【課題】リボンビームの角度均一性およびドーズ量均一性を向上させる方法を提供する。
【解決手段】リボンビームの均一性向上装置は第一の補正器―バーアセンブリ３０２と、その下流に距離Ｄだけ離れた位置に配置された第二の補正器―バーアセンブリ３０４とから構成される。各補正器は磁心部とその周りに配された複数のコイルを含み、コイルは個々に励起される。リボンビーム３０の各ビームレット３１〜３７は第一の補正器で個々に偏向される。例えば、ビームレット３２は小さな角度θで偏向される。各ビームレットは第二の補正器の位置で空間的に再配置され、ドーズ量均一性を向上できる。さらに、各ビームレットは第二の補正器で偏向されて平行にされる。すなわち角度均一性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】リボン状のイオンビームの長辺方向におけるビーム電流密度分布を電界レンズにより調整する場合に、従来の電界レンズで発生していたイオンビームの長辺方向における伸縮作用を低減させる。
【解決手段】このイオン注入装置は、リボン状のイオンビーム２の長さ方向におけるビーム電流密度分布の計測結果に応じて、イオンビーム２の長辺方向における少なくとも一部を略短辺方向に向けて偏向させる偏向電極５と偏向されたイオンビーム２を部分的に遮蔽する遮蔽部材６を備えている。また、偏向電極５はイオンビーム２の短辺方向からイオンビーム２を挟んで対向配置された１枚の平板電極１１と電極群１２で構成されている。そして、平板電極１１は電気的に接地されているとともに、電極群１２を構成する複数の電極１３〜１７は互いに電気的に独立していて、各電極には電位設定を行う為の複数の電源Ｖ１〜Ｖ５が個別に接続されている。 （もっと読む）

【課題】新たなイオンビーム計測を提供する。
【解決手段】イオンビーム計測装置１０は、イオンビーム１４との間に相互作用を生じる測定ビーム１２を発するための測定ビーム源２０と、測定ビーム源２０から発せられイオンビーム１４に照射された測定ビーム１２を検出するための測定ビーム検出器２２と、を備える。イオンビーム計測装置１０は、例えばイオン注入装置に適用することができる。イオンビーム計測装置１０は、イオンビームに関連する出力をイオン注入装置の制御システムに提供するビームモニタであってもよい。 （もっと読む）

【課題】２台のイオンビーム供給装置により基板の上半分と下半分にイオン照射するインライン式のイオン照射装置において、１台のイオンビーム供給装置が停止又は処理途中で異常終了した場合であっても、基板全面に所望のドーズ量が注入できるようにする。
【解決手段】イオンビーム照射処理を１往復行った後、基板回転機構７０を制御し、基板２を１８０度回転させた後、イオンビーム照射装置１００に再投入し、イオンビーム照射処理未完了の範囲をイオンビーム照射し、基板の全面にイオンビーム照射させることを特徴としたイオンビーム照射方法。 （もっと読む）

【課題】
基板の面内に形成される不均一なドーズ量分布の形状によらず、不所望なドーズ量分布である遷移領域を小さくするとともに、イオン注入処理に要する時間を短縮させることのできるイオン注入方法を提供する。
【解決手段】
このイオン注入方法は、イオンビーム３と基板１１との相対的な位置関係を変更させることによって、基板１１へのイオン注入を実施するイオン注入方法である。そして、基板１１上に均一なドーズ量分布を形成する第一のイオン注入処理と基板１１上に不均一なドーズ量分布を形成する第二のイオン注入処理とを予め決められた順番に従って行うとともに、第二のイオン注入処理時に基板１１上に照射されるイオンビーム３の断面寸法が、第一のイオン注入処理時に基板１１上に照射されるイオンビーム３の断面寸法よりも小さい。
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【課題】半導体基板に対するイオンの注入状態を適切に調整すること。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法は、検出工程と、算出工程と、調整工程とを含む。検出工程では、半導体基板へ照射されるイオンビームの断面形状であるビーム形状および前記イオンビームのビーム電流を検出する。算出工程では、前記検出工程によって検出された前記ビーム形状および前記ビーム電流に基づき、単位面積あたりの前記ビーム電流であるビーム電流密度を算出する。調整工程では、前記算出工程によって算出された前記ビーム電流密度に基づいて前記イオンビームを調整する。 （もっと読む）

【課題】イオン注入時にクロスコンタミネーションを抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】複数種類のイオンを照射可能なイオン照射手段と、半導体ウエハが設置される複数のステージと、各ステージをイオン照射手段に対して相対移動させる移動手段と、ステージ上に半導体ウエハを設置する搬送手段と、制御手段と、イオンの種類を制御手段に入力する入力手段を備えるイオン注入装置。制御手段は、入力手段からイオンの種類の入力を受ける入力ステップと、移動手段によって、入力されたイオンの種類に対応するステージをイオン照射手段の照射位置に移動させる移動ステップと、搬送手段によって、入力されたイオンの種類に対応するステージ上に、半導体ウエハを設置する設置ステップと、設置ステップ後に、イオン照射手段によって、入力された種類のイオンを照射する照射ステップを実行する。 （もっと読む）

