥＭ像を取得し、それをつなぎ合わせることによって高精細な画像を作成する。本発明により、従来よりも広い領域を高精細スキャンで加工し、高精細な三次元構築用データを取得することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】偏向位置によって電子ビームのショット形状が歪むのを抑制できる荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム描画装置１００は、主偏向非点の補正とともに、ＸＹ差も補正して得られた偏向電圧を、主偏向器２０８と副偏向器２０９に印加し、試料２１６上に所望のパターンを描画する。このため、電子ビーム描画装置１００には、主偏向器２０８に印加する偏向信号の補正量を算出する主偏向補正量演算部１２２と、副偏向器２０９に印加する偏向信号の補正量を補正する第２の補正量を算出する副偏向補正量演算部１２３と、第１の補正量を用いて主偏向器２０８に印加する偏向信号を生成し、第２の補正量を用いて副偏向器２０９に印加する偏向信号を生成する偏向信号生成部１２４とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢ鏡筒とＳＥＭ鏡筒を直角に構成した装置において、観察している試料の位置関係を作業者が把握しやすいＦＩＢ像とＳＥＭ像を表示すること。
【解決手段】ＦＩＢ鏡筒１と、ＦＩＢ鏡筒１と略直角に配置されたＳＥＭ鏡筒２と、試料４を載置する試料ステージ３と、試料４から発生する二次粒子を検出する二次電子検出器５と、検出信号からＦＩＢ像とＳＥＭ像を形成する観察像形成部１５と、ＦＩＢ像内の試料の左右の向きとＳＥＭ像内の試料の左右の向きが同じであるＦＩＢ像とＳＥＭ像を表示する表示部９と、を有する複合荷電粒子ビーム装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】 試料内複数点の測定時に生じる像ドリフトを低減する。
【解決手段】 測長画像の取得後に測長画像取得より低倍走査での電子ビーム照射により除電を行う。その際に、走査領域が２０μｍ角以上、２００μｍ角以下の倍率に設定される。 （もっと読む）

【課題】低段差試料や帯電試料の観察、測定等において、反射荷電粒子信号に基づく画像を形成する際にも、倍率変動や測長誤差によらずに正確な画像を取得する装置、及びコンピュータプログラムを提供する。
【解決手段】二次荷電粒子信号を検出する第１の検出条件と、反射荷電粒子信号を検出する第２の検出条件との間で、荷電粒子線の走査偏向量を補正するように偏向器を制御する装置、及びコンピュータプログラムを提供する。このような構成によれば、検出する荷電粒子信号の変更による倍率変動や測長誤差を補正することが可能となるため、反射荷電粒子信号に基づく画像を正確に取得することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 高アスペクト構造であっても、パターン底部の寸法を高精度に計測できる荷電粒子線装置及び計測方法を提供する。
【解決手段】 アスペクト比の高いパターンが形成された試料のパターン寸法底部を計測する方法において、試料の同一領域に荷電粒子線を第１方向及び第１方向とは逆の第２方向に走査させたときにそれぞれ発生する信号荷電粒子に基づく第１走査像と第２走査像とを比較し、走査像の信号強度が小さい方を真値とし、走査像を再構築し、再構築した走査像を用いて試料に形成されたパターン底部の寸法を計測する。また、その方法を実現する荷電粒子線装置。 （もっと読む）

【課題】イメージシフトの際、両立が困難であった、広い偏向領域と高い寸法計測再現性とを両立できる荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子源１０１、偏向手段（１０３、１０４、１０５等）、焦点位置変更手段（１０６、１０８）を制御すると共に検出器１１９により検出された電気信号により画像用データを作成する制御演算部１２１と、撮像条件ごとに登録された補正係数を保存する記録部１２０を有する荷電粒子線装置において、制御演算部は、焦点位置を変えながら複数の画像を取得し、画像内のマークの位置ずれ量と、記録部に登録された補正係数にもとづいて、計測用画像を取得する際に、荷電粒子線のランディング角が垂直となるように光学条件を制御する。 （もっと読む）

