【課題】改善されたイオンビームにより基板を加工するための方法、及び基板を加工するためのイオンビーム装置を提供する。
【解決手段】本発明は、イオンビーム装置(1) のイオンビーム源(1.1) によって発生し、基板(2) を加工するために基板(2) の表面(2.1) を向いたイオンビーム(I) により基板(2) を加工するための方法に関する。イオンビーム(I) は、炭素含有材料から少なくとも部分的に形成されたオリフィス板(1.3) によって導かれる。本発明によれば、炭素と反応する遊離体(E) が、イオンビーム(I) によってオリフィス板(1.3) から放出された炭素が酸化するように方向性のある流れでオリフィス板(1.3) と基板(2) との間に導かれる。 （もっと読む）

【課題】表面が任意の初期形状の被加工物でも表面を平坦に加工できるイオンミリング装置を提供する。
【解決手段】イオンビーム源１０として第１イオンガン１１と、第２イオンガン１２と、を備え、第１イオンガン１１を制御する第１制御部２９ａと、第２イオンガン１２を制御する第２制御部２９ｂと、イオンビームが照射される位置に基板１４を搭載し回転する基板ホルダー３５と、を備え第１イオンガン１１は、第１イオンガン１１の中心軸Ｃ１が基板ホルダー３５の中心を通る位置に配置され、第２イオンガン１２は、第１イオンガン１１と同じ方向にイオンビームが出射され、かつ第２イオンガン１２の中心軸Ｃ２が基板ホルダー３５の中心から偏心した位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】試料冷却温度とステージ停止位置精度を保ったまま、ステージ移動可能な範囲を広げることができる試料冷却装置を提供する。
【解決手段】真空に維持される試料室と、試料室内に配置される移動ステージと、移動ステージ上に熱的に遮断された状態で取り付けられた試料ホルダ固定台と、前記試料ホルダ固定台上に脱着可能に装着され、試料を保持するための試料ホルダと、移動ステージと周囲の試料室の側壁の間に設けられ、試料を冷却するための冷媒を収容する冷却槽と、前記冷却槽に収容された冷媒と前記試料ホルダ固定台との間で熱交換するための冷熱伝導体と、冷却槽に収容された冷媒を冷却する冷却装置とを備え、前記冷熱伝導体は、試料ホルダ固定台に固定された一端と、自由端である他端を有し、その自由端が冷却槽の開口部を介して冷媒内に浸漬され、前記移動ステージの移動と共に、自由端が冷媒に浸漬されつつ前記開口部内で移動されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、小型化を図ることのできるシャッター装置を提供すること。
【解決手段】シャッター装置１は、振動子と該振動子の質量を変化させる質量変化手段との間に設けられ、質量変化手段による振動子の質量変化を許容する開状態と阻止する閉状態とを切り替えることができる。このようなシャッター装置１は、駆動軸４１と、予圧を持って駆動軸４１に保持された移動体４２と、駆動軸４１をその軸方向に振動させる圧電素子４３とを有するアクチュエーター４と、移動体４２に支持され、移動体４２の移動方向に延在する長尺状のシャッター部２とを有している。駆動軸４１は、移動体４２と摺動する領域において、移動体４２との間の摩擦力が基端側よりも先端側の方が小さくなるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で確実にステージ上におけるマスクの微小スリップを検出可能とするとともに、検出されたスリップ量に基づいて荷電粒子ビームの補正を行うことができる荷電粒子ビーム描画装置及びマスクの微小スリップ検出方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビームＢの偏向を制御して、かつ自在にステージを制御して任意の原画パターンをマスク上に描画するための描画動作を制御するための制御計算機３１を備える電子ビーム描画装置１であって、電子ビームＢによってパターンが描画されるマスクＭと、マスクＭを３点支持部材６４にて支持するマスク保持機構６２と、マスク保持機構６２及びマスクＭを水平方向に加速移動させるステージ６１と、電子ビームで描画される表面に対するマスク裏面とマスク保持機構６２との間に設置され、マスクＭの微小スリップの有無を検出する原子間力顕微鏡６５とを備える。 （もっと読む）