【課題】時々刻々と変化する処理室内での圧力変動に応じて、ターゲットに照射されている実質的なビーム電流の値を算出可能にするとともに、ターゲットのチャージアップに起因するゆらぎの影響を受けずに正確なビーム電流の測定を可能とするビーム電流測定器を備えたイオン注入装置を提供する。
【手段】このイオン注入装置１は、処理室７内の圧力を測定する圧力計８と、イオン源２とターゲット９との間に配置されているとともに、イオンビーム３のビーム電流を部分的に測定するビーム電流測定器６と、圧力計８による測定値が予め決められた基準値以上となった時、少なくともビーム電流測定器６の測定結果に基づいて、ターゲット９に所定量のイオンビームが照射されるように、イオン注入パラメーターを調節する制御装置１２と、を備えている。
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【課題】ガラス基板上に照射された複数本のイオンビームによる重ね合わせ領域において、各イオンビームのビーム電流密度分布を効率的に調整する。
【解決手段】このイオン注入方法は、予め決められた順番で、複数本のリボン状イオンビームの各々が所定の電流密度分布となるように調整されるビーム電流密度分布調整工程と、ビーム電流密度分布調整工程の間であって、２本目以降の各イオンビームに対してビーム電流密度分布の調整がなされる前に、先になされたビーム電流密度分布の調整結果を用いて、これからビーム電流密度分布の調整がなされるイオンビームに対する調整目標とされるビーム電流密度分布を修正する目標修正工程と、複数本のリボン状イオンビームの長辺方向と交差する方向にガラス基板を搬送させるガラス基板搬送工程と、を行う。 （もっと読む）

【課題】可変開口を利用したイオン注入方法とイオン注入機を提供する。
【解決手段】イオンビームの形状を変化させ、特に、基板付近で、イオンビームの最終形状を変化させ、その後、成形後のイオンビームにより、基板に対しイオン注入を実行する可変開口を有する開口調整装置を提供する。よって、基板の異なる部分、又は、異なる基板は、複数の固定開口を使用しない、又は、毎回、イオンビームを再調整しない情況下で、それぞれ、異なる成形後のイオンビームにより、イオン注入を実行する。つまり、高コストで、複雑な操作なしでも、それぞれ、特製のイオンビームにより、異なるイオン注入を実行する目的を達成することができる。この他、公知技術と比較すると、可変開口の調整は、機械操作により容易に達成されるので、イオンビーム調整プロセスが加速されて、イオン注入を実行する特定のイオンビームのイオンビーム調整プロセスが達成される。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上への半導体素子の製造に関する生産性を低下させずに、大型のガラス基板全面へのイオン注入を実現する。
【解決手段】
イオン注入処理がなされる処理室（２１）内で、ガラス基板（２５）の搬送方向と略直交する方向にて、ガラス基板（２５）よりも大きな寸法を有するリボン状のイオンビーム（３、１３）を発生させる複数のイオンビーム供給装置（１、１１）と、ガラス基板（２５）へのイオン注入量に応じて、複数のイオンビーム供給装置（１、１１）の運転状態を切り替える制御装置（３２）と、を備えたイオン注入装置（ＩＭ１）。 （もっと読む）

【課題】 大型の基板に対してもその全面に均一性良くイオンビーム照射を行うことができ、かつ装置をコンパクトなものにすることができ、しかも基板が分割帯を有していなくても良いイオンビーム照射方法および装置を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム照射方法は、電磁石装置５０を用いて、イオンビーム４を第１の位置４ａに切り換えておいて、基板１０をイオンビーム４の主面５と交差する方向に移動させながらイオンビームを照射して基板上に第１のビーム照射領域を形成する第１のビーム照射工程と、イオンビーム４を第２の位置４ｂに切り換えておいて、同様にして基板１０上に第２のビーム照射領域を形成する第２のビーム照射工程とを実施して、基板１０上において両ビーム照射領域の一部分を互いに重ね合わせて、基板の全面にイオンビーム４を照射する。かつ重ね合わせ部分のイオンビーム照射量分布をビーム電流密度分布調整機構３０を用いて平坦化する。 （もっと読む）

【課題】 大型の基板に対してもその全面に均一性良くイオンビーム照射を行うことができ、かつ装置をコンパクトなものにすることができ、しかも基板が分割帯を有していなくても良いイオンビーム照射方法および装置を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム照射方法は、基板１０をイオンビーム４の主面４ｓと交差する方向に移動させながら基板にイオンビームを照射して基板上に第１のビーム照射領域を形成する第１のビーム照射工程と、基板１０をその面内で１８０度回転させる基板回転工程と、基板１０をイオンビーム４の主面４ｓと交差する方向に移動させながら基板にイオンビームを照射して基板上に第２のビーム照射領域を形成する第２のビーム照射工程とを実施して、基板１０上において第１および第２のビーム照射領域の一部分を互いに重ね合わせて、基板の全面にイオンビーム４を照射する。かつ重ね合わせ部分のイオンビーム照射量分布をビーム電流密度分布調整機構３０を用いて平坦化する。 （もっと読む）

