【課題】パルスビームを高周波化できるとともに、パルスビームの最大値や最小値の値を任意にコントロールでき、品質の高い溶接を可能にする電子ビーム加工機を得ることである。
【解決手段】電子銃の陰極とバイアス電極間に電圧を印加して電子ビームを制御するバイアス電源が、直列に接続された、高安定電源と高応答電源とで形成されており、高安定電源が、ビーム電流を計測する電流検出回路から出力されたビーム電流信号に基づき、ビーム電流をフィートバック制御する電圧を出力し、高応答電源が、パルス信号発生器で発生したパルス基準信号により制御されたパルス電圧を出力するものである。 （もっと読む）

【課題】
試料へのダメージが少なく加工効率に優れたイオンミリング装置、更には平面加工および断面加工にも柔軟に対応できる処理能力の高い装置を提供する。
【解決手段】
個別に制御可能な複数のイオン銃3を一つ試料室5に設け、このイオン銃3に対応して複数の試料1を試料ステージ8に設置する。複数のイオン銃3および試料ステージ8は制御装置９によって個別に制御可能であり、複数のイオン銃3を同時に作動させ、試料ステージ8をスイング又は傾斜・回転するすることで、複数の試料を同時に平面加工もしくは断面加工する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、上記の問題点を鑑み、材料やイオンビーム照射角度に依存しない加工をする手法を提供することを目的としている。
【解決手段】上記目的を達成するために、本発明は、イオンビームを試料に照射して試料を加工する加工装置において、前記イオンビームに対し、試料を回転傾斜させる試料傾斜回転機構を備え、当該試料回転機構は、試料をイオンビームに対し回転させる回転軸と、当該回転軸に対して直行し、前記試料をイオンビームに対して傾斜させる傾斜軸を備え、前記試料の回転と傾斜を同時に行うことを特徴とする加工装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ノズルが動くのを抑制し、安定した適切なサイズ分布のクラスターイオンビームを得、かつクラスターイオンビーム電流を多く取れるように真空中で調整可能にする。
【解決手段】クラスター生成室１とビーム制御室２との間に配置されるスキマー７をＸＹステージ１０ａにプレート８を介して搭載し、スキマー７の位置をマイクロメータ１０ｂ，１０ｃで調整する。マイクロメータ１０ｂ，１０ｃは、真空チャンバー４０の外部に露出して配置されており、真空チャンバー４０の真空度を保持した状態でマイクロメータ１０ｂ，１０ｃを操作することができる。 （もっと読む）

【課題】イオン源の条件を変えた場合でも、均一ビーム照射が可能なイオンミリング装置を提供することにある。
【解決手段】高周波イオン源から引き出されたイオンビーム９を基板１２に照射せしめることによりイオンビームによる基板の微細加工を行わせる。複数のファラデーカップ２０は、複数の試料基板１２を乗せた円板状試料ホルダ１１の半径方向に一列に並べて配置され、イオンビーム電流を測定する。電流積算器１６は、各ファラデーカップの電流値を時間的に積算する。高周波電源５は、高周波イオン源のコイルに高周波電力を供給するとともに、その高周波電力値が可変である。電力調整器１９は、複数のファラデーカップを２つの群の領域に分け、かつそれぞれの群の積算値の平均値の差に基づいて高周波電源からコイル４に供給する高周波電力を調整する。表示装置１７には、電流積算器により算出された電流積算値が表示される。 （もっと読む）

【課題】被加工物に照射される荷電粒子ビームの照射ドーズ量を高精度に制御することが可能な荷電粒子ビーム加工技術を提供する。
【解決手段】ガスクラスターイオンビーム８を被加工物１１に照射して加工を行うガスクラスターイオンビーム加工装置Ｍ１において、ガスクラスターイオンビーム８を整形するアパーチャ１０の上流側に、加工中に被加工物１１と同時にガスクラスターイオンビーム８が照射される電流計測部９を配置し、加工中に実時間で、ガスクラスターイオンビーム８の電流値を計測して累積ドーズ量を把握し、目的の照射ドーズ量となるように照射時間を制御する。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク媒体に形成する微細パターンの描画が高速、高精度に、かつ近接効果補正が簡易に行え、基板全体で一定のドーズ量で描画可能とする。
【解決手段】レジスト11が塗布された基板10上に電子ビームEBを走査して、微細パターン12のエレメント13の形状を描画する際に、描画データに基づき、基板10の所定回転位置でオン信号により電子ビームを照射し、その回転に追従して回転方向に描画し、オフ信号で描画を停止するオン・オフ制御で１周分を描画した後、ビーム照射位置を半径方向に移動させてオン・オフ制御による描画を繰り返すもので、エレメント配置の疎密程度に応じ、密配置部のエレメント描画では、オン・オフ制御のオン時間を、疎配置部の同一エレメント描画でのオン時間より短く設定してドーズ量を調整し、近接効果補正を行う。 （もっと読む）

