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Fターム[5C034CC12]の内容

荷電粒子線装置 (3,257) | イオン注入装置 (857) | 注入室 (278) | キャリッジでウエハを搬送するもの (26)

Fターム[5C034CC12]に分類される特許

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【課題】イオンビーム照射装置において、安価かつ簡単な構成で、広範囲に渡って基板割れの検出を行う。
【解決手段】基板8の裏面と対向する面に1つ以上の開口部を有する基板支持部材9と、基板8を搭載した基板支持部材9を駆動させて、イオンビーム3の少なくとも一部が基板8上に照射される照射領域とイオンビーム3が基板8上に照射されない非照射領域に基板8を搬送する基板駆動機構と、基板8の下流側でイオンビーム3が照射される位置に配置されたビーム電流計測器11を備えたイオンビーム照射装置1で、照射領域内に基板8が搬送されているときに、ビーム電流計測器11によって計測されたビーム電流の計測値に基づいて、基板割れの有無を検出する。 (もっと読む)


【課題】エネルギー線照射システムにおいて、異なる寸法のワークに効率的にエネルギー線を照射できるコンパクトで低コストの搬送機構を実現する。
【解決手段】異なる寸法のワークW1、W2がそれぞれ搭載される第1、第2ワークホルダ31a、32aと、各々のワークホルダを各々のワーク授受領域とエネルギー線照射領域AR1との間で進退移動させる進退機構33と、互いに異なる位置に設けられた第1及び第2ワーク収容部21a、22aと、第1のワーク授受領域にある第1ワークホルダ31aと第1ワーク収容部21aとの間でワークW1を搬送する第1搬送アームと、第2のワーク授受領域にある第2ワークホルダ32aと第2ワーク収容部22aとの間でワークを搬送する第2搬送アームとを設けた。 (もっと読む)


【課題】基板処理装置に関し、より詳しくは、イオンビームを基板に照射して、基板にイオンを照射する基板処理を行う基板処理装置、それを有する基板処理システムに関する。
【解決手段】基板処理装置が、一つ以上の基板が安着されたトレーが移送される移送経路の設けられた工程チャンバーと、前記移送経路に沿って移送される基板にイオンビームを照射する、一つ以上のイオンビーム照射部と、を含む。 (もっと読む)


【課題】2台のイオンビーム供給装置により基板の上半分と下半分にイオン照射するインライン式のイオン照射装置において、1台のイオンビーム供給装置が停止又は処理途中で異常終了した場合であっても、基板全面に所望のドーズ量が注入できるようにする。
【解決手段】イオンビーム照射処理を1往復行った後、基板回転機構70を制御し、基板2を180度回転させた後、イオンビーム照射装置100に再投入し、イオンビーム照射処理未完了の範囲をイオンビーム照射し、基板の全面にイオンビーム照射させることを特徴としたイオンビーム照射方法。 (もっと読む)


【課題】単位時間当たりに処理できる基板の枚数や単位時間当たりのイオン注入量を大幅に向上させ、さらに、近年の基板の大型化に対応しつつ、装置全体が極端に大きくなってしまうのを防ぐことができるイオン注入装置を提供する
【解決手段】互いに離間する平行な一対の軌道31、32を有し、それら各軌道31、32に沿って同一形状の基板2を、その面板部が前記軌道31、32と平行になり、かつ各軌道上の基板2同士が平行となる姿勢に維持しながら、互いに逆向きに進行させる搬送機構3と、一対のイオンビーム照射機構5とを具備し、前記面板部と垂直な方向から視て、各軌道上の基板2が、所定の重合位置に到達したときに、略重なり合うように構成するとともに、各イオンビームBが前記重合位置にある基板を避けており、かつ、当該基板2の進行方向側と反進行方向側をそれぞれ通過するように構成した。 (もっと読む)


【課題】m(mは2以上の整数)本のリボン状イオンビームによるガラス基板上での照射領域を少なくとも部分的に重ね合わせて、ガラス基板上に所定の注入量分布を実現するイオン注入装置において、各リボン状イオンビームのビームの電流密度分布を効率的に調整する。
【解決手段】各リボン状イオンビームに対してビーム電流密度分布の調整目標とする目標分布を設定し、予め決められた順番従って、1本目からm−1本目までのリボン状イオンビームに対して、ビーム電流密度分布が目標分布に対して第1の許容範囲内に入るように調整する。その後、各リボン状イオンビームに対する調整結果を合算した分布とm本のイオンビームに対して設定された目標分布を合算した分布との差に応じて、m本目のビーム電流密度分布を調整する為の新たな目標分布を設定し、この新たな目標分布に対して第2の許容範囲内に入るように、m本目のビーム電流密度分布を調整する。 (もっと読む)


