【課題】欠陥周辺に圧痕マーキングを行う際、試料の膜種によらず、一定の条件で行うと、周囲が割れてマーキングや欠陥が見にくくなったり、マーキングが小さすぎて見にくくなるという問題があった。また、パターン付きウェーハではマーキングに適さない方の膜上にマーキングしてしまうという問題があった。
【解決手段】マーキング予定位置を元素分析し、その結果に基づいて、圧子の荷重、下降速度、深さ等の圧痕マーキングの条件を変えることにより、膜種に適したマーキングを行う。また、登録された膜種と断定できない場合、手動設定に切り替えることにより、間違えた条件でマーキングすることを防ぐ。マーキングに適さない材質の場合、マーキングを施さないようにすることもできる。 （もっと読む）

【課題】
一次電子による帯電を抑制し、観察標体から明瞭なエッジコントラストを得て、試料の表面形状を高精度に計測する。
【解決手段】
試料上のイオン液体を含む液状媒体が薄膜状または網膜状である観察標体を用いる。また、この観察標体を用いる電子顕微法において、試料上のイオン液体を含む液状媒体の膜厚を計測する工程と、前記イオン液体を含む液状媒体の膜厚に基づき一次電子の照射条件を制御する工程と、前記一次電子の照射条件で一次電子を照射し前記試料の形態を画像化する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、異なる帯電が混在するが故に、正確な検査，測定が困難になる可能性がある点に鑑み、異なる帯電現象が含まれていたとしても、高精度な検査，測定を可能ならしめる方法、及び装置の提供にある。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、帯電条件の変化を示すフィッティング関数に基づいて、荷電粒子線照射によって得られるパターン寸法を補正する方法、及び装置を提案する。このような構成によれば、特性の異なる帯電現象が混在するような場合であっても、走査荷電粒子線装置による正確な検査，測定を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ステージ動特性はステージの移動可能範囲に対するステージの絶対位置によって変化する。このような特性が障害となってステージの高速かつ高精度な位置決めを実現することは困難であった。
【解決手段】試料が載置されるステージと、現在のステージ位置を計測する位置計測器と、前記位置計測器によって計測された現在のステージ位置と移動目標のステージ位置とを用いて演算することで前記ステージの駆動量を求めるステージ制御演算部と、前記ステージ制御演算部で求められた駆動量に基づいて前記ステージを駆動するステージ駆動部と、を備え、前記ステージ制御演算部は、前記ステージの移動可能な領域に対する前記ステージの位置に応じて前記演算に用いるパラメータを制御する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ検査において異物や欠陥を見つけた場合に、これら異物等の発生原因を探求するための電子顕微鏡を用いたウェハエッジ観察に関する好適な方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハを保持する試料ステージ２４と、半導体ウェハに電子線を照射する電子光学系と、電子線の照射により得られる二次電子あるいは反射電子を検出する検出器１５，２３と、電子線の照射により半導体ウェハから発生するＸ線を検出する検出器３４，３５と、傾斜角度が可変のカラム１６とを備え、試料ステージ２４により、半導体ウェハのエッジの欠陥位置にカラム１６の撮像視野を移動し、カラム１６を傾斜させた状態で、半導体ウェハのエッジに電子線を照射する。 （もっと読む）

【課題】使い勝手良く試料を荷電粒子技術及び光学技術にて的確に検査又は観察することが可能な検査装置、観察装置が提供される。
【解決手段】荷電粒子照射部から放出された一次荷電粒子線が試料に到達する間の少なくとも一部の領域となる真空状態に維持可能な第一空間の少なくとも一部を形成する第一の筐体と、該第一筐体に具備され前記試料を格納可能な第二空間の少なくとも一部を形成する第二筐体と、前記荷電粒子照射部から照射された一次荷電粒子線が試料上に照射する際の前記荷電粒子照射部の同軸上に配置され、前記第一空間と前記第二空間とを隔てる隔壁部と、前記試料に対し光を照射し、前記荷電粒子照射部と同方向から前記試料からの光を検出する光学式観察部と、を備える検査又は観察装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アスペクト比の大きなパターンの測定を実現することが可能な荷電粒子線装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、荷電粒子源から放出された荷電粒子線を試料に走査することによって、当該試料から放出される荷電粒子の検出に基づいて、前記試料の画像を形成する荷電粒子線装置であって、前記試料の高さと、前記試料に対する予備帯電条件を関連付けて記憶する記憶媒体を備えた制御装置を備え、当該制御装置は、所望の試料高さの指定に基づいて、当該指定された試料高さに対応する予備帯電条件による予備帯電を実施する荷電粒子線装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程におけるプロセスマージン評価において、人手による作業負担を軽減すること。
【解決手段】ウェーハ上の観察対象の画像から得られた情報に基づいて前記観察対象の良否を自動的に判定し、判定結果を画面に表示するステップ４０２、観察対象の良否をユーザの指示に基づき修正することが必要な観察対象を判定結果の中から抽出して表示するステップ４０３、抽出して表示された観察対象に対する判定結果をユーザの指示に基づき修正する処理するステップ４０４を実行する。 （もっと読む）