気体混合物中の複数のプロセス気体から形成されるガス・クラスター・イオン・ビームを制御する方法および装置。本方法および装置は、気体分析器（３０８、３６０、４１４、５０２、５５２）で気体混合物の組成に関係する気体分析データを測定し、検出されたパラメータに応じて作業対象物（１５２）の照射を修正することに関わる。気体分析データは、気体ソース（２３０、２３２）からガス・クラスター・イオン・ビーム装置（３００、３５０、４００、５００、５５０）に流れる気体混合物の組成のサンプルから、あるいはガス・クラスター・イオン・ビーム装置（３００、３５０、４００、５００、５５０）の真空容器（１０２）内の残留気体のサンプルから導出できる。

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【課題】電子部品の断面を観察するための技術において、同一のイオン源から引き出したイオンビームを用いて、試料を加工し、試料の被加工部分の観察を可能にするイオンビーム加工・観察技術を提供する。
【解決手段】試料を加工するガスイオンビーム種と試料を観察するときのガスイオンビーム種を切り替えることが可能である装置とする。試料加工時のガスイオンビーム種と試料観察時のガスイオンビーム種との切り替えを実現するためのイオン源として、ガスボンベ５３、５４、ガス配管、ガス量調整バルブ５９、６０およびストップバルブ５７、５８とを備えた導入系統を少なくとも２系統備え、各々のガス系統において各々のガス量調整バルブにより真空容器内のガス圧力条件を各々設定でき、各々のガス系統のストップバルブの操作により真空容器内に導入するガスを切り替えることが可能であるイオン源とする。 （もっと読む）

【課題】試料を自動で平面に加工することができる荷電粒子ビーム装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビームを試料に照射する荷電粒子ビーム照射手段と、荷電粒子ビームを照射された試料から発生する二次荷電粒子を検出する検出手段と、前記検出手段によって検出された二次荷電粒子に基づいて荷電粒子像を形成する画像表示手段と、前記荷電粒子像において所望の加工領域を選択し、前記加工領域において、荷電粒子ビームを照射する各単位照射領域における輝度を取得し、前記輝度に応じて各単位照射領域に照射する荷電粒子ビームの照射時間を決定し、各単位照射領域に対する照射時間を規定した加工データを設定する画像表示及び加工設定手段と、前記加工データにしたがって前記荷電粒子ビーム照射手段を制御し、荷電粒子ビームを前記試料に照射させるビーム走査制御手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】３次元形状の被処理物に対しても処理温度を制御することにより、良好な処理面が得られる電子ビーム表面処理装置およびその処理方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム表面処理装置が、電子ビームを発生する電子ビーム発生手段と、電子ビームを収束する電子ビーム収束手段と、収束された電子ビームを偏向して被処理物上で走査させる電子ビーム偏向手段と、電子ビーム発生手段、電子ビーム収束手段、および電子ビーム偏向手段に接続され、これらの手段を制御する制御手段と、制御手段に接続されたシミュレータと、被処理物の情報を記憶する記憶手段とを含み、シミュレータは、記憶手段に記憶された被処理物の情報を用いて、表面処理中の被処理物の温度分布を計算し、制御手段は、温度分布に基づいて選択された電子ビーム照射条件を用いて、電子ビーム発生手段、電子ビーム収束手段、および電子ビーム偏向手段を制御する。 （もっと読む）

【課題】電子部品などの大断面加工においても、加工精度を確保しつつ効率良く観察し、加工することが可能な集束イオンビーム装置、及び、試料の加工方法を提供する。
【解決手段】集束イオンビーム装置１は、試料Ｍを載置する試料台２と、イオンビームＩ１、Ｉ２、Ｉ３となるイオンを発生させる複数のイオン源２４、イオン源２４との間に印加された電圧によってイオン源２４からイオンビームＩ１、Ｉ２、Ｉ３を引き出す引出電極２５、及び、引出電極２５と複数のイオン源２４のそれぞれとの間に独立して電圧を印加可能な電源部とを有するイオンビーム放出手段４と、イオンビーム放出手段４から放出された複数のイオンビームＩ１、Ｉ２、Ｉ３を試料Ｍ上で集束させることが可能なイオンビーム光学系５とを備える。 （もっと読む）

【課題】高精度の加工を短時間で行うことが可能となるイオンビーム加工方法及び加工装置を提供する。
【解決手段】被加工物１００８にイオンビーム１００３を照射して該被加工物を加工するに際し、該被加工物に対する測定形状と設定形状との差によって予め求められた加工量に応じ、該被加工物に照射する時間を制御して加工する際、つぎのように加工する。
前記イオンビームを、加工を必要とする位置でのみ照射する間欠照射によって加工する。この間欠照射手段として、例えば、前記イオンビームの前記被加工物に対する照射のＯＮ／ＯＦＦを可能とした機械的シャッター１００４を構成する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、電子源から放出されて加速された電子ビームを物質に照射した状態でスキャンして加熱し、対向して配置した基板上に当該物質を蒸着させる電子源装置におけるスキャン方法および電子源装置に関し、画面上で電子ビームのスキャン波形の１点を指定すると当該１点をもとにスキャン波形を作成したり、作成したスキャン波形が所望でないときは当該スキャン波形の１点を指定すると当該１点をもとにスキャン波形に部分修正を施し、顧客が簡易に試料（材料）の溶けあとが可及的に平坦で有効利用されるように調整可能にすることを目的とする。
【構成】 画面上でスキャンしようとするスキャン波形の１点が指定されると、当該１点をもとにスキャン波形を生成するステップと、生成したスキャン波形を波形発生器に送信してスキャン波形で電子ビームを物質に照射した状態でスキャンして加熱させるステップとを有する電子源装置におけるスキャン方法である。 （もっと読む）

