【課題】イオンビーム照射装置において、安価かつ簡単な構成で、広範囲に渡って基板割れの検出を行う。
【解決手段】基板８の裏面と対向する面に１つ以上の開口部を有する基板支持部材９と、基板８を搭載した基板支持部材９を駆動させて、イオンビーム３の少なくとも一部が基板８上に照射される照射領域とイオンビーム３が基板８上に照射されない非照射領域に基板８を搬送する基板駆動機構と、基板８の下流側でイオンビーム３が照射される位置に配置されたビーム電流計測器１１を備えたイオンビーム照射装置１で、照射領域内に基板８が搬送されているときに、ビーム電流計測器１１によって計測されたビーム電流の計測値に基づいて、基板割れの有無を検出する。 （もっと読む）

【課題】イオン電流量の低下を抑えつつ、原料ガスの使用量を低減させることが可能なイオン注入装置及びイオン注入方法を提供する。
【解決手段】イオン注入装置１０は、イオンビ−ムを引き出すイオン源１２と、半導体基板３０（ターゲット）にイオン注入を行う注入室２０と、注入室２０へガスを導入するガス導入部１１を備えている。そして、注入室２０へ導入されるガスは、原料ガスと不活性ガスとの混合ガスであり、原料ガスのみを注入室２０へ導入したときのイオン電流量が最大となる流量をＸａとしたときに、混合ガスの総流量が０．７Ｘａ以上、且つ、原料ガスの流量が０．４Ｘａ以上（原料ガスがＢＦ_３を主体として構成される場合は、原料ガスの流量が０．３Ｘａ以上）となるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】従来のイオン源に比べて、フィラメント（カソード）の断線が少なく、安定して、大型かつ大電流のイオンビームを生成する。
【解決手段】イオン源８は、スリット状開口部１１を有し、内部に突出した先端部がプラズマ３に接触しない位置に配置された少なくとも１つのカソード２を備えたプラズマ生成容器Ｕ１１〜Ｕ４２を複数備えている。さらに、スリット状開口部１１の長手方向に沿って各プラズマ生成用器内Ｕ１１〜Ｕ４２に磁場を発生させる磁場生成手段１２と、スリット状開口部１１を通して、断面形状が略長方形状のリボン状のイオンビーム１９を引き出す引出電極６とを備えている。そして、略長方形状断面の短手方向から見たとき、各プラズマ生成容器Ｕ１１〜Ｕ４２から引き出されたリボン状のイオンビーム１９の略長方形状断面の長手方向における一端部が互いに重なっている。 （もっと読む）

【課題】引出電極の放電によりイオン源内で生成された複数種類のイオンを含むイオンビームがターゲットに到達して所望イオン以外の質量及びエネルギーをもったイオンがターゲットに注入されないようにする。
【解決手段】イオン源２から引き出されたイオンビームＩＢから特定の質量数及び価数のイオンを選別して導出する質量分離器３と、当該質量分離器３から導出されたイオンビームＩＢを加速又は減速する加速管４と、当該加速管４から導出されたイオンビームＩＢから特定のエネルギーのイオンを選別して導出するエネルギー分離器５とを有するイオン注入装置１００の制御方法であって、加速モード運転において加速電圧Ｖ_Ａを０ｋＶとならないように制御する。 （もっと読む）

【課題】ｍ（ｍは２以上の整数）本のリボン状イオンビームによるガラス基板上での照射領域を少なくとも部分的に重ね合わせて、ガラス基板上に所定の注入量分布を実現するイオン注入装置において、各リボン状イオンビームのビームの電流密度分布を効率的に調整する。
【解決手段】各リボン状イオンビームに対してビーム電流密度分布の調整目標とする目標分布を設定し、予め決められた順番従って、１本目からｍ−１本目までのリボン状イオンビームに対して、ビーム電流密度分布が目標分布に対して第１の許容範囲内に入るように調整する。その後、各リボン状イオンビームに対する調整結果を合算した分布とｍ本のイオンビームに対して設定された目標分布を合算した分布との差に応じて、ｍ本目のビーム電流密度分布を調整する為の新たな目標分布を設定し、この新たな目標分布に対して第２の許容範囲内に入るように、ｍ本目のビーム電流密度分布を調整する。 （もっと読む）