【課題】試料表面とマーク表面との高低差に依存するビーム照射位置のずれを抑え、パターンの描画精度を向上させる。
【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置１は、ステージ１１上の試料Ｗに対して荷電粒子ビームによる描画を行う描画部２と、ステージ１１上に位置して高さが異なる複数のマークＭ１〜Ｍ４と、マークＭ１〜Ｍ４に対するビームの照射によりマーク表面でのビームの照射位置を検出する照射位置検出器１２と、その照射位置検出器１２により検出された照射位置に応じてマーク表面でのビームのドリフト量を算出するドリフト量算出部３５と、そのドリフト量算出部３５により算出された少なくとも二つのマーク表面でのドリフト量を用いて試料表面でのドリフト量を求めるドリフト量処理部３６と、そのドリフト量処理部３６により求められた試料表面でのドリフト量を用いてビームの照射位置を補正する描画制御部３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビームリソグラフィシステム、及びターゲットの荷電粒子ビーム露光のために最適化されたターゲット位置決め装置を使用する動作方法を提供する。
【解決手段】ターゲット３上に荷電粒子ビーム２を投影するための真空チャンバ５０に配置され、荷電粒子ビーム２を偏向方向に偏向させるための偏向手段を有する荷電粒子光学カラム４と、ターゲット３を保持するためのキャリア及び偏向方向とは異なる第１の方向に沿ってキャリアを保持し移動させるためのステージ５２を有するターゲット位置決め装置５と、を具備し、このターゲット位置決め装置５は、荷電粒子光学カラム４に対する第１の方向にステージ５２を移動させるための第１のアクチュエータ５３を有し、キャリアは、ステージ５２に移動可能に配置されており、ターゲット位置決め装置５は、第１の相対位置にステージ５２に対してキャリアを保持するための保持手段を有する。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内の温度測定中のバッテリ切れをなくすとともに、実際の描画処理と同様の状況下での測定を可能とし、かつ各チャンバ内の温度調整を精度良く行うことが可能な温度調整用マスク及び荷電粒子ビーム描画装置の温度調整方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置１を構成するチャンバ内の温度を測定する温度測定装置１１と、温度測定装置１１を収納する筐体１２と、筐体１２の互いに対向する辺に配置される複数のバッテリ１３，１４と、温度測定装置１１が測定した温度測定データを送出するデータ送出部１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】光学鏡筒に対する磁場遮蔽とフットプリントとの両立に有利な描画装置を提供する。
【解決手段】この描画装置１は、荷電粒子線で基板５に描画を行う描画装置であり、基板５に対して荷電粒子線を射出する光学鏡筒３と、基板５を保持し、光学鏡筒３の軸に対して少なくとも垂直な方向に可動とするステージ６と、検出器１３と、ステージ６の側面に対向するように検出器１３を支持する支持部１４とを含み、ステージ６の位置を計測するための検出部と、ステージ６に設けられ、ステージ６の上面に対向する光学鏡筒３の開口を磁場から遮蔽する磁気遮蔽部１２とを備える。ここで、磁気遮蔽部１２は、軸の方向にて検出部とは重ならないような配置でステージ６に備えられている。 （もっと読む）

【課題】試料交換回数を減らし装置の稼動率を向上することで、試料作製の経済性を向上したイオンビームエッチング装置を実現する。
【解決手段】試料テーブル１００は、試料１０４を取りつける受容機構１０６とマスク１０５及び、少なくとも１つの位置決めユニット１０１、１０２、１０３を備えている。試料１０４はマスク１０５に対して相対的に位置決め可能である。試料テーブル１００は、１つの試料１０４がイオンビームにさらされている間、残りの位置決めユニット１０１、１０２、１０３がイオンビームから回避される様に配置し、回転機構により試料１０４を順次エッチング加工する事ができる。 （もっと読む）

【課題】イオンビームの照射を受けて遮蔽板が高温度となって遮蔽板の支持部材に熱膨張が発生して遮蔽板が移動しても、良好な断面試料を作製する試料作製装置を提供する。
【解決手段】遮蔽板を試料の一部が露出しその他が遮蔽されるように配置し、遮蔽板と試料６の露出部分に跨るようにイオンビームを試料６に照射することにより、試料６の露出部分をエッチングして試料断面を作製する試料作製装置であって、遮蔽板ステージ９と、前記遮蔽板ステージ９により基端部を支持され、先端側が自由端となされた支持部材と、前記支持部材の先端側に支持された遮蔽板とを備え、前記支持部材は、前記遮蔽板の前記支持部材の基端側に向かう一側縁が前記イオンビームの照射位置となるように該遮蔽板を保持し、この遮蔽板により前記イオンビームが遮蔽される位置に設置された前記試料の該遮蔽板の一側縁から露出した箇所への前記イオンビームによる加工を行わせるようにした。 （もっと読む）