【課題】迅速かつ簡易的な測定方法によりイオン注入装置によって注入されるイオンのドーズ量を推定すること。
【解決手段】本発明の実施形態に係るドーズ量管理方法においては、結晶性のＳｉの水に対する接触角を測定することにより、モニタ基板に注入されたイオンのドーズ量を推定するため、迅速かつ簡易的な測定方法を用いて、イオン注入装置によって注入されたイオンのドーズ量を管理することができる。また、推定したドーズ量に応じてイオン注入装置の設定を補正することにより、半導体基板に対して注入するイオンのドーズ量を目標のドーズ量に近づけることができる。 （もっと読む）

【課題】 多様なイオンビーム照射特性を実現することができ、しかも装置の大型化、スループットの低下および基板へのパーティクル付着を抑えることができるイオンビーム照射装置を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム照射装置は、互いに直列に接続された複数の処理室１０と、その一端側に接続された入口側真空予備室６と、他端側に接続された出口側真空予備室と、１枚以上の基板２を、大気中から入口側真空予備室６、複数の処理室１０および出口側真空予備室を経て大気中へと搬送する基板搬送装置とを備えている。更に、各処理室１０にリボン状のイオンビーム５４をそれぞれ供給して、基板２の搬送と協働して、各基板２の全面にイオンビーム５４をそれぞれ照射する複数のイオンビーム供給装置５０を備えていて、各基板２の全面に対して複数のイオンビーム供給装置５０による複数のイオンビーム照射をそれぞれ行うよう構成されている。 （もっと読む）

プラズマ処理装置は、ワークピースに注入されるイオンを含むプラズマをプラズマチャンバ内に発生させるように構成されたプラズマ源を備える。本装置は、開孔構成を有する集束プレートも含み、該開孔構成は、該集束プレート近傍のプラズマのプラズマシースの形状を変更するように構成されている。本装置はさらに、ワークピースにおける集束イオンの静止時注入領域が開孔よりも実質的に狭くなるように集束プレートから離間されたワークピースを収容するプロセスチャンバも備える。本装置は、イオン注入中にワークピースを走査することによりワークピース内に複数のパターン化エリアを形成するように構成される。 （もっと読む）

【解決手段】主軸（７）を有するイオンビーム（１０４）を操作するシステムは、自身の異なる領域に主に配置され、互いに独立して第１の電流（８０８または８１０において）および第２の電流（８０８または８１０において）をそれぞれ伝達するよう構成された第１のコイルおよび第２のコイルを有する上方部材を備える。下方部材は、第１のコイルおよび第２のコイルに対向して主に配置され、互いに独立して第３の電流（８１２または８１４において）および第４の電流（８１４または８１２において）をそれぞれ伝達するよう構成された第３のコイルおよび第４のコイルを有する。レンズ間隙（３０６）が、上方部材と下方部材との間に規定され、イオンビームを伝達するよう構成され、第１の電流から第４の電流によって、イオンビームにその主軸を中心とした回転力（Ｆ５、Ｆ６）を働かせる４５度四重極場が生成される。 （もっと読む）

【解決手段】 イオン注入装置において、イオン電流測定器は、ターゲット基板がプラテン上に位置していると仮定して当該ターゲット基板の表面と同一平面になるように、マスクの後方に、配置されている。イオン電流測定器は、イオンビームを横切るように並進させられる。マスクの複数の開口を通過するように方向付けられているイオンビームの電流は、イオン電流測定器を用いて測定される。このようにして、イオン電流測定器によって測定されたイオン電流プロフィールに基づき、イオンビームに対するマスクの位置およびマスクの状態を決定するとしてよい。 （もっと読む）

【課題】イオンビームの低エネルギー化が進んだ場合においても、半導体基板に対して十分に均一な電流密度分布を有するイオンビームを照射することを主たる目的としている。
【解決手段】このイオン注入装置は、所望のエネルギーを有するリボン状のイオンビームを半導体基板に照射する為にリボン状のイオンビームを加速あるいは減速させる加減速器と、リボン状のイオンビームの長辺方向における電流密度分布を均一に制御する為の第１の均一化レンズおよび第２の均一化レンズと、半導体基板が配置される処理室と、処理室内に配置されリボン状のイオンビームの長辺方向における電流密度分布の測定を行うビーム電流計測器とを備えている。そして、処理室側からリボン状のイオンビームの経路を見た時、第２の均一化レンズ、加減速器、第１の均一化レンズの順に、イオンビームの経路に沿って配置している。 （もっと読む）

【課題】 ウエハの温度を補償をすることができるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 本発明のイオン注入装置は、イオンを照射する照射手段と、少なくとも１つのウエハＷを保持するディスク１１２を含む保持手段と、ディスク１１２に保持されたウエハＷの温度情報を非接触状態でサーモパイル１２２と、ディスク１１２に保持されたウエハＷの熱交換を可能にする冷媒供給部と、サーモパイル１１２で検出された温度情報に基づきディスク１１２に保持されたウエハＷの表面温度を算出し、算出されたウエハの表面温度が許容温度範囲内にあるか否かを判定する制御部とを有する。 （もっと読む）