説明

Fターム[5C034AB09]の内容

荷電粒子線装置 (3,257) | 粒子線装置の制御系 (132) | その他 (10)

Fターム[5C034AB09]に分類される特許

1 - 10 / 10


【課題】 オペレータによる目視に基づく操作を行うことなく、自動的に、初期設定した大きさの断面の電子ビームを蒸発材料表面上に照射することが出来るようにする。
【解決手段】 蒸発材料3を収容した坩堝4と基板6が設けられたチャンバー1、及び、電子銃7、集束レンズ8、9、走査コイル11が設けられた鏡筒2を備えており、温度検出器18が取り付けられたアパーチャ10を集束レンズ8による電子ビーム集束位置の近傍に配置し、温度検出器18からのアパーチャ温度信号値を基準値と比較し、その差分を制御装置13に送る演算回路19を設け、制御装置13からの指令により集束レンズ8の集束作用をコントロールする様に成している。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成で、加工対象物を広範囲でかつ適切に加工することが可能なビーム加工装置を提供すること。
【解決手段】ビーム加工装置は、ワークの加工を行うためのビームを出射するビーム出射源3と、ビーム出射源3から出射されたビームが通過するビーム通過路8を有する真空チャンバー4と、ビーム通過路8に連通しビーム通過路8を通過したビームが通過する通過空間20およびワークに向けてビームを出射する出射孔17aを有する局所真空チャンバー9と、ワークに照射されるビームの焦点を調整するために出射孔17aの下方に配置される被照射部材35を有する焦点調整手段7とを備えている。このビーム加工装置1は、ビームを用いて真空チャンバー4および局所真空チャンバー9の外部の大気圧中に少なくとも一部が配置されるワークの加工を行う。 (もっと読む)


【課題】炭化水素ガスやW(CO)6等のガスを導入を積極的にメインチャンバー中に導入し、SEM解析と同時に、SEM解析に用いる電子ビームを用いてマーカーとしての堆積物を試料に堆積させる場合には精密にガス流量を制御する必要があり、差動排気システム等を導入する必要が生じる。メインチャンバー内部に複雑な構成を備えるため、真空系の内壁面積が増加する。そのため、脱ガスの量が増加し、到達真空度の低下を招くという課題がある。
【解決手段】メインチャンバー8内部に、炭化水素ガスの分圧よりも高い分圧を維持しうるフッ素系の揮発ガス35を放出するマーキング源6を導入する。フッ素は通常雰囲気内には含まれず、また検出感度が高い物質である。そのため、高いコントラストを有するマーカー3を形成可能なマーキング装置100を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】ライン加工においてある程度の深さまで加工すると、更に加工時間を掛けても進まないことに鑑み、ライン状の溝加工で、適切に溝の深さが制御でき、かつ、高速で行うことができる加工装置を提供する。
【解決手段】ラインの必要な深さの加工を加工時間が最小となるように、ライン幅とライン深さを計算して求め加工の設定値として加工する。また、実際にビームが照射される領域を集束イオンビーム走査像と重畳して画面上に表示して加工する。試料表面に対して傾斜したイオンビームの場合にもビームに対する試料の傾斜を考慮して、実際にビームが照射される領域を表示して加工する。 (もっと読む)


【課題】0.1mm以下の微小領域を局所的に加熱して微小領域を溶融接合することができる電子線溶融装置を提供する。
【解決手段】電子ビームを発生して走査する電子線集束偏向部1と、被加工物を保持して移動可能なステージ8と、ステージ8を収容する加工室2と、電子ビーム照射点で発生する二次電子または反射電子を検出するための検出器10とを備え、電子線集束偏向部1により、被加工物の所望の位置に電子ビームを照射し、被加工物を溶融接合する。 (もっと読む)