【課題】断面試料作製時に、ボイド、異種物質由来の凹凸の発生を抑え、観察／分析に好適な試料断面を作製する。
【解決手段】イオンビーム２の光軸（Ｚ軸）に対し試料３をチルト振動させて、試料３の加工面３ａが傾斜軸方向（Ｙ軸方向）に向いた面状態と、その面状態から加工面３ａの試料台側部分が加工面３ａのマスク側部分よりも傾斜軸方向（Ｙ軸方向）に突出したチルト面状態との間での、試料３の加工面３ａの傾斜及び傾斜回復を繰り返すことにより、加工面３ａにイオンビーム２が低角度照射し、ボイド６１、異種物質６２由来の凹凸６３を抑える。 （もっと読む）

【課題】 イオンビームを試料に照射してミリングを行う際、試料におけるイオンビームの照射面を直接冷却することができるイオンミリング装置とイオンミリング方法とを提供する。
【解決手段】試料Sが設置される試料台1と、試料Sに照射するイオンビームを発生させるイオン源2と、試料台1の収納空間を所定の真空に保持する試料チャンバ3と、試料Sを冷却するための気体冷媒を試料チャンバ3内に供給する冷媒供給手段5とを備えるイオンミリング装置である。気体冷媒を試料チャンバ内に供給することで、試料Sにおけるイオンビームの照射面を直接気体冷媒で冷却することができる。 （もっと読む）

【課題】イオンミリング装置において、高い熱伝導性と耐久性とを兼ね揃えた冷却装置を実現する。
【解決手段】
真空外の冷却源と真空内の試料および試料台とを接続する熱伝達手段として、樹脂チューブの内部に、イオン液体を充填した金属製の編み線が設置されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】試料表面を荷電粒子により調査及び／又は改変するのを容易且つ費用効率的に可能にし、表面電荷蓄積に関係する問題が克服されるような装置及び方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子により試料を調査及び／又は改変する装置、特には走査電子顕微鏡が提供される。この装置は、荷電粒子のビームと、該荷電粒子のビームが通過する開口３０を持つ遮蔽エレメント１０とを有し、該開口３０は充分に小さく、上記遮蔽エレメント１０は上記試料の表面２０に対して十分に接近して配置されて、上記荷電粒子のビームに対する該表面における電荷蓄積効果の影響を減少させる。 （もっと読む）

【目的】描画前の段階でブランクスの種類を判定することが可能な描画装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、基板の種類に応じた複数の抵抗値を記憶する記憶装置１４０と、搬入された基板の抵抗ちを測定する抵抗値測定部１１２と、搬入された基板の基板情報を入力し、基板情報に基づいて対応する基板の種類の抵抗値を記憶装置に記憶された複数の抵抗値の中から取得するＤＢ値取得部１１４と、取得された抵抗値と測定された抵抗値とを比較し、基板情報に沿った基板の種類かどうかを判定する判定部１１６と、判定の結果、基板情報に沿った基板の種類であった場合に、荷電粒子ビームを用いて前記搬入された基板にパターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】装置全体を大きくすることなく、基板への入射イオンビームの均一性を図ったイオンビーム発生装置を提供する。
【解決手段】放電槽２でプラズマを発生させ、引き出し電極７より環状のイオンビームを引き出し、偏向電極３０によって、該イオンビームを環状の中心方向に屈曲させて基板Ｗに対して、傾斜した方向から入射させる。 （もっと読む）

【課題】イオンビームの照射による断面加工において，断面に熱によるダメージを与えず，加工面に荒れを生じさせないイオンビーム加工方法を提供する。
【解決手段】加工すべき試料６にイオンビームを発射するイオン銃２と，試料６を下面に装着しイオンビームの一部を遮蔽する遮蔽板７とを備えるイオンビーム加工装置において，試料６の断面作成側の側面６ａに，熱伝導部材８を接触して設け、試料の上面６ｃを遮蔽板の端部７ａより、ずらして突出させて被加工部６ｂを形成し，イオンビーム４を，この被加工部６ｂの上面６ｃ，熱伝導部材８の側面近傍の上面８ｂに照射して，試料６の被加工部６ｂを研削し，加工処理を行う。断面に，加工処理による熱が発生しても，熱伝導部材８を経て外部に熱放出され，熱によるダメージで断面に荒れが生じるのを回避できる。 （もっと読む）