【課題】走査画像上において検査対象領域の端部の座標位置を正確に求め、ピクセルの位置精度およびアレイ検査の検査精度を向上させる。
【解決手段】走査画像上において検査対象領域（パネル領域）の外周の端部を検出し、この端部を基準として検査対象領域を特定し、検査対象領域のアレイ検査を行う。検査対象領域（パネル領域）の外周の端部を基準として検査対象領域を特定することによって、検査対象領域のコーナー部分の形状を基にして検査対象領域の基準位置を定める場合よりも、画像の画像歪みや画像斑による位置ずれの影響を低減することができる。アレイ検査装置の態様では、走査画像から基板上の検査対象領域の外周部分の少なくとも一つの端部を検出する端部検出部を備え、端部検出部で検出した端部の座標位置に基づいて、走査画像上における検査対象領域内の検査位置を特定する。 （もっと読む）

【課題】従来の電子顕微鏡においては、直交度は電子顕微鏡毎に電子顕微鏡とは独立にあらかじめ直交と想定して製作された格子状サンプルを該当の顕微鏡で像観察し、該サンプルが画面上で直交として観察されるように該電子顕微鏡制御回路に補正をかけることで定義していた。また補正は画面上での目視による判断であり、補正も人による手動で実施していた。しかし、この方法においては格子状サンプルの製作上のばらつきにより、装置毎の直交度にばらつきが生じる可能性があった。また補正を手動で実施することで補正精度にばらつきが生じるといった問題があった。
【解決手段】上記目的を達成するために、直交度規定用に格子状サンプルではなく粒子状サンプルを使用し、円であるべき像を円として観察されるような調整を実施することで、直交度を規定することが可能となる。 （もっと読む）

【目的】本発明は、走査型電子顕微鏡に関し、複数の近接した電子ビームを使って同時並列に画像を得るが、その際に、それぞれの電子ビーム走査によって発生する２次電子を分離して検出することを目的とする。
【構成】試料を搭載して平面内で試料を移動可能な移動機構と、複数の１次電子ビームをそれぞれ細く絞って移動機構に搭載した試料上にそれぞれ独立に照射する複数の微小対物レンズと、複数の微小対物レンズに対応付けて設け、それぞれ１次電子ビームを移動機構に搭載した試料上で走査するように偏向するそれぞれの偏向器と、複数の微小対物レンズに対応付けて設け、それぞれの試料から放出された２次電子が微小対物レンズの磁場で軸上に収束されて１次電子ビームの試料上への照射方向と逆の軸上の方向に設けた、それぞれ独立に２次電子を検出・増倍するそれぞれの検出器とを備える。 （もっと読む）

【課題】走査電子顕微鏡において、装置内及び装置外からの磁場や振動などの影響により、ＳＥＭ画像に障害が発生した場合、そのＳＥＭ画像を用いて簡単に精度よく原因を特定することを目的とする。また、ＳＥＭ画像のパターンのラフネスに計測精度が影響されない測定手法を目的とする。
【解決手段】ＳＥＭ画像取得時にＹ方向の走査ゲインをゼロにすることで、走査線方向（Ｘ方向）に一次元走査を行うと共に、当該走査によって得られる画像情報を、Ｙ方向に時系列的に配列することで、二次元画像を作成する。相関関数により、当該二次元画像のずれ量データを取得し、当該データを周波数解析することで画像中に含まれる磁場や振動などを測定する。 （もっと読む）

【課題】マイクロスケールの照射位置あるいは使用回数といった使用状態を簡便に管理できる機能を備えた走査電子顕微鏡あるいは荷電粒子線装置を実現する。
【解決手段】マイクロスケール上のセルの配置に対応したマップを作成し、当該マップ上に各セルの使用状態を表示する。装置ユーザは、実際に使用するマイクロスケール上のセルをマップ上に示されるセルから選択する。表示の際には、単純に使用回数を文字表示するのではなく、マップ上のセルを使用状態に応じて色分けして表示する。また、マイクロスケールの使用状態を適当なカテゴリに分類し、分類したカテゴリ毎に色分け表示する。 （もっと読む）