【課題】複数のイオンビーム供給装置の各々から処理室内に供給されるリボン状イオンビームの長辺方向と略直交する方向にガラス基板を搬送させ、ガラス基板の全面に渡って、各リボン状イオンビームによる照射領域を重ね合わせて、ガラス基板上に略均一なイオン注入量分布を形成するイオン注入装置において、イオン注入条件に応じて、各イオンビームにおけるビーム電流密度分布の調整目標を設定し、各イオンビームのビーム電流密度分布を効率的に調整する。
【解決手段】イオン注入装置に設定されるイオン注入条件に基づいて、調整目標設定データを検索する。調整目標設定データ内にイオン注入条件と合致するデータがある場合には、各リボン状イオンビームのうち少なくとも１本のリボン状イオンビームのビーム電流密度の調整目標を、調整目標設定データから読み出したビーム電流の値を用いて設定する。 （もっと読む）

【課題】ターゲット表面に入射する正のイオン流による急速な帯電に起因するアーク放電を生じることなく、絶縁材料の堆積にも使用できるイオンビーム源を提供する。
【解決手段】非導電ターゲットとともに使用するイオンビーム源であって、イオンを抽出するグリッド１〜４と、このグリッドにパルス電力を供給する電源（直流電源１６およびビーム制御装置１７）とからなり、前記電源は、グリッド１電源〜グリッド３電源と、前記グリッドに対する電力の供給を接続および遮断するスイッチのセット１９と、このスイッチを制御する電力スイッチング装置２１と、スイッチの切替を行うためのパルス発生器２０とを有する。 （もっと読む）

プラズマ処理装置は、ワークピースに注入されるイオンを含むプラズマをプラズマチャンバ内に発生させるように構成されたプラズマ源を備える。本装置は、開孔構成を有する集束プレートも含み、該開孔構成は、該集束プレート近傍のプラズマのプラズマシースの形状を変更するように構成されている。本装置はさらに、ワークピースにおける集束イオンの静止時注入領域が開孔よりも実質的に狭くなるように集束プレートから離間されたワークピースを収容するプロセスチャンバも備える。本装置は、イオン注入中にワークピースを走査することによりワークピース内に複数のパターン化エリアを形成するように構成される。 （もっと読む）

【課題】新規なソース材料（特に、イオン注入プロセスにおいて新規なデカボランならびに水素化物およびダイマー含有化合物などの感熱性材料）を使用可能な、生産に値するイオンソースおよび方法を提供し、半導体ウェハの商業的なイオン注入において新規な範囲の性能を達成すること。
【解決手段】イオン注入システム用のイオン源（１）は、プロセスガスを生成する蒸発器（２）と、電子ビーム（３２）を指向してイオン化封入物（１６）内のプロセスガスをイオン化する電子源（１２）と、ビームダンプ（１１）と、イオン化チャンバ（５）と、イオンビームを取り出す抽出アパーチャ（３７）とを含み、本発明の制御システムは、個々の蒸気またはガス分子が、主に該電子銃からの一次電子との衝突によってイオン化され得るように、該一次電子のエネルギーの制御を可能にする制御システムとを含む。 （もっと読む）

【課題】１回のみの質量分析を行なうイオン注入装置を用いたイオン注入方法において、エネルギーコンタミネーションを低減する。
【解決手段】イオン源１で引出電圧をかけて引き出したイオンのうち目的とするイオンのみを選別する質量分析を質量分析器２で１回のみ行ない、ビームライン３にてイオンビームの整形及び走査をし、加速管４にて加速電圧をかけてエンドステーション５にて被処理体にイオン注入する。２価イオンを用い、その２価イオンを注入する際の２価用引出電圧及び２価用加速電圧の合計値を、その２価イオンと同一イオン種の１価イオンを注入する際の１価用引出電圧及び１価用加速電圧の合計値の半分の値に設定し、かつ、２価用加速電圧を１価用加速電圧よりも小さく設定して被処理体へのイオン注入を行なう。 （もっと読む）

