【課題】エネルギー線照射システムにおいて、異なる寸法のワークに効率的にエネルギー線を照射できるコンパクトで低コストの搬送機構を実現する。
【解決手段】異なる寸法のワークＷ１、Ｗ２がそれぞれ搭載される第１、第２ワークホルダ３１ａ、３２ａと、各々のワークホルダを各々のワーク授受領域とエネルギー線照射領域ＡＲ１との間で進退移動させる進退機構３３と、互いに異なる位置に設けられた第１及び第２ワーク収容部２１ａ、２２ａと、第１のワーク授受領域にある第１ワークホルダ３１ａと第１ワーク収容部２１ａとの間でワークＷ１を搬送する第１搬送アームと、第２のワーク授受領域にある第２ワークホルダ３２ａと第２ワーク収容部２２ａとの間でワークを搬送する第２搬送アームとを設けた。 （もっと読む）

【課題】正確なドーズ量制御を実現できるイオン注入方法を提供する。
【解決手段】ウエハ１７へのイオン注入中に、イオンビーム電流を計測するとともに、真空ビームライン室２０または真空処理室３０内で動作する構造体の位置の変化に応じて変化する真空コンダクタンスの変化を求め、さらに上記真空ビームライン室または真空処理室内に設置された真空計２１で計測される１個所ないし複数個所の真空度の変化を検知し、上記求めた真空コンダクタンスと１個所ないし複数個所の真空度とを用いてイオンビーム電流量を補正し、ウエハに注入するドーズ量を制御する。 （もっと読む）

【課題】第一と第二の面を備えた３次元構造を有するデバイスへのイオン注入時にイオンビームの空間電荷効果による発散を抑制し、基板全域に渡って略均一な特性を有する３次元構造のデバイスを製造する。
【解決手段】第二の面にマスクを配置して第一の面へのイオン注入を行った後、第二の面のマスクを取り外して、第一の面へのイオン注入を行う３次元構造のデバイスへのイオン注入方法において、マスクを取り外した後、第一の面へのイオン注入に先立って、半導体基板上に照射されるリボン状のイオンビームの広がり角度を計測する計測工程Ｓ４と、当該角度が所定範囲内にあるかどうかを判別する判別工程Ｓ５と、判別工程Ｓ５で所定範囲内にないと判断されたとき、イオンビームの広がり角度が所定範囲内となるように補正する角度補正工程Ｓ６を行う。 （もっと読む）

【課題】イオン注入剥離法を用いた貼り合わせウェーハを製造するにあたり、ウェーハ品質の悪化を防止するため、イオン注入機の基板保持具の劣化状況を容易に判定することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】イオン注入機の基板保持具の劣化を判定する方法であって、作製された貼り合わせウェーハ又は一部が剥離されたボンドウェーハの品質を測定し、該測定された品質から、前記ボンドウェーハを保持したイオン注入機の基板保持具の劣化を判定するイオン注入機の基板保持具の劣化判定方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の一つの実施形態の目的は、ダミーウェハを使用することなく、ウェハが装着されない装着部の劣化を防止可能なイオン注入装置およびイオン注入方法を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、イオン注入装置が提供される。イオン注入装置は、イオン注入部と、複数の装着部と、傾斜機構とを備える。イオン注入部は、ウェハへイオンビームを照射して該ウェハへイオンを注入する。装着部は、ウェハをそれぞれ装着可能に構成され、前記イオンビームが照射される照射領域へ順次移動する。傾斜機構は、ウェハが装着されない前記装着部を前記イオンビームが照射されない位置まで傾斜させる。 （もっと読む）

【課題】新たなイオンビーム計測を提供する。
【解決手段】イオンビーム計測装置１０は、イオンビーム１４との間に相互作用を生じる測定ビーム１２を発するための測定ビーム源２０と、測定ビーム源２０から発せられイオンビーム１４に照射された測定ビーム１２を検出するための測定ビーム検出器２２と、を備える。イオンビーム計測装置１０は、例えばイオン注入装置に適用することができる。イオンビーム計測装置１０は、イオンビームに関連する出力をイオン注入装置の制御システムに提供するビームモニタであってもよい。 （もっと読む）

【課題】
安価かつ簡素な装置構成にて、イオン源より発生するパーティクルの基板への混入が防止できるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】
本発明のイオン注入装置ＩＭは、イオンビーム引出し口１４を介して重力方向Ｇと交差する方向にイオンビーム２を引き出すイオン源１と、基板４が搭載される搬送トレイ７と、少なくとも１つの開口部６を有し、搬送トレイ７に取り付けられたマスク５と、搬送トレイ７をイオンビーム２と交差する方向に移動させることで、マスク５に形成された開口部６を通して基板の所定領域にイオンビーム２を照射させる駆動機構とを備えている。そして、重力方向Ｇに沿ってイオンビーム引出し口１４を見たときに、イオンビーム引出し口１４の下面を覆うとともに、基板４へのイオンビーム２の照射を妨げない防塵板１１を備えている。 （もっと読む）