【課題】電子銃内のplasmaの継続中に、カソードからターゲットに電子ビームパルスを複数回発射する電源装置を提供し、単位電子ビームパルスの波形、相互の時間間隔を可変にして群パルスを作り、表面改質効果ならびに品質を改善する。
【解決手段】低圧電離気体のプラズマが封入されている電子銃のカソードからターゲットに電子ビームを発射する高圧電源回路をコンデンサ充放電形式とし、そのコンデンサを複数、独立に備え、予め充電し、第一のコンデンサを放電させて第一の単位電子ビームパルスを発射し、遅延時間をおいて第二のコンデンサを放電させて第二の単位電子ビームパルスを発射し、さらにこれを続けて断続した複数個の単位電子ビームパルスによる群パルスを形成させてターゲットに照射する。各単位パルスの大きさと遅延時間を選択可能としてターゲット表面の熱作用モードを最適化する。 （もっと読む）

【課題】真空中での溶解、溶接、加工、および蒸着等に用いられる電子源において、電子銃のビームパワーを急速に変化させる。
【解決手段】フィラメントカソード１とブロックカソード２との間に第1の電圧を印加し、ブロックカソード２とアノード３との間に第２の電圧を印加する。第1の閉ループ調整システム８，７を使用してフィラメントカソード１を定電流値に調整することによって、ブロックカソード２の最大ビームパワーに十分なフィラメント温度にする。瞬時ブロック電力値と公称ブロック電力値との間の差に反応するブロック電力調整器１３等を含む第2の閉ループ調整システム１７、１３、１２が、フィラメントカソード１とブロックカソード２との間の電圧を調整する。 （もっと読む）

高密度の電子及びプラズマのビームを発生し、加速し、伝播する装置及びプロセスであって、装置は、ガスを含んだ第１絶縁チューブと、第１絶縁チューブに気密に接続された中空のカソードと、中空のカソードに気密に接続され、溶着室内に突出して溶着室に接続された第２絶縁チューブと、第２絶縁チューブの回りに中間に位置して配置されたアノードと、カソード及びアノードに電圧を印加する手段と、溶着室からガスを排出する手段と、第１絶縁チューブ内にてガスをプラズマに自発的に転換する手段とを備える。 （もっと読む）

イオナイザーからガスジェット発生器に向かうイオンの後方抽出を防止するため、シールド用コンダクターと、別個のコンポーネント電気バイアスを利用することでイオナイザーの近辺で発生する過渡現象の頻度を減少させて高電流ガスクラスターイオンビームシステムのビーム安定性を向上させる装置と方法。 （もっと読む）

この発明は、イオンビームに対向して基板を配置して、新たな技術的に規定される特性パターンを形成する、表面をイオンビーム加工するための方法及び装置に関する。この方法では、その時々の基板（８）の表面（１５）上におけるイオンビームの幾何学的な作用パターンを、周知の特性パターン及び新たな技術的に規定される特性パターンに応じて、並びに加工の進捗に応じて、ビーム特性を変化させるか、イオンビームをパルス化するか、或いはその両方を実施することによって調節する。この装置は、Ｙ軸（４）とＸ軸（６）に対して動かすことができる、少なくとも一つの基板（８）を保持するための基板支持体と、基板（８）の加工する表面（１５）に対して垂直なＺ軸（１１）内に有るか、Ｚ軸に対して傾いた軸内に配置することができる、イオンビームを生成するためのイオンビーム源（１）とを有する。イオンビーム源（１）と基板（８）の加工する表面（１５）との間隔を、固定とするか、或いは可変とすることができる。
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本発明は、液体金属イオン源を制御する為のシステム及び方法を提供し、液体金属イオン源は、先端、第１電極、第２電極を備え、上記方法は、（ｉ）第１電圧レベルの範囲内で第１電極を維持し、第２電圧レベルの範囲内で第２電極を維持し、液体金属イオン源のアクティブモード動作中、液体金属イオン源の先端に形成される金属イオンを抽出するステップ、（ｉｉ）第３電圧レベルの範囲内で第１電極を維持し、第４電圧レベルの範囲内で第２電極を維持し、液体金属イオン源のアイドルモード動作中、先端からの金属イオンの抽出をかなり減少させるステップを含む。第３電圧レベルの範囲と、代替え的あるいは追加的に、第４電圧レベルの範囲は、ゼロ電圧レベルを含まない。第１電圧レベルの範囲は、第３電圧レベルの範囲とは異なる。
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