【課題】開処理時において確実にマスフローコントローラが全閉状態となっており、チャンバー内へガスが突入するのを防ぐことができるガス制御装置、ガス制御装置の制御方法、及びそれらを用いたイオン注入装置を提供する。
【解決手段】ガス制御装置１０であって、可変流量バルブ４１を備え、チャンバー１に流入するガスの流量を設定流量となるように制御するマスフローコントローラ４と、前記マスフローコントローラ４の上流に設けられる１次側バルブ６と、前記マスフローコントローラの下流に設けられる２次側バルブ７と、を具備し、前記チャンバー１へのガスの流入を止めるガス閉処理時において、前記マスフローコントローラ４、前記１次側バルブ６、前記２次側バルブ７をこの順で全閉させる、又は、前記１次側バルブ６を全閉させてから第１所定時間以内に前記マスフローコントローラ４を全閉させ、その後に前記２次側バルブ７を全閉させる制御部８を備えた。 （もっと読む）

【課題】新規なソース材料（特に、イオン注入プロセスにおいて新規なデカボラン（Ｂ_１０Ｈ_１４）、ならびに水素化物およびダイマー含有化合物などの感熱性材料）を使用可能な、生産に値するイオンソースおよび方法を提供すること。
【解決手段】イオン注入システム用のイオン源（１）は、プロセスガスを生成する蒸発器（２）と、電子ビーム（３２）を指向してイオン化封入物（１６）内のプロセスガスをイオン化する電子源（１２）と、ビームダンプ（１１）と、イオン化チャンバ（５）と、イオンビームを取り出す抽出アパーチャ（３７）とを含み、本発明の制御システムは、個々の蒸気またはガス分子が、主に該電子銃からの一次電子との衝突によってイオン化され得るように、該一次電子のエネルギーの制御を可能にする制御システムとを含む。 （もっと読む）

【課題】イオンビームの加減速、特に減速を行った場合においても、偏向中心位置が大きく変化しないようにして、ターゲットに入射するイオンビームの入射角度を所望の角度に保ったまま、ターゲットに入射するイオンビームの中心位置を所望の位置にすることができるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】イオンビームＩＢを加減速し偏向させてターゲットＴに入射させる静電加速管３を具備したイオン注入装置において、前記静電加速管３の一部を構成する偏向電極５が、前記イオンビームＩＢを挟んで設けられ、互いに異なる電位が設定される第１偏向電極５１と第２偏向電極５２とを備えたものであって、前記第２偏向電極５２は、イオンビームＩＢが偏向される側に設けられるものであり、上流側に設けられる上流側電極５２１と、これから離間して設けられる下流側電極５２２とを具備し、前記上流側電極及び下流側電極はそれぞれ独立に電位を設定可能に構成した。 （もっと読む）

【課題】メンテナンスの回数を少なくかつ故障を少なくした引出電極用マニピュレータを提供すること。
【解決手段】本発明の引出電極用マニピュレーター・システムは、同軸配置された支持管システムの内側支持管248によって支持される抑制電極210と、前記同軸配置された支持管システムの外側支持管246によって支持されている接地電極212と、前記同軸配置された支持管システムの遠方端に位置して、前記支持管システムを機械的に支持し、かつ高電圧真空フィードスルーとして作用する高電圧インシュレータリング211とを含む。この結果、絶縁スタンドオフとしての高電圧インシュレータリング211が、イオン源の近くから同軸配置された支持管システムの遠方端に位置するので、内側支持管を機械的に支持するとともに、高電圧フィードスルーとして作用し、インシュレータリング211の絶縁表面に蒸気が到達して汚染しかつ被覆する可能性を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】イオン源から出射するイオンビームの軌道がイオン源におけるＹ方向磁界の影響を受けて設計上のビーム軌道からずれたとしても、分析スリットに入射するイオンビームの軌道を設計上のビーム軌道に近づけることができるようにする。
【解決手段】イオン源１０ａの引出し用電極を第１、第２引出し用電極２２ａ、２２ｂに分けて構成しておき、かつ両電極間に電位差を形成する直流電源５２ａ、５２ｂと、イオンビーム２を撮影してその画像データを出力するカメラ８０と、分析スリット４０を通過したイオンビーム２のビーム電流Ｉ₂を測定する後段ビーム測定器７０とを設けておき、Ｉ₂が最大になるように分析電磁石電流Ｉ₃を調整し、次に、カメラからの画像データに基づいて分析スリットに入射するビーム軌道の設計値からの偏差角度を求め、それが小さくなるように両引出し用電極間の電位差を調整する。調整を繰り返して偏差角度を許容範囲内に入れる。 （もっと読む）