【課題】 観察対象物に加工を施すことなく現状状態そのままでの観察を可能とする走査型電子顕微鏡の提供。
【解決手段】 鏡筒の開口先端部に観察対象物と接触させるシール部材を設け、真空ポンプにより鏡筒内が真空に引かれた場合にシール部材を介して当該鏡筒に観察対象物を吸着させ、鏡筒を観察対象物に直接接触させた状態で密着固定するようにした。すなわち、試料室がないかわりに吸着により観察対象物と鏡筒とが相対的に移動しないように密着固定させる。こうすると、試料室がないにも関わらず、鏡筒内を真空状態に確保することができ、また振動により鏡筒と観察対象物とは相対的に移動しないことから観察時の悪影響が生じない。こうして鏡筒を観察対象物に対し直接マウントすることで、従来では試料室に入りきらない観察対象物であっても加工を施すことなく現状状態そのままで観察を行うことができるようになる。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭ装置での検査速度高速化技術の提供。
【解決手段】ウェーハ下方の第１サーチダイの左下隅がカメラ中央付近に位置するようにステージを移動し、パターンマッチ用テンプレート画像を取得する。第１サーチダイの右隣のダイを第２サーチダイとし、第２サーチダイの上隣のダイを第３サーチダイとし、ステージを移動し、上記テンプレート画像を用いて自動でパターンマッチを実行することで、第２サーチダイ及び第３サーチダイのパターンの厳密な座標値を取得する。第２サーチダイのパターンマッチ座標と第３サーチダイのパターンマッチ座標の関係より、上隣ダイのパターンへの移動量を算出した、第１サーチダイの上隣のダイのパターンが存在すると予想される座標へステージを移動。テンプレート画像を用いてパターンマッチを実行することで、観察中のパターンの厳密な座標値を更新取得することを繰り返して精度を高めてゆく。 （もっと読む）

【課題】所定パターンが繰り返し配列された試料の検査に適用される検査装置において、電子線のドリフト等の理由により、電子線を照射すべき位置と実際に照射された位置とに誤差が生じる。前記検査装置においてはこの誤差を小さくする必要がある。本発明の目的は、電子線の走査位置をリアルタイムに正確に制御することができる検査装置を提供することにある。
【解決手段】所定パターンが所定周期で配列された試料の検査に適用される検査装置において、検出信号から得られるパターンの位置と、既知の前記パターンの位置を含む前記パターンの位置情報とから、一次電子線が照射された位置と当該照射の目標位置とのずれ量を求めることを特徴とする。さらに、前記ずれ量を用いて前記一次電子線の照射位置の補正値を出力することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】走査用偏向器を有するイオンビームシステムにおいて、イオンビームの高エネルギー動作モード及び低エネルギー動作モードの両方において、高偏向周波数（高速）で、かつ偏向電圧のダイナミックレンジを広くすることなく高精度に偏向できるようにする。
【解決手段】偏向器３９をイオンビーム１９の光軸５の方向に隙間を設けて配設された第１偏向電極５１ａ、５１ｂ、５１ｃ及びこれに対向する第２偏向電極５２ａ、５２ｂ、５２ｃからなる３つの偏向電極対によって構成し、コントローラ７からスイッチ６１を介して各偏向電極に異なる電位を印加できるようにする。第１動作モード（例えば、３０ｋｅＶのイオンビームエネルギー）においては、矢印５５で示すように全部の偏向電極対に偏向電場を発生させる。第２動作モード（例えば、１ｋｅＶのイオンビームエネルギー）においては、偏向電極対５１ａ、５２ａのみに偏向電場を発生させる。 （もっと読む）

【課題】帯電粒子ビームの角状変位を判断し、高い側壁角度均一性の側壁を含むテストオブジェクトの複数の測定値に基づく帯電粒子ビームシステムを較正する為のシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】帯電粒子ビームの経路は、複数のビーム制御パラメータにより制御される。方法は、角状変位を実質的に減少させるパラメータを判断し、これらを適用して帯電粒子ビームシステムを較正する。 （もっと読む）