【課題】複数のイオンビーム供給装置の各々から処理室内に供給されるリボン状イオンビームの長辺方向と略直交する方向にガラス基板を搬送させ、ガラス基板の全面に渡って、各リボン状イオンビームによる照射領域を重ね合わせて、ガラス基板上に略均一なイオン注入量分布を形成するイオン注入装置において、イオン注入条件に応じて、各イオンビームにおけるビーム電流密度分布の調整目標を設定し、各イオンビームのビーム電流密度分布を効率的に調整する。
【解決手段】イオン注入装置に設定されるイオン注入条件に基づいて、調整目標設定データを検索する。調整目標設定データ内にイオン注入条件と合致するデータがある場合には、各リボン状イオンビームのうち少なくとも1本のリボン状イオンビームのビーム電流密度の調整目標を、調整目標設定データから読み出したビーム電流の値を用いて設定する。 (もっと読む)


【課題】ガラス基板上に照射された複数本のイオンビームによる重ね合わせ領域において、各イオンビームのビーム電流密度分布を効率的に調整する。
【解決手段】このイオン注入方法は、予め決められた順番で、複数本のリボン状イオンビームの各々が所定の電流密度分布となるように調整されるビーム電流密度分布調整工程と、ビーム電流密度分布調整工程の間であって、2本目以降の各イオンビームに対してビーム電流密度分布の調整がなされる前に、先になされたビーム電流密度分布の調整結果を用いて、これからビーム電流密度分布の調整がなされるイオンビームに対する調整目標とされるビーム電流密度分布を修正する目標修正工程と、複数本のリボン状イオンビームの長辺方向と交差する方向にガラス基板を搬送させるガラス基板搬送工程と、を行う。 (もっと読む)


【課題】ガラス基板上への半導体素子の製造に関する生産性を低下させずに、大型のガラス基板全面へのイオン注入を実現する。
【解決手段】
イオン注入処理がなされる処理室(21)内で、ガラス基板(25)の搬送方向と略直交する方向にて、ガラス基板(25)よりも大きな寸法を有するリボン状のイオンビーム(3、13)を発生させる複数のイオンビーム供給装置(1、11)と、ガラス基板(25)へのイオン注入量に応じて、複数のイオンビーム供給装置(1、11)の運転状態を切り替える制御装置(32)と、を備えたイオン注入装置(IM1)。 (もっと読む)


【課題】 大型の基板に対してもその全面に均一性良くイオンビーム照射を行うことができ、しかもイオンビーム寸法を基板寸法よりも小さくしてイオンビーム供給装置の大型化、処理室の大型化等を抑えることができるようにする。
【解決手段】 このイオンビーム照射装置は、互いに直列に接続された処理室10a、10bと、1枚以上の基板2を搬送する基板搬送装置と、各処理室10a、10bにZ方向に長いリボン状のイオンビーム54a、54bをそれぞれ供給して、基板搬送と協働して、基板2上に二つのビーム照射領域を、互いにZ方向の一部分を重ね合わせて形成するイオンビーム供給装置50a、50bとを備えている。更に、イオンビーム54a、54bの一端付近のビーム電流密度分布をそれぞれ調整するビーム電流密度分布調整機構70a、70bを備えている。 (もっと読む)


【課題】 基板上の分割帯を利用する装置であって、基板駆動に大掛かりな装置を必要とせず、しかもスループットを向上させることができるイオンビーム照射装置を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム照射装置は、互いに直列に接続された処理室10a、10bと、1枚以上の基板2をその分割帯82に平行なx方向に沿って搬送する基板搬送装置と、各処理室10a、10bに、y方向に長いリボン状のイオンビーム54a、54bをそれぞれ供給してそれらを各基板2のy方向の端部から分割帯82にかけての領域に照射するイオンビーム供給装置50a、50bとを備えている。更に、イオンビーム54aの、分割帯82に位置する端部を整形するビーム整形機構70aと、イオンビーム54bの、分割帯82に位置する端部を整形するビーム整形機構70bとを備えている。 (もっと読む)


【課題】本発明は多面取り工法が適用される大型基板に対するイオンドーピングを行うにおいて前記大型基板の領域を分割してスキャンする方式を実現するイオンドーピング装置及びドーピング方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態に係るイオンドーピング装置は、チャンバと、前記チャンバ内に移送される基板を支持し、これを所定方向に移動させる基板駆動部と、前記チャンバ内に備えられ、前記基板の短軸長よりも狭い幅のイオンビームを発生して前記基板に提供するイオンビーム発生部が含まれ、前記基板駆動部は前記イオンビームの幅方向に対する垂直方向に前記基板を移動させることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 インライン方式に相当する使用においてイオンビーム供給装置のメンテナンス
を行う際、他の処理室に悪影響を与えることなくメンテナンスを行うことができるイオン
ビーム照射装置を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム照射装置は、互いに直列に接続された複数の処理室に、
リボン状のイオンビームをそれぞれ供給して、基板の搬送と協働して、各基板の全面にイ
オンビームをそれぞれ照射する複数のイオンビーム供給装置を備えていて、複数の処理室
とビームラインの間には、複数の真空弁を備えていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 多様なイオンビーム照射特性を実現することができ、しかも装置の大型化、スループットの低下および基板へのパーティクル付着を抑えることができるイオンビーム照射装置を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム照射装置は、互いに直列に接続された複数の処理室10と、その一端側に接続された入口側真空予備室6と、他端側に接続された出口側真空予備室と、1枚以上の基板2を、大気中から入口側真空予備室6、複数の処理室10および出口側真空予備室を経て大気中へと搬送する基板搬送装置とを備えている。更に、各処理室10にリボン状のイオンビーム54をそれぞれ供給して、基板2の搬送と協働して、各基板2の全面にイオンビーム54をそれぞれ照射する複数のイオンビーム供給装置50を備えていて、各基板2の全面に対して複数のイオンビーム供給装置50による複数のイオンビーム照射をそれぞれ行うよう構成されている。 (もっと読む)