【課題】収差を軽減して試料に荷電粒子ビームを照射可能であるとともに、試料の表面にガスを導入する場合などでも、放電のおそれ無く荷電粒子ビームを照射することが可能な荷電粒子ビーム装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビーム装置1は、荷電粒子ビームIを放出する荷電粒子源9と、荷電粒子ビームIを補正、偏向する補正・偏向手段19、及び、二つの外側電極16a、16bと、外側電極16a、16bに挟み込まれた少なくとも一つの中間電極16cとが、照射方向に配列して構成され、荷電粒子ビームIを集束させて試料Mに照射させる対物レンズ16を有する荷電粒子ビーム光学系11と、荷電粒子ビーム光学系11の対物レンズ16の中間電極16cに、外側電極16a、16bに対して正負いずれかの電位差が生じるように電圧を切り替えて印加することが可能な対物レンズ制御電源36とを備える。 (もっと読む)


【課題】 1つの装置でウエーハと微小サンプルの両方を扱えるようにし、一連のウエーハ、微小サンプルの加工、高解像度の分析等の処理を簡単にする。
【解決手段】 イオンビーム3は収束、走査偏向され、微小サンプル5上の所望の微小領域に照射される。照射された部分はスパッタ、除去される。このエッチング加工処理により、サンプルに穴あけ加工、切断加工、薄膜化加工を行うことができる。電子ビーム4は収束、走査偏向され、微小サンプル5の上の所望の微小領域に照射される。微小サンプル用ホルダ7に保持・搭載された微小サンプル5に照射するイオンビームや電子ビームは、ウエーハ6やウエーハホルダ9上に搭載した微小サンプル10に照射する場合よりも、対物レンズとサンプルとの距離であるワーキングディスタンス(WD)を短くできるため、より細く収束することができる。従って、加工、観察、分析をより高解像度に行うことができるという利点がある。 (もっと読む)


【課題】基板から試料を抽出するための効率的な方法。
【解決手段】集束イオンビームのようなビームを使って複数回の重なり合う切り込みを入れて試料のまわりに溝を作り、次いで当該試料の下を切って切り離す。切り込みの側壁が垂直でないため、重なり合う切り込みは以前の切り込みによって形成された傾きのある側壁上に入射する。大きな入射角のため、切削スピードが大幅に向上し、複数回の重なり合う切り込みを行って広い溝を生成することに必要な時間は、試料の周に沿って単一の深い切り込みを入れるよりも短くできる。 (もっと読む)


【課題】 100nmよりも小さなサイズの散乱体をプローブの尖った先端(尖端)に固定することができる散乱型近接場光プローブの製造方法を提供する。
【解決手段】 プローブ尖端部11を含むプローブ本体12に金属薄膜13を形成し、対向電極41を配置し、金属微粒子14および粒子固定化剤を含んだ泳動液体Lを、プローブ尖端部11と対向電極41との双方に接触し、プローブ本体12の金属薄膜13と対向電極41との間に電圧を印加して、誘電泳動または/および電気泳動により金属微粒子14をプローブ尖端部11に引き寄せるとともに、粒子固定化剤により形成される固定化膜15で覆うことにより金属微粒子を固定する。 (もっと読む)


この発明は、イオンビームに対向して基板を配置して、新たな技術的に規定される特性パターンを形成する、表面をイオンビーム加工するための方法及び装置に関する。この方法では、その時々の基板(8)の表面(15)上におけるイオンビームの幾何学的な作用パターンを、周知の特性パターン及び新たな技術的に規定される特性パターンに応じて、並びに加工の進捗に応じて、ビーム特性を変化させるか、イオンビームをパルス化するか、或いはその両方を実施することによって調節する。この装置は、Y軸(4)とX軸(6)に対して動かすことができる、少なくとも一つの基板(8)を保持するための基板支持体と、基板(8)の加工する表面(15)に対して垂直なZ軸(11)内に有るか、Z軸に対して傾いた軸内に配置することができる、イオンビームを生成するためのイオンビーム源(1)とを有する。イオンビーム源(1)と基板(8)の加工する表面(15)との間隔を、固定とするか、或いは可変とすることができる。
(もっと読む)


1 - 10 / 10