【課題】 電子線照射によってシュリンクするレジストをＣＤ−ＳＥＭで測長する際に、シュリンク前の形状や寸法を高精度に推定する。
【解決手段】 あらかじめ様々なパターンについて、電子線照射前断面形状データと、様々な電子線照射条件で得られる断面形状データ群やＣＤ−ＳＥＭ画像データ群と、それらに基づくモデルを含むシュリンクデータベースを準備し、被測定レジストパターンのＣＤ−ＳＥＭ画像を取得し（Ｓ１０２）、ＣＤ−ＳＥＭ画像とシュリンクデータベースとを照合し（Ｓ１０３）、被測定パターンのシュリンク前の形状や寸法を推定し、出力する（Ｓ１０４）。 （もっと読む）

【課題】
荷電粒子ビームを用いた計測装置ないし検査装置において、検査の高感度と高安定性とを両立する。
【解決手段】
帯電制御電極A４２０の被計測試料ないし検査試料側に帯電制御電極B４２１を設置し，試料の帯電状態に応じて、帯電制御電極Bの帯電制御電極制御部４２３から一定の電圧を与えることにより、検査前に形成した試料表面の帯電状態と電位障壁の変動を抑制する。帯電制御電極制御部６６によりリターディング電位が印加され、試料と同電位に調整される帯電制御電極A４２０の更に下部に帯電制御電極B４２１が設けられることにより、一次電子ビーム19が照射されるウェハ９などの試料から放出された二次電子４０９の試料への戻り量を調整することが可能になり，高感度な検査条件を検査中安定的に維持することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】マルチビームを用いた荷電粒子線装置においてビーム間の結像誤差を補正する簡便な方法を実現する。
【解決手段】複数の一次電子ビームレットの焦点を形成する粒子光学部品６０５に於いて、第１の多孔プレート６１３と第２の多孔プレート６１４の複数の対応する開孔が互いに整列配置されており、第１の開孔６１５の位置における第１の幅Ｗ１を第２の開孔６１５’の位置における第２の幅Ｗ２よりも少なくとも５％大きく形成する。 （もっと読む）

【課題】試料の表面に生じている電荷分布をミクロンオーダーの高分解能で測定することを可能とする。
【解決手段】表面電荷分布を有する試料を荷電粒子ビームで走査し、試料の表面電荷分布を測定する表面電荷分布測定方法。装置の構成に基づいて試料の表面電荷分布モデルを設定するモデル設定工程と、起点の時点から次点の時点までの時間間隔を設定して荷電粒子ビームの軌道を算出する軌道計算工程と、試料の表面電荷分布の実測値を求める実測工程と、軌道計算工程において算出された電子軌道計算データを、実測工程における実測値と照合する照合工程と、照合工程において電子軌道計算データと実測値との誤差が所定の範囲内であれば表面電荷分布モデルを実際の表面電荷分布として採用する判定工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、設計データ、或いはシミュレーション画像に基づいて、実画像に近いパターンを形成する画像処理装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、半導体素子の設計データに基づいて、荷電粒子線装置の動作条件を設定する画像処理部を備えた画像処理装置であって、荷電粒子線装置の装置条件情報，パターンの種類、及びパターンの部位毎のパターン情報の複数の組み合わせを記憶するライブラリにアクセスし、装置条件、及びパターンの種類の選択に基づいて、パターンの部位毎のパターン情報を用いた各部位の合成画像を形成する画像処理装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】電子線照射によって表面が帯電した場合でも、パターン寸法を高精度で計測することができる。
【解決手段】電子線源およびビーム偏向機構と、被測定基板上の規定の位置に規定量の電子を走査して照射し、基板表面から放出された二次電子を検出器で検出する機構と、検出器に入った電子の個数から二次電子画像を構成する機構とを有する装置であって、連続的に取得した画像の差分情報をもとに帯電の影響による計測値の変動を補正する手段を備えることを特徴とするパターン計測装置。 （もっと読む）