改良した太陽電池製造方法は、イオン注入装置のイオンビームに対して固定したマスクを利用する。イオンビームをマスクの複数の穴を介して基板へ向ける。基板を第1走査速度で移動する際にイオン線量率で、また基板を第2走査速度で移動する際に第2イオン線量率で基板にあてられるように、基板を異なる速度で移動させる。走査速度を変更することによって、種々の線量率を対応する基板位置で基板に注入することができる。これは、イオン注入を用いて太陽電池の製造に有利な精密ドーピングプロフィールを提供することを可能にする。
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【課題】 複数枚の基板に一括してイオン注入を行うことができ、しかも各基板の面内における注入量分布の均一性を良くすることができるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 このイオン注入装置は、イオンビーム4が導入される注入室8と、基板10をX方向に第1列と第2列との2列に保持するホルダ12と、ホルダ12を水平状態にして基板交換位置48に位置させる機能およびホルダ12を起立状態にしてイオンビーム4の照射領域でX方向に沿って往復直線駆動する機能を有するホルダ駆動装置16とを備えている。更に、二つのロードロック機構20a、20bと、各ロードロック機構20a、20bと基板交換位置48との間で基板10を搬送するアーム32a〜32dを2本ずつ有する二つの基板搬送装置30a、30bを備えている。 (もっと読む)


ワークピース処理システムは、イオン注入のためにワークピースを支持するように構成されたプロセスチャンバと、プロセスチャンバの外側でマスクステーション内に格納された第1のマスクと、マスクステーションから第1のマスクを取り出し、この第1のマスクをワークピースの上流に位置させて、ワークピースが第1のマスクを介して第1の選択注入を受けるように構成された、ロボットシステムとを含む。ワークピース処理方法は、プロセスチャンバの外側でマスクステーション内に第1のマスクを格納するステップと、マスクステーションから第1のマスクを取り出ステップと、イオン注入のためにプロセスチャンバ内に位置付けたワークピースの上流に第1のマスクを位置付けるステップと、第1のマスクを介して第1の選択注入を実施するステップと、を有する。
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【課題】 半導体ウエハ等の保持対象物の往復運動方向の位置精度を高めることができる保持アームを提供する。
【解決手段】 第1の腕要素(20)が、第1の回転中心(10)を中心として、回転可能に支持され、先端に第2の回転中心(11)を画定する。第2の腕要素(60)が、第2の回転中心を中心として、第1の腕要素に対して回転可能に支持され、先端に第3の回転中心(12)を画定する。伸縮用駆動力発生機構(57)が、第1の腕要素に対して第2の腕要素を回転させる。伸縮用駆動力発生機構によって、第2の腕要素が第1の角度だけ回転したとき、第1の腕要素が、第2の腕要素の回転方向とは反対方向に、第1の角度の1/2の角度だけ回転する。保持部材(80)が、第3の回転中心を中心として、第2の腕要素に対して回転可能に支持される。第1及び第2の腕要素の姿勢を変化させたとき、保持部材が並進移動する。 (もっと読む)


イオン注入装置、システム、および方法が、真空と大気圧との間で複数のワークピースを搬送するために提供される。アライメント機構は、複数のワークピースを、複式ワークピースロードロックチャンバに向かって概して同時に搬送するために位置合わせする働きをする。アライメント機構は、評価装置、昇降機、および、2つのワークピースを支持するための2つの垂直配向ワークピース支持部を含む。第1および第2大気ロボットは、ロードロックモジュール、アライメント機構、およびFOUPの間において、一度に2つのワークピースを概して同時に搬送するように構成されている。第3および第4真空ロボットは、ロードロックモジュールおよび処理モジュールの間において、一度に1つのワークピースを搬送するように構成されている。
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【課題】イオン注入ターゲットチャンバの現在温度、圧力を維持しながら、ウェハプレートをロードロックチャンバからイオン注入ターゲットチャンバ内に連続して搬入する装置、方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイス製造装置は、ロードロックチャンバ105と、ロードロックチャンバ内の搬入アセンブリ125と、ロードロックチャンバに気密封止して連結されたイオン注入ターゲットチャンバ120とを含む。ロードロックチャンバには、複数のウェハプレート110が格納される。各ウェハプレートは、その上に少なくとも1つの半導体ウェハ115を含む。イオン注入ターゲットチャンバは、現在搬入されているウェハプレート上にある半導体ウェハ中にイオン種を注入するように構成される。搬入アセンブリは、複数のウェハプレートのうちの次のウェハプレートを、ロードロックチャンバからイオン注入ターゲットチャンバ内に搬入するように構成される。 (もっと読む)


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