マルチモードイオン源を提供する技術を開示する。本発明のある例示的態様においては、例えば、第１モードがアーク放電モードであり、第２モードがＲＦモードであるという複数モードで動作するイオン源を含むイオン注入装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ生成容器内のＹ方向におけるプラズマ密度分布の制御が容易であり、しかもプラズマ生成容器内に発生させる磁界によってイオンビームの軌道が曲げられるのを防止することができるイオン源を提供する。
【解決手段】 このイオン源１０は、Ｙ方向に長いリボン状イオンビーム２をＺ方向に引き出すものであり、プラズマ生成容器１２と、プラズマ生成容器１２のＺ方向端付近に設けられていてＹ方向に伸びたイオン引出し口２６を有するプラズマ電極２４と、プラズマ生成容器１２内へ電子を放出してプラズマ２２を生成するためのものであってＹ方向に沿って複数段に配置された複数の陰極４０と、プラズマ生成容器１２内に、しかも複数の陰極４０を含む領域に、Ｚ方向に沿う磁界５６を発生させる磁気コイル５０とを備えている。 （もっと読む）

所望のフィラメントの成長、あるいはフィラメントのエッチングを行うために、アークチャンバ内の適切な温度制御によってアークチャンバのイオン源内にある前記フィラメントの成長／エッチングを可能にする反応性洗浄試薬を利用する、イオン注入システムまたはその構成要素の洗浄。また、イオン注入装置の領域または注入装置の構成要素を洗浄するために、インサイチュまたはエクスサイチュ洗浄構成で、周囲温度、高温、またはプラズマ条件下で、ＸｅＦｘ、ＷＦｘ、ＡｓＦｘ、ＰＦｘ、およびＴａＦｘ（ここで、ｘは、化学量論的に適切な値または値の範囲を有する）などの反応性ガスを使用することが記載される。特定の反応性洗浄剤のうち、ＢｒＦ_３が、インサイチュまたはエクスサイチュ洗浄構成で、イオン注入システムまたはその構成要素を洗浄するのに有用と記載される。また、フォアラインからイオン化関連堆積物の少なくとも一部を除去するために、イオン注入システムのフォアラインを洗浄する方法であって、前記フォアラインを洗浄ガスと接触させるステップを含み、前記洗浄ガスが前記堆積物との化学的反応性を有する方法が記載される。また、カソードをガス混合物と接触させるステップを含む、イオン注入システムの性能を改善し、寿命を延ばす方法が記載される。
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【課題】イオンビームの加速エネルギを推定することが可能なイオンビーム計測方法とイオン注入装置を提供すること。
【解決手段】温度測定用部材１４にイオンビーム２０を照射した状態で該温度測定用部材１４の温度を測定するステップと、上記温度からイオンビーム２０の加速エネルギを推定するステップとを有するイオンビーム計測方法による （もっと読む）

【課題】 イオン源のプラズマ生成部内におけるプラズマ密度分布が均一でない場合でも、イオンビームのＹ方向におけるビーム電流密度分布の均一性を良くする。
【解決手段】 このイオン注入装置は、イオン源２の引出し電極１３をＹ方向において複数の引出し電極片３０に分割して構成している。かつ、プラズマ電極１２と各引出し電極片３０との間の電位差Ｖ_d を各引出し電極片３０ごとに独立して制御することができる引出し電源４２と、イオンビーム８のＹ方向のビーム電流密度分布を測定するビームモニタ５６と、ビームモニタ５６からの測定データに基づいて引出し電源４２を制御して、上記電位差Ｖ_d をそれぞれ制御することによって、ビームモニタ５６で測定するビーム電流密度分布を均一に近づける制御を行う制御装置６０とを備えている。 （もっと読む）