【課題】 Ｘ線元素分析を行う前段階においてＸ線分析に適した試料上の位置を評価・判別でき、分析者が高い信頼性を確保した分析を手戻り無く、短時間に行うことができる荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】 Ｘ線検出器を備えた荷電粒子線装置において、Ｘ線検出器１２（２５〜３０）のＸ線検出面と同軸上に第一の反射電子検出器１５がＸ線検出器１２と一体もしくは独立して配置され、Ｘ線検出器１２によりＸ線信号を、第一の反射電子検出器１５により反射電子信号を同時もしくは個別に検出する。 （もっと読む）

【課題】電子線を走査して試料を観察するにあたって、高い分解能を有するとともに、電子線の走査に要する時間を短くできる試料観察装置を提供する。
【解決手段】ステージに載置された試料ＳＭに電子線ＩＢを照射して、試料ＳＭからの電子線を検出することにより試料を観察する電子線検査装置に於いて、１つの電子筒体５０は、試料ＳＭに照射される複数の電子線ＩＢ及び試料ＳＭからの電子線が通る電子線路を形成する複数の電子線照射検出系により構成される。ここで、複数の電子線照射検出系を同時に用いることで、検査の高速化を実現する。 （もっと読む）

【課題】
一次電子による帯電を抑制し、観察標体から明瞭なエッジコントラストを得て、試料の表面形状を高精度に計測する。
【解決手段】
試料上のイオン液体を含む液状媒体が薄膜状または網膜状である観察標体を用いる。また、この観察標体を用いる電子顕微法において、試料上のイオン液体を含む液状媒体の膜厚を計測する工程と、前記イオン液体を含む液状媒体の膜厚に基づき一次電子の照射条件を制御する工程と、前記一次電子の照射条件で一次電子を照射し前記試料の形態を画像化する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】任意の放出角度の反射電子を検出することのできる走査電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】試料からの電子を検出することによって像を得る走査電子顕微鏡において、試料１９からの二次電子と反射電子とを弁別する制御電極１８と、反射電子の衝突によって二次電子を発生させる二次電子変換電極１３とその二次電子を引き上げる電極１２と、引き上げられた二次電子と試料１９からの反射電子を弁別するエネルギーフィルタ１１と、二次電子変換電極１３と引き上げ電極１２とエネルギーフィルタ１１への印加電圧の組み合わせを選択する制御演算手段３６とを有する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ検査において異物や欠陥を見つけた場合に、これら異物等の発生原因を探求するための電子顕微鏡を用いたウェハエッジ観察に関する好適な方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハを保持する試料ステージ２４と、半導体ウェハに電子線を照射する電子光学系と、電子線の照射により得られる二次電子あるいは反射電子を検出する検出器１５，２３と、電子線の照射により半導体ウェハから発生するＸ線を検出する検出器３４，３５と、傾斜角度が可変のカラム１６とを備え、試料ステージ２４により、半導体ウェハのエッジの欠陥位置にカラム１６の撮像視野を移動し、カラム１６を傾斜させた状態で、半導体ウェハのエッジに電子線を照射する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ検査において異物や欠陥を見つけた場合に、これら異物等の発生原因を探求するための電子顕微鏡を用いたウェハエッジ観察に関する好適な方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハＷＦを保持する試料ステージ２４と、半導体ウェハに電子線を照射する電子光学系１８〜２２と、当該電子線の照射により得られる二次電子あるいは反射電子を検出する検出器１５，２３と、傾斜可能なカラム１６とを備え、半導体ウェハのエッジ上におけるレシピあるいは位置情報に従って定まる位置に、試料ステージ２４によってカラム８の撮像視野を移動し、半導体ウェハのエッジにカラム１６を傾斜させた状態で電子線を照射して走査電子顕微鏡画像を撮像する。 （もっと読む）