【課題】互いに位置決めされた複数枚のマスクの搬送を可能にするマスクホルダーを提供する。
【解決手段】マスクホルダー６は、複数枚のマスクの重ね合わせにより形成される開口部５を介して、基板へのイオン注入を実施するイオン注入装置に用いられるマスクホルダー６である。そして、マスクホルダー６は、複数枚のマスクをその内部に挿入する為のマスク挿入口８と、マスク挿入口８に連設されたマスク収納部９と、開口部の少なくとも一部をマスクホルダーの外側に露出させるマスク露出用の貫通窓７とを有する。 （もっと読む）

【課題】内壁の水素脆化により発生するパーティクルを取り除くためのイオン源とドーピング室の大気開放処理、および洗浄処理の頻度を大幅に下げるイオンドーピング装置を提供すること。また、当該イオンドーピング装置内の低塵化方法を提供すること。
【解決手段】イオン源とドーピング室に水素元素、酸素元素を供給し、６００℃以上１０００℃以下とすることで、その内壁に三酸化二クロム（Ｃｒ_２Ｏ_３）の皮膜を形成する。これにより、水素脆化の進む前に当該内壁の補修、補強ができるため、大気開放する頻度の著しく低いドーピング装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】配線で可動範囲が制限されたりすることなく試料又はマスクの位置をより柔軟に調整することができる荷電粒子線装置、試料移動装置、マスク位置調整機構、試料位置調整方法及びマスク位置調整方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子線装置の試料ステージ００８に対する試料の位置を調整する試料移動装置０４０であって、ＳＥＭ制御ユニット０１５からの指令に応じて出力指示信号を生成する赤外線ランプ制御ユニット０１４と、赤外線ランプ制御ユニット０１４からの出力指示信号に応じて赤外線信号を照射する赤外線ランプ０１０と、試料ステージ００８上に固定された試料台ホルダー００７と、試料台ホルダー００７に対し変位可能に取り付けた試料台１０２と、赤外線ランプ０１０からの赤外線信号を受光する赤外線センサー１０８と、赤外線センサー１０８で受光した赤外線信号に応じて試料台１０２を駆動するモーター１１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】時々刻々と変化する処理室内での圧力変動に応じて、ターゲットに照射されている実質的なビーム電流の値を算出可能にするとともに、ターゲットのチャージアップに起因するゆらぎの影響を受けずに正確なビーム電流の測定を可能とするビーム電流測定器を備えたイオン注入装置を提供する。
【手段】このイオン注入装置１は、処理室７内の圧力を測定する圧力計８と、イオン源２とターゲット９との間に配置されているとともに、イオンビーム３のビーム電流を部分的に測定するビーム電流測定器６と、圧力計８による測定値が予め決められた基準値以上となった時、少なくともビーム電流測定器６の測定結果に基づいて、ターゲット９に所定量のイオンビームが照射されるように、イオン注入パラメーターを調節する制御装置１２と、を備えている。
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【課題】 インライン方式に相当する使用においてイオンビーム供給装置のメンテナンス
を行う際、他の処理室に悪影響を与えることなくメンテナンスを行うことができるイオン
ビーム照射装置を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム照射装置は、互いに直列に接続された複数の処理室に、
リボン状のイオンビームをそれぞれ供給して、基板の搬送と協働して、各基板の全面にイ
オンビームをそれぞれ照射する複数のイオンビーム供給装置を備えていて、複数の処理室
とビームラインの間には、複数の真空弁を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】真空状態となるチャンバー内に配置された可動部と繋がったケーブルの劣化促進を抑制することを課題とする。
【解決手段】１本以上の信号線１０と、絶縁材からなり、１本以上の信号線１０を互いに非接触な状態で内部に含み、１本以上の信号線１０を固定する絶縁固定部２０、２１と、絶縁固定部２０、２１の周囲を覆うシールド線３０と、絶縁材からなり、シールド線３０の周囲を覆う第１の被覆層４０と、第１の被覆層４０の外表面の一部領域に設けられたスペーサ５０を介して、第１の被覆層４０の周囲を覆うように設けられる第２の被覆層６０と、を有し、真空状態のチャンバー内に配設される真空処理装置用ケーブルを提供する。 （もっと読む）

【課題】 大型の基板に対してもその全面に均一性良くイオンビーム照射を行うことができ、かつ装置をコンパクトなものにすることができ、しかも基板が分割帯を有していなくても良いイオンビーム照射方法および装置を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム照射方法は、基板１０をイオンビーム４の主面４ｓと交差する方向に移動させながら基板にイオンビームを照射して基板上に第１のビーム照射領域を形成する第１のビーム照射工程と、基板１０をその面内で１８０度回転させる基板回転工程と、基板１０をイオンビーム４の主面４ｓと交差する方向に移動させながら基板にイオンビームを照射して基板上に第２のビーム照射領域を形成する第２のビーム照射工程とを実施して、基板１０上において第１および第２のビーム照射領域の一部分を互いに重ね合わせて、基板の全面にイオンビーム４を照射する。かつ重ね合わせ部分のイオンビーム照射量分布をビーム電流密度分布調整機構３０を用いて平坦化する。 （もっと読む）