【課題】気体電界イオン源を用いて試料表面でスポットサイズ１０ｎｍ以下のイオンビームを有する汎用性、長器信頼性に優れたイオン顕微鏡を実現する。
【解決手段】イオン源の導電性電極先端１８６の材料と形状を最適化して表面に三量体の原子層を形成し、極低温状体で動作させることにより気体ヘリウムとのイオン化効率を向上する。試料からオージェ電子、二次イオン、二次中性粒子、一次中性粒子、散乱イオン及び光子等の追加の粒子を検出することにより試料についての情報を決定するように構成する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で放電を防止し、良好な画像を高い検出効率で得る。
【解決手段】シンチレーター２１をフォトマルチプライヤー２３の入射側面２３ａに、電子をシンチレーター２１に引き込むシンチレーターキャップ２２をシンチレーター２１の周囲に配置する。フォトマルチプライヤー２３はその周囲に真空シールを設け、試料室に配置する。シンチレーターキャップ２２とフォトマルチプライヤー２３との間には不透明素材からなる絶縁部材２５を配置し、絶縁部材２５はシンチレーターキャップ２２とフォトマルチプライヤー２３を絶縁すると共に、フォトマルチプライヤー２３の側周部２３ｂを覆いフォトマルチプライヤー２３への光の入射を防止する。シンチレーター２１とフォトマルチプライヤー２３の入射側面２３ａとの間には、光学顕微鏡の照明光を遮断するバンドフィルター２７を配置し、光学顕微鏡との同時観察を可能とする。 （もっと読む）

【課題】ロンチグラム法の簡易性を備えながら、反射・二次電子走査像を利用するＳＥＭにおいても適用可能な、また特別に撮影用の検出器を必要としない収差測定法、或いは収差測定に供する収差情報の取得方法を提供する。
【解決手段】走査像を得る為のビーム走査を、通常対物レンズ直上に置かれる走査コイルで行うのではなく、収差被測定レンズである収差補正器ならびに対物レンズ上方置かれた走査コイルによって行うことによって、収差被測定レンズの持つ収差を反映した歪走査を試料面上で行い、これによって発生する散乱電子線、透過電位線、もしくは反射・二次電子線から走査像を形成することで、従来のロンチグラムと等価な収差情報パターンを、走査型で得られる手段を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】試料の表面に生じている電荷分布をミクロンオーダーの高分解能で測定することを可能とする。
【解決手段】試料２３の表面電荷分布の測定方法。試料２３をスポット状に帯電する帯電工程と、電位鞍点の電位の実測値を求める工程と、構造体モデルとそれに対応する仮の空間電荷分布とを選択する工程と、構造体モデルと仮の空間電荷分布から電位鞍点の空間電位ポテンシャルを算出する工程と、空間電位ポテンシャルと実測値とを比較し、誤差が所定の範囲内であるとき仮の空間電荷分布を試料２３の空間電荷分布であると判定する工程と、判定された空間電位分布に基づき電磁場解析により試料２３の表面電荷分布を算出する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、荷電粒子線の照射によって誘起される試料の電位変化を抑制しつつ、荷電粒子線を用いた試料表面の電位測定、或いは試料帯電によって変化する装置条件の変動の補償値を検出する方法、及び装置の提供にある。
【解決手段】上記目的を達成するために、荷電粒子線を試料に向けて照射している状態において、当該荷電粒子線が試料へ到達しない状態（以下ミラー状態と称することもある）となるように、試料に電圧を印加し、そのときに得られる信号を用いて、試料電位に関する情報を検出する方法、及び装置を提供する。 （もっと読む）