【課題】低プローブ電流であっても、反射電子と二次電子とを弁別検出できる低加速の走査電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】
電子銃２９と、アパ−チャ２６と、試料台３と、電子線３１を試料２上に収束するための電子光学系４−１と、偏向手段１０と、二次電子検出器８、反射電子検出器９と、電子銃２９と試料２の間となる位置に筒状の電子輸送手段５を備え、反射電子検出器９は電子輸送手段５の内部であって、二次電子検出器８及び偏向手段１０よりも電子銃２９に対して遠方側に設置され、反射電子検出器９の感受面９−１は電子輸送手段５と同電位となるように電気的に配線されている。 （もっと読む）

【課題】低段差試料や帯電試料の観察、測定等において、反射荷電粒子信号に基づく画像を形成する際にも、倍率変動や測長誤差によらずに正確な画像を取得する装置、及びコンピュータプログラムを提供する。
【解決手段】二次荷電粒子信号を検出する第１の検出条件と、反射荷電粒子信号を検出する第２の検出条件との間で、荷電粒子線の走査偏向量を補正するように偏向器を制御する装置、及びコンピュータプログラムを提供する。このような構成によれば、検出する荷電粒子信号の変更による倍率変動や測長誤差を補正することが可能となるため、反射荷電粒子信号に基づく画像を正確に取得することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】重い原子及び軽い原子を同時に観察可能な電子顕微鏡像を生成する画像処理の方法を提供する。
【解決手段】方法は、走査透過型電子顕微鏡により試料を撮像した暗視野像であって、走査透過型電子顕微鏡の光軸からの第１角度と、第１角度よりも大きい第２角度との間に散乱した電子を検出して得られた暗視野像を取得し、この暗視野像と共に撮像された明視野像であって、第１角度よりも小さい第３角度以内に散乱した電子を検出して得られた明視野像を取得し、暗視野像の明暗を反転して反転像を生成し、反転像の各画素の輝度と、反転像の各画素に対応する明視野像の画素の輝度との差を、各画素の輝度とする差分像を生成する。 （もっと読む）

【課題】 高アスペクト構造であっても、パターン底部の寸法を高精度に計測できる荷電粒子線装置及び計測方法を提供する。
【解決手段】 アスペクト比の高いパターンが形成された試料のパターン寸法底部を計測する方法において、試料の同一領域に荷電粒子線を第１方向及び第１方向とは逆の第２方向に走査させたときにそれぞれ発生する信号荷電粒子に基づく第１走査像と第２走査像とを比較し、走査像の信号強度が小さい方を真値とし、走査像を再構築し、再構築した走査像を用いて試料に形成されたパターン底部の寸法を計測する。また、その方法を実現する荷電粒子線装置。 （もっと読む）

【課題】本発明では、（ａ）走査（透過）電子顕微鏡において、０.１ｎｍ原子サイズ構造の３次元観察を可能とすること、（ｂ）走査（透過）電子顕微鏡において、試料中の原子の３次元構造と材料の特定を可能とすることを目的とする。
【解決手段】本発明は、０.１ｎｍ原子サイズ構造の３次元観察を可能とするために、球面収差係数が小さい電子レンズシステムを有し、照射角の変更が可能な絞り、電子線プローブのプローブサイズおよび照射角度を変更することが可能な照射電子レンズ系、二次電子検出器、透過電子検出器、前方散乱電子線検出器、フォーカス可変装置、画像のコントラストを識別する画像演算装置、画像鮮鋭度を演算する画像演算装置、画像の３次元構築を行う演算装置、二次電子信号と試料前方散乱電子信号を混合するミキサー、を有する走査透過電子顕微鏡。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エネルギーフィルタのエネルギー分解能を向上することを目的とする荷電粒子線装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、試料から放出される荷電粒子をエネルギーフィルタに向かって偏向する偏向器を備えた荷電粒子線装置において、当該偏向器の複数の偏向条件ごとに、エネルギーフィルタへの印加電圧を変化させたときに得られる輝度値の変化を求め、当該輝度値の変化が所定の条件を満たす偏向条件を、前記偏向器の偏向条件として設定する荷電粒子線装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】電子顕微鏡による試料の構造や特性を観察する方法において、２次電子信号で得られる試料情報の選択性と画質を向上させる。
【解決手段】電子線を用いて試料の構造観察や材料特性を評価するにあたって、断続的に電子線を照射し、断続的な電子線照射下で得られる２次電子の過渡応答の中で、必要な試料情報を反映した２次電子信号を検出時間により選択することで、不要な情報の重畳を防ぎ、高画質な観察を実現する。 （もっと読む）