プラズマ処理装置は、ワークピースに注入されるイオンを含むプラズマをプラズマチャンバ内に発生させるように構成されたプラズマ源を備える。本装置は、開孔構成を有する集束プレートも含み、該開孔構成は、該集束プレート近傍のプラズマのプラズマシースの形状を変更するように構成されている。本装置はさらに、ワークピースにおける集束イオンの静止時注入領域が開孔よりも実質的に狭くなるように集束プレートから離間されたワークピースを収容するプロセスチャンバも備える。本装置は、イオン注入中にワークピースを走査することによりワークピース内に複数のパターン化エリアを形成するように構成される。 （もっと読む）

【課題】ランニングコストの削減、高速化、耐久性の向上を図ったイオンドーピング装置を提供する。
【解決手段】弁体２３の駆動手段としてトグルリンク機構１０を採用する。トグルリンク機構１０は、受渡部２の直下に配置し、タイバー１４を上昇させ、固定ダイ１２を受渡部２の底部に当接させ固定する。固定ダイ１２を受渡部２の底部に固定した後、テールストック１３を所定の位置まで引き上げ、トグルリンク１６を伸長させることで移動ダイ１５を上昇させることでロッド１１を弁体２３まで上昇させ、ロッド１１を弁体２３に固定する。以降、トグルリンク１６の伸縮によって弁体２３を昇降させ、被照射体の処置室への導入出を行う。 （もっと読む）

【課題】 複数枚の基板に一括してイオン注入を行うことができ、しかも各基板の面内における注入量分布の均一性を良くすることができるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 このイオン注入装置は、イオンビーム４が導入される注入室８と、基板１０をＸ方向に第１列と第２列との２列に保持するホルダ１２と、ホルダ１２を水平状態にして基板交換位置４８に位置させる機能およびホルダ１２を起立状態にしてイオンビーム４の照射領域でＸ方向に沿って往復直線駆動する機能を有するホルダ駆動装置１６とを備えている。更に、二つのロードロック機構２０ａ、２０ｂと、各ロードロック機構２０ａ、２０ｂと基板交換位置４８との間で基板１０を搬送するアーム３２ａ〜３２ｄを２本ずつ有する二つの基板搬送装置３０ａ、３０ｂを備えている。 （もっと読む）

【課題】ＥＣＲイオン源を用いて、原子内包フラーレンを容易に形成し、かつイオンビームとして引き出し、分析するＥＣＲイオン源装置を提供する。
【解決手段】常温で気体の物質と、高融点の物質のガスのＥＣＲプラズマを生成可能なＥＣＲチェンバ部１ａと、フラーレンガス供給用の蒸発源１０８を有するプロセスチェンバ部１ｂと、イオン引き出しメッシュ電極１０４と、イオンアパーチャ１０７とを備え、イオン引き出しメッシュ電極１０４とイオンアパーチャ１０７への印加電圧を制御することにより、ＥＣＲプラズマのプラズマポテンシャルを制御し、ＥＣＲプラズマからイオンのみをプロセスチェンバ部１ｂへ抽出し、当該イオンをフラーレンにイオン注入し、フラーレン誘導体を生成すると同時に、イオンアパーチャ１０７よりイオンビーム９４として引き出し、分析するＥＣＲイオン源装置５０。 （もっと読む）

イオン注入システム（１００）、および、これに関連する方法は、鉛筆状イオンビームを走査してリボン状イオンビーム（１１０）を形成するように構成された走査装置と、第１の方向を有する該リボン状イオンビームを受け、このリボン状イオンビームを曲げて第２の方向に進めるように構成されたビーム曲げ部材（１１２）とを備えている。本システムは、第２の方向に進む該リボン状イオンビームを受け、また、加工対象物（１０４）を該リボン状イオンビームを注入するために固定するように構成された、該ビーム曲げ部材の下流に位置するエンドステーション（１０２）をさらに備えている。さらに、本システムは、該ビーム曲げ部材の出射開口部においてリボン状イオンビームのビーム電流を測定するように構成された、該ビーム曲げ部材の出射開口部に配置されたビーム電流測定システム（１２２、１２４、１０６）を備えている。
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本明細書には、改良された基板処理技術が記載されている。ある特定の例示的な実施形態において、上記の技術は、基板処理用のマスクを用いて実現されてよい。上記のマスクは、例えば、イオン注入システムのような基板処理システムに組み込まれてもよい。上記のマスクは、第１のベース部と、互いに離間して配され、１以上の隙間を形成する複数のフィンガー部を備えてよい。
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