【課題】気体電界イオン源を用いて試料表面でスポットサイズ１０ｎｍ以下のイオンビームを有する汎用性、長器信頼性に優れたイオン顕微鏡を提供する。
【解決手段】気体と相互作用し、試料表面に10nm以下の寸法のスポットサイズ、1×109A/cm2sr以上の輝度、5×108A/cm2srV以上の還元輝度、5×10-21cm2sr以下のエタンデュ、1×10-16cm2srV以下の還元エタンデュ、を有するイオンビームを発生させることが可能な気体電界イオン源を含むシステムを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、検出器等以外の方向に向かう荷電粒子を高効率に検出可能とする荷電粒子線の照射方法及び荷電粒子線装置の提供を目的とする。
【解決手段】
上記目的を達成するために、試料から放出される荷電粒子の軌道を集束する集束素子を、当該集束素子による集束作用が、試料に向かう荷電粒子線に影響を与えない（或いは影響を抑制可能な）位置に配置した荷電粒子線装置、及び荷電粒子線の照射方法を提案する。集束作用は、試料から放出された電子に選択的に影響し、試料に向かう荷電粒子線への影響を抑制されるため、試料から放出され、検出器等以外の方向に向かう荷電粒子を集束し、検出器等に導くことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】
多層レイヤにおける下層領域やホールパターンの穴底など，試料から十分な信号量が得られにくい領域に対しても高画質である画像を撮像する。
【解決手段】
荷電粒子顕微鏡装置を用いた試料の画像撮像方法であって，前記荷電粒子顕微鏡装置の検出器のゲインを第一のゲイン値に設定して前記試料に対して荷電粒子ビームの走査を行い，第一の画像を取得する第一画像取得ステップと，前記検出器のゲインを前記第一のゲイン値とは異なる第二のゲイン値に設定して前記試料に対して荷電粒子ビームの走査を行い，第二の画像を取得する第二画像取得ステップと，前記第一のゲイン値と前記第二のゲイン値を用いて，前記第一の画像と前記第二の画像を合成する画像合成ステップと、を有することを特徴とする画像撮像方法である。 （もっと読む）

【課題】コントラストを向上させた荷電ビーム装置を提供する。
【解決手段】試料を検査する荷電粒子ビーム装置は、一次荷電粒子ビーム（７）を発生させる荷電粒子ビーム源（５）と、一次荷電粒子ビームを試料（３）上に差し向ける対物レンズ装置（40，45）と、試料から飛び出た二次荷電粒子を加速する減速界型装置と、中央開口（16）を備えていて、二次粒子を検出する少なくとも２つの方位検出器セグメントを含む第１の検出器装置（15，150）とを有し、対物レンズ装置は、試料からの飛び出し角度の異なる粒子が対物レンズと検出器装置との間で試料から実質的に同一距離のところにクロスオーバを呈するよう構成され、対物レンズとクロスオーバ（90）との間に設けられたアパーチュア（100）が検出器装置（15）の中央開口よりも小さい開口を有する。 （もっと読む）

【課題】従来の高真空型荷電粒子顕微鏡の構成を大きく変更することなく、被観察試料を大気雰囲気あるいはガス雰囲気で観察することが可能な荷電粒子線装置ないし荷電粒子顕微鏡を提供する。
【解決手段】真空雰囲気と大気雰囲気（ないしガス雰囲気）を仕切る薄膜を採用する構成の荷電粒子線装置において、上記薄膜を保持でき、かつ内部を大気雰囲気あるいはガス雰囲気に維持可能なアタッチメントを高真空型荷電粒子顕微鏡の真空試料室に挿入して使用する。当該アタッチメントは、上記真空試料室の真空隔壁に真空シールされて固定される。アタッチメント内部をヘリウムや窒素あるいは水蒸気といった大気ガスよりも質量の軽い軽元素ガスで置換することにより、更に画質が向上する。 （もっと読む）